英飛凌62mm CoolSiC? MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊榮獲2023年度最具影響力碳化硅產品獎

11月14日，英飛凌科技的62mm CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能，榮獲2023年度行家極光獎最具影響力產品獎，再次展現了英飛凌在碳化硅領域的技術創新能力和行業領先地位，得到了業內專家和客戶的認可。

2023年上市的62mm CoolSiC MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊采用溝槽柵，大大提升器件參數、可靠性及壽命。2000V的電壓等級，可簡化1500VDC光伏系統拓撲設計，將傳統IGBT器件的三電平方案簡化為兩電平，使1500VDC光伏系統效率上了新臺階。

通過碳化硅擴展成熟的62mm封裝的產品，滿足了快速開關要求和低損耗，高效率的應用，適用于儲能系統、電動汽車充電、光伏逆變器、牽引以及UPS等應用。

采用62mm封裝的2000V產品組合包含3.5mΩ/300A和2.6mΩ/400A兩種型號，還有評估板可供選擇。了解更多信息，請點擊文末“閱讀原文”。

英飛凌自1992開始著手于碳化硅的研究，在長達30年的時間里，英飛凌不斷地進行技術打磨和沉淀，不遺余力地在碳化硅領域做出自己的貢獻。英飛凌科技將繼續推動碳化硅產品和技術的發展，為全球客戶提供更為高效、可靠的產品解決方案。