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龍騰半導體MOS管規格書參數解讀

龍騰半導體 ? 來源:龍騰半導體 ? 2023-12-08 18:20 ? 次閱讀

一、參數解讀

極限值

01

一般來說任何情況下MOSFET工作狀態超過以下指標,均可能造成器件的損壞,以龍騰650V99mΩ器件規格為例:

a04be362-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

第一列為參數名稱,漏源極電壓、漏極連續電流、源極脈沖電流、柵源極電壓、單次雪崩能量、耗散功率、結溫和儲存溫度、二極管連續反向電流、二極管脈沖電流。第二列為參數符號,第三列為參數的極限值,第四列為參數的單位。

重點介紹漏極連續電流Id的計算

Tc 25°C 100°C
PD (TJ,max-Tc)/RthJC (TJ,max-Tc)/RthJC
PD (150-25)/0.35≈357W (150-100)/0.35≈143W
iD √(357/2.3*0.2277)≈40A √(357/2.3*0.2277)≈25A
此外,有時規格書中Id的值要小于實際計算得到的值,這是由于封裝連接線的電流限制。 a05a6cc0-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

靜態參數

02

a06eb504-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

BVDSS表示漏源極之間能承受的電壓值,這里標注的是最小值650V。VGS(th)表示MOSFET的開啟電壓,它是負溫度系數,隨著溫度的增加,器件的開啟電壓逐漸減小,以100℃為例,此時開啟電壓已經降低到25℃時的0.77倍

a07c6654-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

IDSS表示漏極的漏電流,在VDS=250V時,最大不超過1uA;

IGSSF、IGSSR分別表示柵極正向漏電流、反向漏電流,在VGS=±30V時,不超過100nA;

RDS(on)表示器件的導通電阻,它與器件的測試條件及溫度有關。

當溫度升高時,RDS(on)逐漸變大,呈現正溫度系數;

測試條件VGS=10V固定,測試電流ID不斷增加時,RDS(on)也不斷加大。

a08c28d2-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png a09b24b8-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

動態參數

03

a0b9ae24-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

電容參數:

規格書參數部分只標注了一個點的值,即在測試條件VDS=100V,VGS=0V,f=250kHz時,Ciss=3250pF、Coss=115pF、Crss=4.5pF。

功率器件的結電容是隨著電壓變化的,規格書中的C-V 曲線上可以讀出在各個電壓下的結電容值。

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開關參數:

td(on)=10%VGS – 90%VDS
tr=90%VDS – 10%VDS
td(off)=90%VGS – 10%VDS
tf=10%VDS – 90%VDS

測試條件中包含VDD、ID、Rg、VGS,注意在不同的測試條件下,參數測試值不相同。

a0ceda92-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

柵電荷參數

04

a0e9ebca-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

注:柵極電荷參數注意測試條件中VGS=0to10V,即規格書中的Qg表示柵極從0V充電到10V所需的電荷量,往往實際使用時不是這個驅動電壓。

a0f9e390-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

體二極管參數

05

a118d372-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

注:VSD表示體二極管正向導通時的壓降,其值隨著IS的增大而增大,隨著溫度的升高而減小。

a123b2ba-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

注:trr表示反向恢復過程的時間,Qrr表示反向恢復過程的電荷量,Irrm表示反向恢復過程的電流尖峰

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二、參數測試和曲線解讀

靜態測試

01

靜態測試項目包含: BVDSS、VTH、IDSS、IGSSF、IGSSR、RDSON,一般使用功率器件靜態測試儀進行測試,每一顆器件出廠前在封裝完成之后,都會經過在100%的FT測試中進行靜態參數的測試才會交到用戶手中。

其中BVDSS,我們通過灌電流讀電壓的方式得到,在柵極VGS=0V時讓器件流過ID=250uA,此時器件的兩端電壓值就是器件的耐壓BVDSS。

VTH:器件開啟的電壓,將柵-漏極短接,持續增加VGS當器件流過ID=250uA,此時柵極所施加的電壓值為VTH。

IDSS:VGS電壓為0保持器件關斷,對器件施加額定電壓值,測試此時的電流。

IGSSF、IGSSR:對器件施加對應VGS電壓,此時IGS相對應的漏電流值為IGSSF、IGSSR。

RDSON:導通電阻,給器件一定柵極電壓,讓器件流過對應電流,所測得的導通DS間電阻值。

a150ff22-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

動態測試

02

動態測試是器件在開關過程中所獲得的參數,決定著器件的開關性能。

(1)Qg

a165f24c-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

Qg參數由如上電路測試得到,通過對Ig的積分,得到Qg,在繪制出Qg-VGS曲線,我們可以看到分為三個階段,把一個向上的階段定義為Qgs,把米勒平臺階段定義為Qgd,把整個開通階段定義為Qg。

(2)開關測試

a16ed312-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

開關數據由如上電路得到,控制器件開關得到右側波形。

開通延時:td(on)=10% VGS – 90% VDS

上升時間:tr=90%VDS – 10%VDS

關斷延時:td(off)=90%VGS – 10%VDS

下降時間:tf=10%VDS – 90%VDS

(3)二極管測試

a17977fe-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

二極管數據由如上電路中得到,測試體二極管的電壓電流。

trr表示反向恢復過程的時間

Qrr表示反向恢復過程的電荷量

Irrm表示反向恢復過程的電流尖峰

(4)極限能力測試

雪崩

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器件雪崩由如上電路測試獲得。器件雪崩能量=電感能量=1/2LI2

短路

此外IGBT規格中有短路能力的標稱,下圖是規格書中短路參數

a192cb82-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

(5)可靠性測試

可靠性測試

模擬和加速半導體元器件在整個壽命周期中遭遇的各種情況(器件應用壽命長短)。

高溫柵偏/高溫反偏(HTGB/HTRB)

評估器件在高溫和高電壓情況下一段時間的耐久力。高溫、高電壓條件下加速其失效進程。

濕熱試驗(THB/H3TRB)

確定電子元器件在高溫、高濕度或伴有溫度濕度變化條件下工作或儲存的適應能力。評估產品在高溫、高濕、偏壓條件下對濕氣的抵抗能力,加速其失效進程。

特性曲線

03

靜態參數測試條件是不變的,而在實際應用中,測試參數的靜態點并不能說明問題。外部環境是實時變化的,此時靜態參數只能提供一個參考的數值,這時曲線的參數測試變得更有意義。

(1)輸出特性曲線

a1ae06cc-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

(2)參數與結溫關系

a1c6d9c2-95b1-11ee-8b88-92fbcf53809c.png 通過參數與結溫曲線的關系可以發現,功率器件的參數會隨著結溫的變化,而呈現一定規律的變化,在實際應用中,結溫變化不僅僅因為環境溫度的改變,還會因為功率器件自身功耗改變。所以一定要注意結溫對器件參數的影響,注重散熱。
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審核編輯:劉清

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原文標題:應用筆記 | 龍騰半導體MOS管規格書參數解讀

文章出處:【微信號:xa_lonten,微信公眾號:龍騰半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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