TB5128HG-EVB 測試板說明

（圖 1）

圖1中 藍色電位器調整輸出電流。LED1是Mo指示燈，狀態指示，非輸出反饋。

信號輸入端J2:（部分信號端加上拉電阻，3.3V或者5V的信號源可以直連，板上做了兼容處理，參考拓展應用文檔）

GND：信號地輸入端

ST： 待機信號輸入（測試時可以空著不接，板上已經接上拉）

CLK：步進脈沖信號輸入端。（一個脈沖走一步，脈沖的頻率決定步進電機的轉動速度）

DIR： 步進方向信號輸入端。(對應芯片的CW/CCW引腳)

EN： 使能信號輸入端。（對應芯片的ENABLE引腳，低電平時關閉芯片的功率輸出）

Mo： 電角監視引腳，開漏輸出。（對應每4個整步，Mo拉低一次）

邏輯控制信號：高電平大于2V，低電平小于0.8V。具體請參考芯片文檔。

電機繞組連接：

⑴A+：連接電機繞組A相。⑵A-：連接電機繞組A相

⑶B+：連接電機繞組B相。⑷B-：連接電機繞組B相。

步進電機繞組引線并無正負之分，接入驅動時注意區分不同繞組。另外，要改變電機的初始啟動方

向時，調換其中一個繞組的接線。比如把A+與A-的接線交換，就能改變電機的初始啟動方向。

工作電壓的連接：

⑴VM： 連接直流電源正。(推薦工作電壓范圍10～42V)

⑵GND：連接直流電源負。

TB5128HG 芯片是采用內部采樣模式，外部不需要再接功率采樣電阻。內部采樣模式時的電流計算：

平均電流小于計算值，原因是該IC 采用峰值電流檢測法。所以不要用電源端檢測的電流值與設置的電流值比較。

SEL拔碼開關（圖2）：

細分設置，板上參數表格，注意M0與M1的順序

M0: 勵磁模式設置輸入端（細分設置端DMODE0）

M1: 勵磁模式設置輸入端（細分設置端DMODE1）

M2: 勵磁模式設置輸入端（細分設置端DMODE2）

應用中要注意的，如圖 3、圖 4 中，DIR 方向線路連接到芯片 CW/CCW 間串入了電阻

R4 和并聯了 C11 電容。廠家建議一定要在 CW/CCW 腳對地并上小電容。這樣 PCB 設計

更簡單，也能避免部分應用中出現失步的現象。R4 是為了保護控制端的端口，比如像 MCU

類的編程芯片，避免 C11 對控制芯片的影響。阻值范圍 100~1000 歐左右，控制芯片是低

功耗類，R4 選擇大一些的阻值。若是光耦輸出到驅動芯片，R16 可以考慮省掉。在 PCB 設計中，要注意 C11 的接地端與芯片的 12 腳 GND 要優先最短化連接。尤其

是兩層板，若外圍器件較多或者空間有限，布線處理受影響，要特別優先考慮 C11 接地端

與芯片 12 腳 GND 的連線最短化處理?；蛘呦駡D 3 中那樣，區分信號地和功率地，分別獨

立布線回路，匯通點放在大容量濾波電容接地端。只有這樣 C11 才起作用，讓芯片發揮出

應有的性能。C11 的電容值可以根據測試效果來相應調整。

芯片的 VCC 端是內部穩壓端引出，用于外接濾波電容（0.1uF~1uF）。外部電路要用

芯片的 VCC 供電時，建議 VCC 的輸出電流不要超過 10mA。如果外部有 5V 穩壓電源，

原則上不建議與芯片的 VCC 引腳直接連接。因為兩個穩壓電路輸出有壓差時，可能會有

影響。不管芯片外圍線路是否用內部 VCC 供電，芯片的 VCC 端都必須加上濾波小電容。

評估板的應用電路，部分需要上拉到 VCC 端，都是用了 27K 左右的電阻，主要是為

了降低 VCC 端的消耗電流。實際應用中，根據產品的應用環境考慮，外圍干擾較強的，

建議選擇外部穩壓電源作為芯片外圍邏輯電源，OSCM 部分建議用芯片內部的 5V 穩壓電

源供電。文檔中的 OSCM 頻率計算公式是在 5V 電源才對應。OSCM 若是接 3.3V，頻率可

能會明顯偏差，或者導致其它問題，這點要注意。

關于 PCB 設計方面， RSA、RSB 是接地到濾波電解電容接地端，這段線路是大電流

線路，大于 1A 的應用電流，要考慮這部分的線徑的影響，注意最窄部分的線徑，不能單

純看到有部分線徑足夠大，就當成這段線徑都夠大。像 RSA、RSB、A+、A-、B+、B-、

VM 這些都是大電流線路，如果需要層間切換布線的，在放置過孔時建議要多放幾個，以

降低布線帶來的阻抗。

關于步進電機的速度方面，在空載啟動速度大于 60 轉時，建議做加減速控制，以免避

啟動堵轉或者丟步。帶載的則要具體測試。加減速控制，可以避免突然啟動、停止對電機

和驅動部分的沖擊，同時也可以帶來很好的驅動效果。比如緩啟、緩停。具體的可以網絡

可以到我的資料庫下載相關資料了解，有任何問題私信