矽力杰高效率DrMOS方案

大數據、云計算、人工智能的興起，通信基站、數據中心及自動駕駛等終端應用都需要耗電更大的CPU、GPU及ASIC來支持更強勁的算力需求。這對供電電壓調節模塊(VRM)提出了嚴峻挑戰，包括：更高的效率、更高的功率密度，同時滿足極高的瞬態響應要求。多相Buck電源（多相控制器+DrMOS）正是低壓、高功耗應用場景的最佳解決方案。

DrMOS

矽力杰DrMOS方案

矽力杰SQ29670是一顆單芯片SPS/DrMOS，芯片內部集成解耦電容，MOSFET，驅動及控制單元，采用業界標準封裝。通過優化的驅動和死區控制邏輯，能夠實現高效率、高功率密度以及良好的散熱性能。通過使用AutoZero運放，提供了高精度，快速響應的IMON波形。嚴密的控制和保護邏輯使其能輕松兼容主流的前級控制器，適用于CPU，GPU以及POL的電源設計。

SQ29670

16V/70A集成功率級DrMOS

◆70A連續電流輸出能力

◆集成功率MOS和驅動電路

◆開關頻率高達2.0MHz

◆內部集成的解耦電容

◆3.3V PWM輸入，兼容三態邏輯

◆5uA/A 精確電流采樣上報

◆8mV/℃ 內部溫度采樣上報

◆VDRV/VCC/VBST/VIN 欠壓保護

◆過熱保護

◆可編程的逐周期峰值電流保護和谷值電流保護

◆負電流保護

◆三態中自舉電容充電功能

◆基于TMON和IMON引腳的故障上報功能

◆業界標準的LGA5x6-41和LGA4*6-34封裝

DrMOS

典型應用

SQ29670典型應用框圖

SQ29670支持5V~16V的Vin電壓范圍。支持3.3V電平的PWM輸入信號并兼容三態輸入信號。死區時間，傳播延遲和驅動邊沿的調整使其可以高效安全運行。

SQ29670內部集成了8mV/℃的溫度傳感器并可通過TMON實時報告溫度，25℃下典型輸出電壓為800mV。TMON內部可上拉或下拉用作故障標志位，同時IMON內部可在故障時上拉或下拉到固定電平用于指示故障類型。

SQ29670可以實時采樣內部MOSFET的電流信息并重建為與電感電流成正比的三角波，內建的溫度補償使其能達到5uA/A ±5%的精度輸出。SQ29670支持包括OCP，NOCP，OTP等多種保護，以實現安全可靠運行。

SQ29670 IMON 波形

SQ29670 IMON精度曲線

SQ29670 效率曲線

SQ29670 開關波形

Silergy

Computing Power

隨著多核架構處理器的普及，微處理器（CPU/GPU等）所需的功率急劇增加，對電壓調節模塊（VRM）提出了更高的要求，傳統方案中，采用分立的上管，下管MOSFET與驅動器來搭建電路，SPS/DrMOS將MOSFET與其驅動器集成到單個芯片上，從而實現了電源的高效率和高功率密度。

SQ29670通過高度集成，與優化設計，提供了高效率的DrMOS方案，為提高電源整體效率，減小系統尺寸提供了幫助。