IBS：為什么 FD SOI對于生成式AI時代中的邊緣端設備如此重要？

（電子發燒友網原創）在2023年第八屆上海FD SOI論壇上，全球知名半導體產業研究機構IBS公司CEO Handel Jones先生，公布了對2030年前的全球半導體芯片市場的預測，同時，他也表示，在AI時代下邊緣端設備會出現高速發展，而FD SOI制造工藝對于AI邊緣芯片市場增長來說非常重要。

圖：IBS CEO Handel Jones在論壇上致詞發表對全球半導體產業的預測和看法

到2030年，IBS預測 全球半導體市場將會突破1萬億美元，雖然在2030年全球半導體市場出現了明顯的市場下滑。具體來說，AI類芯片、MOS和存儲芯片的增長幅度會最明顯。


如果只看中國市場，到2030年市場增長依然會很強勁，即使2030年也遇到很大的市場萎縮。后面會是連續7年的大幅增長，到2030年中國半導體市場將達到492,2億美元，2023年預計全年2271億美元，有超過一倍以上的增長。


市場在2023年芯片幾乎迎來了全面的產能過剩，但是在2024年Q2預計會出現反轉。對于行業來說，這是期待很久的事情。但真的會準時發生么？讓我們保持期待。

隨著28納米和22納米的FD SOI產能出現越來越多的量產芯片，產業也獲益良多。目前18納米的FD SOI技術已經在開發中，而中國市場上FD SOI的采用會更加突出。FD SOI能在高頻率連接芯片中實現更低的功耗，例如77GHz的雷達芯片已經在22納米FD SOI工藝上量產。一些大公司也宣布量產了多款可穿戴設備中的芯片。22與28納米的FD SOI工藝也在車用和通用MCU中成功部署落地，智能手機上也有毫米波傳輸芯片上用上了這種工藝，相比CMOS和FinFET，FDSOI有生產成本上的優勢，Jones在演講中介紹了這些優勢。之前在討論中的好處，現在在很多的應用中已經變成了現實。

如上圖，IBS公布了多組數據，與28納米HPC工藝對比。

CHATGPT為先鋒代表的生成式AI時代下，FD SOI尤其重要

隨著生成式AI時代的到來，AI芯片和FPGA的市場增長會更快地成長。


以產品應用來看，非AI類芯片會越來越少，而AI類芯片市場的增長會取代傳統芯片的增長，而帶動全球芯片市場的未來7年的增長。

IBS CEO Handel Jones特別指出，FD SOI有著更好的潛力來支持AI類產品，因為邊緣端的AI需要更低的功耗。以他的觀察看，18納米的FD SOI工藝能夠支持到大部分的FinFET 12、14、16納米工藝的芯片，甚至還能滿足一些7納米FinFET芯片的工藝要求。由于其工藝流程上的優勢，如更少層的掩膜步驟，該工藝能帶來更低的芯片制造成本 。再加上芯原在中國能夠提供很好的FD SOI的技術支持，芯片的設計工具總體的性能表現非常突出，產品甚至還超額滿足到了客戶的性能指標。

Jones先生最后說，FD SOI現在還存在產能不足的限制，只能被少數公司采用，如果現在提升產能，FD SOI的營收還會更高。在中國市場，IP的可獲取性也顯得更加重要。他期待將來中國市場出現更多的FD SOI的合資企業，來支撐中國市場的需求。