在電子電路中,具有動態特性的器件往往是我們難以理解和掌握的,典型的動態特性器件如電感和電容,往往在電路中電感和電容賦予一定大小等屬性, 我們總要問為什么取這個值? 而隨著疑問的解決,我們對這類器件會有更加深刻地認識,本次我們還是通過自舉電路來認識自舉電容的取值依據,我們可以了解到這個電容也不是隨便取值,它包含了一個簡單的計算原理,而這個原理我們早在初級物理中已經接觸到了。
這里我們強調一下動態器件的意義,這就是說只有變化量才能感知這個器件的存在意義,如電感是電流變化(di/dt)而存在的器件,電容則是電壓變化(dv/dt)而存在的器件。
再看看自舉電路,我們從上篇已經了解了其工作原理,那就是這種電路是專門為驅動半橋中的 浮動管或上管而設置的 ,小功率幾瓦到幾百瓦的DC-DC應用中極為廣泛,這里為什么會強調功率范圍呢?其緣由是隨著功率的增大,選用的開關管需要的驅動功率急劇增大,自舉驅動會顯得無能為力了,進而只能采用各自專門的隔離電源去驅動了,這個上篇中已提到過,如下圖是Buck電路,C1是自舉電容。
Buck DC-DC電路中的自舉電容
Buck DC-DC
集成自舉電路內部原理,其和外部自舉的原理是相同的
自舉電容的位置
我們再看看自舉電容如何取值?計算依據是什么?很簡單的公式,電荷量Q、電壓U以及電容C的關系:
電容電荷量與電壓關系
因為我們知道,驅動消耗的功率在電容上面最終是電荷量的形式,我們驅動的如MOSFET,最終在其門極是結電容造成的,而數據手冊往往會給出其在一定驅動電壓下需要的電荷量Q,如下圖是某MOSFET數據手冊中給出的門極總電荷量Qg,其值分別是在10V和4.5V下的電荷量Qg。
某MOSFET門極電荷參數
門極總電荷量測試曲線,可以看出其是門極電壓Vgs的正相關量,中間平坦區是彌勒電容造成的,其電壓被保持,但是電荷量在增加。
MOSFET門極驅動電壓和門極電荷量的關系
那么,我們計算我們的自舉電容就簡單了,通過轉換一下電容、電荷量和其電壓的基本關系就可以得到自舉電容C的計算方法
電容和電荷關系式
這里,Qg是我們驅動浮動MOSFET或高邊MOSFET的門極總電荷量;△U是電容兩端電壓的變化量,我們知道這個電壓越穩定,意味著驅動電壓越穩定,保持一定的驅動電壓意味著如MOSFET在穩定的飽和區,功率損耗越小。
常規情況下,在電容已經被充電穩定的情況下,保持電容電壓的變化或波動量在100mV到300mV是我們能夠接受的,這個值也就就是電容電壓的紋波大小。假如門極電荷量是10nC(驅動電壓是10V的情況下),我們要求驅動過程中,自舉電容的電壓變化量最大是100mV,那么自舉電容則為:
自舉電容值計算
實際中,這個電容我們通常要求采用低ESR的陶瓷電容,以便提供高質量的驅動能量,而大小則需要取值為計算值的3至5倍,這是因為電容本身會存在一定的偏差,陶瓷電容在直流偏置下容量衰減的比較厲害,即使你只使用它額定電壓的50%或更低,尤其是非C0G材質的陶瓷電容。
而我們常用的小功率DC-DC更是會給出一個典型的自舉電容,比如100nF或10nF,這個值往往都是大于計算值的,我們采用推薦值,因為這些DC-DC的MOSFET內置,多數情況下,我們無法得知這個MOSFET的特性,所以采用它們給的推薦值。
自舉電容典型的推薦值
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