TI在猶他州開始建設新的300毫米晶圓廠

在猶他州李海，德州儀器 (TI) 開始建設其 300 毫米半導體晶圓生產設施(或“晶圓廠”)。TI 總裁兼首席執行官 Haviv Ilan 在州和地方民選官員、社區領袖和猶他州州長 Spencer Cox 的陪同下，見證了 300 毫米晶圓廠 LFAB2 的首階段建設，該晶圓廠將與該組織目前在李海的工廠相連。在高峰產能下，TI 位于猶他州的兩家制造工廠建成后，每天將生產數千萬個模擬和嵌入式處理芯片。

TI于2月宣布在猶他州進行110億美元的經濟投資，這是該州有記錄以來的最高投資。預計到 2026 年，LFAB2 將創造數千個間接工作崗位，并估計將增加 800 個 TI 職位，屆時將開始初始生產。

TI 打算向阿爾卑斯學區撥款 900 萬美元，用于建立該州首個科學、技術、工程和數學 (STEM) 學習社區，為從幼兒園到 12 年級的學生提供服務。這項投資代表了TI對教育領域的奉獻。這項為期多年的計劃將為學區的教育工作者和管理人員提供以 STEM 為重點的專業發展，并將 STEM 概念更深入地融入學區 85,000 名學生的課程中。由于全區計劃，學生將通過批判性思維、協作和創造性解決問題以及其他不可或缺的 STEM 能力為畢業后的成功做好準備。

TI 一直致力于可持續和負責任的制造。LFAB2 旨在滿足能源與環境設計先鋒 (LEED) 建筑分類系統規定的最高水平的結構效率和可持續性之一，LEED 金級第 4 版將成為公司運營的最環保的晶圓廠之一。

LFAB2 旨在完全由可再生能源推動，而 Lehi 的 300 毫米先進工藝和設備將進一步減少能源、水和浪費。預計 LFAB2 的再生水速度幾乎是 TI 目前位于 Lehi 的晶圓廠的兩倍。

LFAB2 將成為 DMOS6(達拉斯)、LFAB1(猶他州李海)以及 RFAB1 和 RFAB2(均位于德克薩斯州理查森)在 TI 的 300 毫米晶圓制造基地的新增設施。在德克薩斯州謝爾曼，TI 還在建設四個新的 300 毫米晶圓制造設施(SM1、SM2、SM3 和 SM4)，并于 2025 年開始生產。

在《芯片法案》和《科學法案》的預期協助下，TI的制造擴張將確保模擬和嵌入式處理產品的穩定供應。對制造和技術的戰略性資源分配表明了該組織對長期能力規劃的奉獻精神。

審核編輯：彭菁