之前提到了CCM和CRM 的有源鉗位反激(ACF),因為反激主要用在小功率場合以及CCM反激的一些缺點,CRM的ACF應用更廣。
下面就針對CRM ACF具體的工作過程進行簡單分析(以UCC28780的控制方式為例)。
1.CRM ACF如何實現ZVS開通?開關信號由誰決定?
對于鉗位管QH的ZVS,在開關管QL關斷后的死區時間內,Iclamp會流經QH的體二極管,從而實現QH的ZVS開通;對于QL,在QH關斷后的死區時間內,Iclamp與Im相等(理想條件下),且均為負值,所以在死區時間內,Im對QL的結電容抽流,實現ZVS開通。
在控制中為了能夠恰好實現ZVS開通,可以采用自適應死區時間調整的策略,如下圖,通過檢測Vsw電壓,在Vsw電壓達到所設定的閾值之后給響應的開關管開通信號。
上述是理想情況,在實際控制中,因為Vsw是高壓信號,同時采樣高點和低點電壓不太容易實現,所以在UCC28070中,兩者是分別采樣的,Vsw高壓信號通過輔助繞組采樣,Vsw低壓信號則同通過開關節點的電壓采樣(高壓時給屏蔽掉,具體見datasheet)。
上圖分別為QL off—QH on與QH off—QL on兩個死區時間調整的示意圖,因為對于QL而言,關斷信號是由電壓環的閉環反饋信號與電流采樣信號決定,當兩者相等時,給出QL的關斷信號,然后QH的開通信號則是由實現QH的ZVS開通條件給出(Vsw大于某一值)。
而QH的關斷信號以及QL的開通信號(記兩者死區時間為tz)則不是那么確定,因為QL的ZVS既可以調節Im-(tDM)的大小,又可以調節tz的大小。
首先看QH關斷后的波形,td(dr)為關斷延遲時間,QH關斷后,Im-作為給QL抽流的電流,如果恰好能實現ZVS開通,在IM-為零時,Vsw也將為0,如下圖所示,這種方案應該是相對較優的,而在QH關斷前,Vsw=Vbulk+NVo,因為在Vsw小于Vbulk之前Im都是反向增加的,所以可以加算出下圖tz的值為:
上式中tz是隨著Vbulk的增加而減小的,所以在某一輸入電壓下可以固定tz的大小,通過調節tDM的大小實現QL的自適應的ZVS開通(如果在當前周期沒有實現ZVS,則在下一個周期增加tDM的大小,從而增加IM-;反之也可減小Im-,直至恰好實現ZVS,使損耗最小)。這里因為IM-本身較小,所以在抽流過程中不能看作是恒定值。
2.使用Si器件和GaN器件有何不同?電流跌落及其影響
Si和GaN器件的Coss差異較大,如下圖,這種差異不僅會對實現軟開關有影響,對ACF的波形也有較大影響。
如下圖所示是使用不同類型的器件工作波形的差異,從中可以看出,對于寄生電容較大的同步整流管,在QL關斷時Ipri有較大跌落,原邊使用GaN器件的跌落更是明顯,通過分析可以得到電流跌落的大小如下式:
式中Cpj為副邊開關管寄生電容反射到原邊的電容,可見原副邊結電容相差越大,電流跌落越大,這個電流跌落主要用來給原副邊結電容充電。從下圖可以看出這種跌落能夠將更多的電流傳遞至副邊,使鉗位電路流經的電流更小。
3.原邊諧振和副邊諧振有何不同?
ACF諧振方式可以分為原邊諧振和副邊諧振,其等效電路分別如下圖所示,當反射到原邊的輸出電容遠大于鉗位電容時屬于原邊諧振方式,反之則為副邊諧振方式,兩種不同諧振方式對原副邊電流波形的影響也較大。
如下圖所示是原邊諧振方式的波形(大概諧振3/4個周期,可作為設計鉗位電容的依據),如果參數設計不當,有可能會使副邊電流在一個周期內出現兩次過零,這對同步整流管的控制是非常不利的。
而副邊諧振方式則不存在此問題。從下表可以看出原副邊同時諧振的方案(副邊為主)是相對較好的,在設計過程中應當滿足諧振電流iLr能夠與勵磁電流相遇,并且通過調整諧振周期使其在勵磁電流為負時相遇,然后共同對QL抽流,以實現QL的ZVS開通。
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