美格納半導體公司宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。MXT MV MOSFET,代表美格納極限溝槽中壓MOSFET,是美格納40~200V溝槽MOSFET的尖端產品組合。
在大功率設備中,能源效率對于降低功耗和確保穩定性至關重要。利用美格納尖端的溝槽式MOSFET技術,這些新發布的第8代150V MXT MV MOSFET(MDES15N056PTRH,MDU150V113PTVRH)被創造出來。特別是,與上一代產品相比,MDES15N056PTRH的RDS(導通)(MOSFET的漏極和源極之間的電阻值)比上一代降低了22%,從而顯著提高了應用的能效。
與早期版本相比,MDES15N056PTRH和MDU150N113PTVRH的品質因數(FOM:RDS(on) x Qg)分別提高了23%和39%。這是通過增強核心單元和端接的設計來實現的。此外,D2PAK-7L (TO-263-7L) 和 PDFN56 等表面貼裝型封裝的使用減小了 MOSFET 的尺寸,從而實現了各種應用的靈活設計。這些應用的一些示例包括電機控制器、電池管理系統 (BMS)、家用太陽能逆變器和工業電源。
繼去年推出五款采用新封裝的第八代 200V 和 150V MOSFET 以及兩款新的 150V MXT MV MOSFET 產品之后,美格納現已推出另外兩款 150V MXT MV MOSFET 產品。據該公司稱,美格納將繼續擴大其高效MXT MOSFET產品組合,其中很快將包括采用180nm微細加工技術的新版本。
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