減產有成效，Q4三星NAND Flash要漲價10%，加速存儲市場反彈

電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日有消息稱，三星計劃在今年第四季度將NAND Flash產品的價格提高10%以上，預計最快會從10月開始漲價。與此同時，為了加速去庫存以配合漲價，三星自今年以來就一直對NAND閃存以及DRAM減產。

在今年第一季度財報中，半導體業務暴虧4.58萬億韓元（約合249億元人民幣）后，三星改變了此前“不減產”的承諾，表示將調整存儲芯片產量。經過半年多的減產等調控措施，從近期包括三星在內的多家存儲大廠的動作來看，存儲市場似乎即將邁入新的上行周期。

持續減產降低投資，NAND開始大幅漲價

存儲器市場是半導體周期的重要風向標之一，周期性較為突出，每次存儲器價格的下行都伴隨著主流大廠“主動”或“被動”的減產對市場價格進行調控。

三星在今年1月和今年4月分別進行了兩次產能調整，降低晶圓投入以降低NAND和DRAM產能，初期減產主要著重于DRAM。而進入下半年，隨著產能的下降，部分存儲器已經開始出現止跌的跡象。

在4月減產計劃進行三個月后，有機構估算，今年7月三星將DRAM晶圓的月產量削減至62萬片，同比減少超過12%，創下了公司近兩年來的新低，減產效果顯著。不過當時由于終端市場的需求并未恢復，盡管三星、SK海力士、美光三大存儲廠商希望在三季度拉動DRAM的合約價提高7%-8%，但市場上實質的反彈還未到來。

美光在6月的財報會議上表示，將擴大DRAM和NAND Flash的減產規模，從此前的減產25%擴大至減產30%，并持續到2024年。

SK海力士在二季度財報中提到，NAND Flash的去庫存速度相比DRAM更慢，因此公司將進一步擴大NAND Flash的減產幅度。與此同時，SK海力士的投資規模也將同比減少50%以上，產能擴充的重點也將轉移到DDR5、HBM3等未來需求上。

三星近期也繼續縮減對存儲器產能的投資。三星最大的生產基地平澤P3晶圓廠中，此前擴建計劃規模如今被縮減為原來的三分之一。三星原計劃將P3晶圓廠的產能提升至8萬片DRAM和3萬片NAND Flash，如今分別被縮減至5萬片和1萬片。

無論如何，從通過產能調控來提高市場價格的角度看，目前存儲廠商的減產措施已經有所成效。

首先是供給端，今年年初三星NAND Flash的庫存水位超過20周，最高曾高達28周，三星的目標是在今年年底實現NAND Flash的庫存正?；?，達到約6到8周的水平。存儲廠商在減產的同時，也積極與主要客戶重新談判價格，存儲器合約價自下半年以來就開始有所上漲，特別是DRAM產品中，由于供應商在價格談判中態度強硬，需求方接受漲價，三季度DDR5 DRAM合約價漲幅達到5%到10%。

而需求端方面，由于AI熱潮持續，AI服務器對DDR5、HBM等高端DRAM產品需求高漲，帶動DRAM價格率先實現反彈。同時因為預期價格的上漲，需求方也開始增加采購力度，因此將會帶動DRAM出貨以及價格的持續上漲。

一般來說，DRAM由于市面上原廠數量較少，減產帶來的去庫存漲價效應會更加顯著。所以同樣的減產策略下，NAND Flash的漲價相對來得更晚。不過在合約價上，近期有消息稱三星與多家手機廠商客戶，包括小米、OPPO、谷歌簽署了存儲芯片供應協議，DRAM和NAND Flash價格在現有合同的價格基礎上上漲10%-20%，這大概是為了四季度的整體漲價定下基調。

伴隨著芯片減產初有成效，三星預計到今年第四季度存儲器市場將迎來供不應求的狀況。

產品更新迭代進一步提高存儲市場預期

在存儲市場下行周期，存儲大廠都在削減資本支出，將資源集中在創新產品上。更高性能的存儲器產品帶來更高的附加值，也能拉高整體存儲市場的產品均價。SK海力士預計5年后AI服務器內存，包括HBM、DDR4和DDR5在整個服務器內存的市場份額將會從目前的17%提高至38%，因此更高端的存儲產品會是包括SK海力士在內，存儲廠商未來會重點關注的方向。

今年8月，SK海力士在2023閃存峰會上展示了全球首個300層以上的NAND Flash樣品。這款1Tb TLC 4D NAND Flash樣品高達321層相比上一代238層的512Gb NAND Flash效率提高了59%，通過對數據單元的堆疊突破，在單位晶圓上實現更大的存儲容量產出。

SK海力士的321層NAND Flash將會在2025年上半年開始量產，而針對更大容量的NAND Flash，SK海力士表示對應的PCIe 6.0接口和UFS 5.0規格的產品也已經在開發中。

隨后又傳出消息稱，三星計劃在2024年搶先SK海力士量產第九代300層以上的V-NAND Flash，不過三星沒有公布相關技術細節。按照三星規劃的路線圖，到2030年NAND堆疊將超過1000層，能夠更好地支持未來的數據密集型應用。

在AI熱潮下，AI加速卡以及GPU等應用對DRAM內存帶寬需求暴增，從GDDR到HBM，是順應更高的數據吞吐量而產生的技術更替。

美光在7月率先宣布向客戶提供HBM3 Gen2（同HBM3e）的樣品，具有1.2 TB/s的聚合帶寬，8高堆疊容量為24GB。未來還有12高堆疊版本，容量可達36GB，與上一代HBM2e相比，每瓦性能是上一代的2.5倍。美光還在近期確認，HBM2 Gen2 DRAM產品將會在明年年初大批量出貨交付，主要客戶包括NVIDIA。

隨后的8月，SK海力士也宣布成功開發出HBM3E DRAM，最高每秒可以處理1.15TB數據。SK海力士計劃明年上半年將HBM3E投入量產，但交付可能要稍晚于美光。

同時在移動DRAM方面，SK海力士也在今年年初宣布成功開發出LPDDR5T。相比LPDDR5X 8.5Gbps的速率，LPDDR5T再次提升了13%，達到9.6Gbps。而今年8月SK海力士宣布旗下LPDDR5T DRAM已經在聯發科新一代天璣9300平臺上完成驗證，天璣9300+LPDDR5T 將有望成為下一代旗艦手機的“標配”。

寫在最后

存儲市場的觸底比業界此前預測的來得更晚，但各大存儲原廠的大規模減產以及強硬的價格談判態度等措施的作用下，儲存市場的反彈在第四季度基本已經成為定局。不過要讓存儲市場真正邁進上行周期，僅依靠AI服務器以及汽車帶來的新需求是遠遠不夠的，最終還需要等待消費終端市場的全面復蘇。