Trench工藝和平面工藝MOS的區別

上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET，為什么有時候推薦平面工藝MOSFET呢，有時候推薦用Trench工藝MOSFET, 上海雷卯EMC小哥簡單介紹如下。

1.平面工藝與Trench溝槽工藝MOSFET區別

兩種結構圖如下：

由于結構原因，性能區別如下

（1）導通電阻

Trench工藝MOSFET具有深而窄的溝槽結構，這可以增大器件的有效通道截面積，從而降低導通電阻，能夠實現更高的電流傳輸和功率處理能力。

平面工藝MOSFET的通道結構相對較簡單，導通電阻較高。

（2）抗擊穿能力

Trench工藝MOSFET通過控制溝槽的形狀和尺寸，由于Trench工藝的深溝槽結構，漏源區域的表面積得到顯著增加。這使得MOSFET器件在承受高電壓時具有更好的耐受能力，適用于高壓應用，如電源開關、電機驅動和電源系統等。

平面工藝MOSFET相對的耐電壓較低。廣泛應用于被廣泛應用于數字和模擬電路中，微處理器，放大器，音響，逆變器，安防，報警器，卡車音響喇叭及光伏儲能上。

（3）抗漏電能力

Trench工藝MOSFET通過溝槽內的絕緣材料和襯底之間形成較大的PN結，能夠有效阻止反向漏電流的流動。因此，Trench工藝MOSFET在反向偏置下具有更好的抗漏電性能。

平面工藝MOSFET的抗漏電能力相對較弱。

（4）制造復雜度

Trench工藝MOSFET的制造過程相對復雜，包括溝槽的刻蝕、填充等步驟，增加了制造成本。平面工藝MOSFET制造工藝成熟：PLANAR平面工藝MOSFET是最早的MOSFET制造工藝之一，經過多年的發展和改進，制造工藝已經非常成熟。相關設備和技術已經得到廣泛應用和實踐，具有較高的可靠性和穩定性。

（5）看到這些方面是不是覺得溝槽工藝MOSFET 更有優勢，其實我們可以簡單理解這兩種工藝。

平面工藝就好比我們小時候的土屋，幾乎不需要挖地基純平面架構特點：成本高，內阻大，ESD能力強，屬于純力量型選手，抗沖擊力強。

Trench工藝，俗稱潛溝槽工藝，就好比我們農村的樓房，需要挖地基到一定深度，同樣的使用面積所需要的地皮少，相比平面工藝，成本略低， 同電壓平臺，內阻略小，電流大，輸出能力強，但是，抗沖擊能力也更弱，速度與力量的結合。

簡單總結就是 ：

Trench工藝 內阻低 ，高耐壓，單元芯片面積小，一致性相對差 但抗沖擊能力弱 。

平面工藝 內阻大，耐壓低，單元芯片面積大，一致性好 抗沖擊能力強。

2.至于Trench工藝為什么抗沖擊能力差

主要是：

（1）結構脆弱：Trench工藝中形成的深溝槽結構相對較細，橫向尺寸較小。這使得結構相對脆弱，容易受到機械沖擊或應力集中的影響而產生破壞。

（2）異質材料接口問題：Trench工藝通常涉及不同材料之間的接口，例如在溝槽中填充絕緣材料或襯底與溝槽之間的接觸等。這些異質材料接口會引入應力集中和接觸問題，降低了整體的抗沖擊能力。

（3）缺陷和損傷：在Trench工藝中，制造過程中可能會出現缺陷或損傷，例如溝槽表面的粗糙度、填充材料的不均勻性等。這些缺陷和損傷會導致材料強度下降，從而降低了抗沖擊能力。

3.如何選擇

選擇使用PLANAR工藝MOSFET還是Trench工藝MOSFET需要考慮以下幾個因素：

（1）功能需求：

首先需要明確所需的功能和性能要求。例如，如果需要高功率處理和低漏電流特性，

則Trench工藝MOSFET可能更適合。如果需要較高的開關速度則PLANAR工藝MOSFET可能更適合。

（2）功耗和效率：

需要考慮設備的功耗和效率需求。Trench工藝MOSFET具有較低的導通電阻適用于高效率的功率轉換應用。

PLANAR工藝MOSFET則在一些低功耗應用中表現較好。

（3）溫度特性：

需要考慮設備溫度特性等因素。取決于器件結構和材料選擇。一般來說，Trench工藝MOSFET具有較好的封裝和散熱能力，可在高溫環境下工作并具有較低的漏電流。

但一般工控上選擇推薦選擇平面工藝，因為要求穩定可靠，一致性好，抗沖擊力強，對于散熱可以采用其它措施彌補。

也就是，我使用的場合決定我們使用哪種工藝MOSFET更合適.

總之，一個新的工藝技術產生一定有它的優勢所在比如Trench，功率大，漏電小。但同時也伴有小的缺陷，比如抗沖擊力弱，一致性相對差。隨著技術的進步成熟，缺陷不斷會被大家想辦法彌補。但老的工藝雖然市場份額在不斷縮小，但它的市場需求也無法替代。

比如下面，幾種場合 使用平面工藝 產品性能會更優。

上海雷卯電子既有Trench工藝MOSFET,也有平面工藝MOSFET，這篇僅作簡單區別闡述，如需具體型號，請聯系EMC 小哥。上面闡述如果有誤，請聯系交流。