InAs/GaSb Ⅱ類超晶格長波紅外探測器研究進展

隨著材料技術的發展，InAs/GaSbⅡ類超晶格（T2SLs）的優越性日益凸顯，特別適用于中長波紅外（MLWIR）和甚長波紅外（VLWIR）探測?；贗nAs/GaSb T2SLs的光電探測器因具有俄歇復合速率較低、載流子壽命相對較長、以及吸收系數大等特點，在氣象監測、資源勘探、醫療診斷、農業等傳感應用中發揮著關鍵作用。尤其是大尺寸紅外焦平面陣列（FPA）具有更大的視場、更高的角度分辨率，適合于現場跟蹤和監視應用，一直倍受人們關注。

據麥姆斯咨詢報道，近期，昆明理工大學理學院和云南大學物理與天文學院的科研團隊在《紅外技術》期刊上發表了以“InAs/GaSb Ⅱ類超晶格長波紅外探測器研究進展”為主題的文章。該文章第一作者為昆明理工大學田亞芳實驗師，通訊作者為云南大學史衍麗研究員。

本文在深入調研InAs/GaSb T2SLs長波紅外探測器結構的發展基礎上，系統報道了以GaSb為襯底和以InAs為襯底探測器的結構設計研究進展，從暗電流密度、量子效率（QE）、響應波長等器件性能角度方面對比分析了各種結構的優缺點。

基于GaSb的T2SLs探測器

以GaSb為襯底的長波紅外探測器結構有PIN、PBIBN、NBN以及PBN型等，其吸收區材料有InAs/GaSb SLs，也有InAs/InAsSb SLs。

圖1給出了在GaSb襯底上生長的PIN結構。該結構依次包含1 μm的N型InAsSb層、50個周期的Si摻雜的13ML InAs/7ML GaSb SLs、無摻雜的2.5 mm的13ML InAs/7ML GaSbSLs吸收區、50周期的Be摻雜的13ML InAs/7ML GaSb SLs和50 nm的Be摻雜GaSb層。頂部Be摻雜的P-GaSb和底部Si摻雜的N-InAsSb用作電接觸層。

圖1 基于GaSb的PIN結構器件示意圖

經K?P模型計算，在77 K溫度時，-50 mV的反向偏壓下，該器件的暗電流密度為4.3×10?? A/cm2。研究表明，低偏壓下器件的暗電流主要因產生-復合過程而形成，高偏壓下主要由隧穿電流構成。在77 K下50%截止波長只有8 μm，且量子效率低于15%。這是因為該結構中載流子壽命很短（約1.5 ns），光生載流子的擴散長度也較短。

產生-復合和隧穿暗電流與帶隙相關，可以通過將較寬的帶隙材料插入空間電荷區來有效地抑制它們。特別對于InAs/GaSb SLs材料，可以利用InAs/GaSb/AlSb等異質結構能帶工程設計不同的勢壘結構，在有效抑制T2SLs中暗電流的基礎上提高量子效率?；赥2SLs本征材料的帶電性能和補償摻雜，Chen Jianxin團隊通過MBE生長技術，引入電子勢壘層和空穴勢壘層，設計出具有雙勢壘結構PB?IB?N光電探測器，其結構如圖2(a)所示。

圖2 基于GaSb的PB?IB?N結構的器件示意圖及其能帶結構圖

在GaSb襯底上生長1.5 μm厚的Si摻雜的N型InAs0.91Sb0.09刻蝕停止層；然后是80周期的N型摻雜的16ML InAs/4ML AlSb SLs空穴勢壘區B?，緊跟著是300周期輕P型摻雜的15ML InAs/7ML GaSb SLs吸收區，和60周期的P型摻雜的7ML InAs/7ML GaSb SLs電子勢壘區B?；最后是Be摻雜的25周期的15ML InAs/7ML GaSb SLs作為能帶接觸緩沖層，和0.05 μm厚的Be摻雜GaSb作為頂部接觸層。

圖2(b)為雙勢壘PB?IB?N探測器結構的全能帶結構圖。從K?P模型計算得到，InAs/AlSb空穴勢壘層的能帶隙為459 meV，與吸收層的導帶偏移為零，即相對于吸收層的價帶偏移約為356 meV。

經測試該PB?IB?N結構的探測器在80 K下的100%截止波長為12.5 μm，這是覆蓋長波紅外大氣窗口的技術重要波長。雖然暗電流密度在80 K、-50 mV的反向偏壓下為1.1×10?3 A/cm2，動態微分電阻面積乘積（RA）為14.5 Ωcm2，但是其量子效率提高到了30%，且比探測率D*為1.4×1011 m·Hz1/2·W?1。

除了InAs/GaSb T2SLs外，InAs/InAs???Sb? T2SLs已被證明比InAs/GaSb具有更長的載流子壽命，并已被提出作為紅外光電探測器的替代方案。與InAs（a＝6.0584?）和GaSb（a＝6.0959?）相比，InAs和InAs???Sb?（InAs0.45Sb0.55的晶格常數a＝6.3250?）化合物不是緊密晶格匹配的，其組成層厚度的改變必須仔細考慮InAs???Sb?層，在需要大量Sb的LWIR和VLWIR體系中尤其如此。因此，設計器件結構時，在保障探測器有較高的吸收系數基礎上，必須提供良好的應變平衡，以確保高質量的材料具有較長的少子擴散長度，從而實現高量子效率；此外，還需設計一個高度可控的勢壘，有效阻擋導帶中的大多數電子的同時，確保價帶中少數空穴的自由移動。為解決上述問題，可以在超晶格中加入含Sb組分較大的（x＞0.5）的InAs???Sb?合金，同時降低InAs厚度，并通過模擬計算精確控制應變平衡，這可以增加電子空穴波函數的交疊，從而得到較大的吸收系數；另外，為了在導帶中產生勢壘，在InAs中間插入一層薄薄的AlAs，由于AlAs（a＝5.6622?）與InAs（a＝6.0584?）材料之間有6.5%的晶格失配，只能使用一個或兩個單層組成的薄層。

基于上述分析，在抑制暗電流的基礎上提高量子效率和探測率，對于GaSb為襯底的探測器，USA西北大學提出了吸收區為InAs/InAs???Sbx材料的NBN（PBN）結構的探測器。在Te摻雜的N型GaSb晶圓上以MBE方式生長0.1 μm的GaSb緩沖層和0.5 μm N摻雜InAs0.91Sb0.09緩沖層，以使表面光滑；然后是0.5 μm的N+接觸層；接著是6 μm的輕摻雜N型吸收區，其材料由每周期28ML InAs/7ML InAs0.45Sb0.55的SLs組成，再是0.5 μm勢壘層，其材料由每周期6/2/6/7ML的InAs/AlAs/InAs/InAs0.45Sb0.55 SLs組成；最后是0.5 μm的N接觸層。N接觸超晶格的設計類似于吸收區SLs的設計，采用Si作為N型摻雜劑。該NBN結構如圖3所示。

圖3 基于GaSb的NBN結構器件示意圖

圖4為該NBN結構探測器的能帶結構及工作原理示意圖。從圖(a)中可以看出InAs/AlAs/InAs/InAs0.45Sb0.55 SLs勢壘阻止了大多數電子的輸運，同時允許少數空穴和光生載流子從左邊的有源區域擴散。即在具有勢壘層的超晶格中，產生了能帶對齊和有效帶隙。圖(b)中的彩色矩形表示材料的禁帶寬度。

圖4 具有NBN結構的探測器工作原理及能帶結構示意圖：(a) NBN結構的探測器工作原理示意圖；(b) NBN結構的探測器能帶結構及有效帶隙圖

經測試，該NBN結構的探測器在77 K時具有10 μm的50%截止波長，且其暗電流密度在77 K和-90 mV偏置電壓下為4.4×10?? A/cm2，而-90 mV是器件量子效率飽和的偏置電壓。動態微分電阻面積乘積RA在-90 mV偏置時達到其局部最大值119 Ωcm2。在正面光照和沒有應用任何抗反射（anti-reflection）涂層的情況下，該探測器在77 K時的飽和量子效率高達54%，這證實了材料的高質量，同時表明量子效率仍隨著器件厚度的增加而增加，此時不受少子擴散長度的限制。另外，該探測器的探測率為2.8×1011 cm·Hz1/2·W?1，且在-70~-90 mV時保持相對穩定。很顯然，該NBN結構探測器的綜合性能明顯高于之前所述的InAs/GaSb SLs探測器，這使得其成為LWIR紅外成像應用的理想選擇。

基于InAs的T2SLs探測器

盡管取得諸多進展，InAs/GaSb T2SLs光電探測器仍然存在少數載流子壽命短的問題。研究表明，T2SLs結構中少數載流子壽命短主要是由Shockley-Read-Hall（SRH）復合引起的，而SRH復合又是由材料缺陷引起的。因此，對于器件應用而言非常迫切需要生長具有高晶體完美度的低缺陷超晶格材料。傳統的InAs/GaSb超晶格大多生長在GaSb襯底上，由于InAs在GaSb襯底上受到拉伸應變，通常在InAs/GaSb界面上插入InSb單分子層來平衡應變。此外，基于GaSb的InAs/GaSb SLs的典型生長溫度約為400℃，如此低的生長溫度是缺陷密度高和少數載流子壽命短的主要原因。

為了獲得高質量的T2SLs材料并提高SRH壽命，開始了基于InAs襯底的InAs/GaAsSb SLs探測器的研究。通過在InAs襯底上生長T2SLs材料，不需要刻意的界面設計來平衡層之間的應變，這更容易生長高質量的材料，且能夠顯著提高T2SLs材料的生長溫度（約480℃）。較高的生長溫度有利于促進二維外延，提高晶體質量，還可以有效降低SRH復合概率，提高少數載流子壽命。同時，InAs層厚度主要決定了T2SLs探測器的截止波長，通過在InAs襯底上生長SLs，在每個周期內增加InAs層厚度以擴大截止波長將非常簡單。因此，基于InAs的InAs/GaAsSb SLs可以作為長波長和超長波長紅外探測器的另一種材料選擇。

為了進行應變補償，Chen Jianxin團隊在GaSb層中引入9%的As，得到與InAs襯底晶格匹配的GaAs0.09Sb0.91三元化合物。在480℃溫度下，采用MBE技術在未摻雜的N型InAs襯底上生長的T2SLs器件，其結構從下到上依次為：首先是1.0 μm厚的Si摻雜InAs緩沖層，然后是0.5 μm厚的Si摻雜20ML InAs/9ML GaAsSb SLs，接著是2.5 μm厚的非摻雜20MLInAs/9ML GaAsSb SLs吸收區，最后是0.5 μm厚的Be摻雜20ML InAs/9ML GaAsSb SLs，并在其表面覆蓋50 nm摻Be的GaSb接觸層。該PIN結構如圖5(a)所示。

圖5 基于InAs的PIN結構的器件示意圖及其能帶結構圖

應用K?P模型計算InAs/GaAs0.09Sb0.91超晶格的能帶結構如圖 5(b)所示，InAs導帶底部位于GaAs0.09Sb0.91價帶頂部下方，帶偏移能量為70 meV。因此，InAs/GaAs0.09Sb0.91異質結構仍然保持“斷隙”的Ⅱ類超晶格能帶結構，這使得我們可以通過使用與InAs/InAsSb超晶格相比相對較薄的InAs層來實現截止波長。

經測試，該PIN結構器件在80 K時具有10 μm的50%截止波長，且其暗電流密度和零偏置電阻面積（R?A）在80 K和-30 mV偏置電壓下分別為4.01×10?? A/cm2、36.9 Ωcm2。很明顯，在相同器件結構、暗電流密度相當的情況下，基于GaSb的PIN器件的50%截止波長要比基于InAs的PIN器件的短2 μm?？梢灶A見，在截止波長相同且工作溫度也相同的情況下，基于GaSb的PIN器件的暗電流密度要比基于InAs的PIN器件的高許多。其原因在于，基于InAs的器件的載流子壽命（10 ns）比基于GaSb的（1.5 ns）器件高出近7倍，而基于InAs的器件的缺陷密度比基于GaSb的器件低了一個數量級以上。所以，基于GaSb器件的產生-復合電流密度遠遠大于基于InAs器件的GR電流密度，GaSb基器件的高陷阱輔助隧穿電流主要是由于其缺陷密度高于InAs基器件。另外，該器件在80 K時量子效率為45%左右，探測率為7.4×101? cm·Hz1/2·W?1。

隨著外延和制造技術的發展，在以上的PIN結構基礎之上，2020年該團隊的Huang Min等人對以InAs為襯底、器件結構PB?IB?N（PB?ΠB?N）的InAs/GaAsSb長波紅外探測展開了研究，并研制出了大尺寸（320×256）高性能的FPA。在80 K時，該探測器100%截止波長為9.5 μm，在-0.02 V偏壓下器件顯示出1.7×10?? A/cm2的均勻暗電流和1.5×103 Ωcm2的動態微分電阻面積（RA）。在400 μs積分時間、300 K背景和F/2.0光學條件下，FPA的噪聲等效溫差和可操作性分別為20.7 mK和99.2%。該高性能FPA進一步驗證了基于InAs的InAs/GaAsSb T2SLs在LWIR檢測中的可行性。

由于GaSb和InAs的材料性質，以上這些利用InAs襯底作為N接觸的器件自然采用了P-on-N極性結構。然而為了匹配讀出電路（ROIC）的不同極性，還應設計基于InAs襯底的N-on-P極性的器件結構。此外，InAs/GaSb T2SLs長波紅外探測器器件除了以MBE的方式生長外，還可以以金屬有機化學氣象沉積（MOCVD）的方式生長，且該方式的生長溫度高（530℃），有利于生長高質量的器件材料。2020年中科院蘇州納米研究所的Teng Yan等人報道了利用MOCVD在InAs襯底上生長InAs/GaSb T2SLs，實現了具有N-on-P極性的高性能長波紅外探測器，以滿足不同外圍電路的需求。在MOCVD生長的InAs基InAs/GaSb T2SLs探測器中，鋅（Zn）被作為P型摻雜劑，但由于其高擴散率可能會破壞異質結并降低器件性能（造成高泄漏電流），因此在P型區域生長后插入未摻雜的T2SLs間隔層，以防止Zn擴散到勢壘層。

通過MOCVD生長在InAs襯底上的具有N-on-P極性的InAs/GaSb器件結構如圖6所示，從下到上依次包含：200 nm厚的P-MWSL接觸層（P＝1×101? cm?3），200 nm厚的未摻雜的MWSL間隔層，200 nm厚的N-MWSL勢壘層（N＝2×101?cm?3），1.0 μm厚的N-LWSL吸收區（N＝2×101? cm?3），最后是20 nm厚的高摻雜頂部接觸層（N＝1×101? cm?3）。其中，P-MWSL和N-MWSL由6ML InAs/8ML GaSb SLs組成，截止波長為4 μm；N-LWSL吸收區由20ML InAs/8ML GaSb SLs組成，截止波長為10 μm。

圖6 基于InAs的N-on-P極性結構器件示意圖

經測試，該N-on-P極性的器件在80 K時100%截止波長為12 μm，-0.1 V偏壓下，暗電流密度為6.0×10?? A/cm2，探測率為8.3×101? cm·Hz1/2·W?1?？梢?，該器件表現出了與P-on-N器件相當的性能。但是，其量子效率并不高（24%）。

量子效率和暗電流的改進

對于LWIR光電探測器來說，量子效率和暗電流是實現高探測率的兩個關鍵參數。T2SLs光電探測器電學性能雖然可以通過增加勢壘層的結構設計而得到很大的改善，但仍存在吸收系數有限、反射損失等問題，這使得難以實現高量子效率，同時還需要盡可能地減小暗電流。為了提高器件性能，除了以上從器件結構設計上進行優化之外，還可以從物理光學的角度引入微結構設計，同時從制備工藝方面進行優化，如刻蝕，以提高器件性能。

為提高器件的量子效率，Zhou Yi等人通過實驗和模擬計算的方法，研究一組不同吸收區厚度的基于InAs襯底的InAs/GaAsSb T2SLs LWIR探測器時，觀察到了高量子效率（高于65%）。研究發現增強的光學響應主要歸因于高N摻雜InAs緩沖層與T2SLs之間的折射率差異，引起多重反射和雙層薄膜干涉，形成諧振腔效應，這不僅增加了入射光的傳播路徑，而且在某些波長處大大降低了表面反射損失，從而導致光在SLs材料中的收集，并有效地增強光吸收。此外，該研究工作通過調整InAs緩沖層的摻雜濃度進一步降低緩沖層的折射率，成功實現了一個高QE（大于65%）的基于InAs的T2SLs LWIR探測器，該探測器吸收區域薄至3.55 μm，且沒有任何AR涂層。該研究結果提供了一種簡單而有效的方法來提高薄膜光電探測器的光學吸收，尤其是對于吸收系數低的材料。此基于InAs的InAs/GaAsSb探測器為如圖7所示的PBIBN結構。

圖7 高摻雜緩沖層的PBIBN結構器件示意圖

在480℃溫度下，以MBE方式在N型InAs襯底上生長1.2 μm Si摻雜（N＝2×101? cm?3）的InAs緩沖層，然后是35周期Si摻雜（N＝1.5×101? cm?3）的13ML InAs/5ML GaAsSb N型SLs，一個空穴勢壘和梯度勢壘，3.55 μm厚的Be摻雜（N＝2.5×101? cm?3）的22ML InAs/9ML GaAsSb SLs吸收區，一個電子勢壘和20周期Be摻雜（P＝1×101? cm?3）的22ML InAs/9ML GaAsSb P型SLs，最后在其頂部添加一薄的Be摻雜（P＝1×101? cm?3）InAs接觸層。

除了以重摻雜緩沖層的方式在緩沖層與T2SLs之間形成大的折射率差、引起多重反射和雙層薄膜干涉、從而有效地增強光吸收之外，還可以采用物理氣相沉積（PVD）方法在去除襯底之后的緩沖層表面沉積多層薄膜，使探測器與多層薄膜結合形成F-P腔共振，通過入射光與探測器的耦合激發共振效應，能調控器件50%的截止波長；同時，多層薄膜也會影響入射光在器件表面的反射，從而提高了器件光譜響應。由于硫化鋅（ZnS）和鍺（Ge）或它們的組合對長波紅外輻射沒有吸收或吸收微弱，因此長波InAs/GaSb T2SLs紅外FPA的設計和生長多采用由ZnS和Ge組成的多層薄膜結構。

SHI Rui等人通過仿真與實驗的方法建立的多層膜結構的器件模型如圖 8所示。在該模型中，采用完全匹配層（PML）作為分析電磁散射問題的吸收邊界條件，且在相鄰像素之間使用周期邊界條件。器件的電極材料為金（Au），本征吸收材料為14ML InAs/7ML GaSb的T2SLs，采用PVD方法在InAsSb緩沖層表面沉積了由ZnS和Ge組成的多層涂層。實驗表明，與沒有多層薄膜的FPA相比，多層薄膜使其響應峰位置從8.7 μm和10.3 μm擴展到9.8 μm和11.7 μm，50%響應截止波長從11.6 μm移動到12.3 μm，并且在波長為12 μm處的響應強度增加了69%?？梢?，優化的多層薄膜不僅可以調控FPA的響應波長，還可以增強光譜響應，這種微結構設計為實現更高靈敏度和更高成像能力的長波紅外探測器提供了更好的平臺。

圖8 多層薄膜結構的器件模型：(a) 3D結構示意圖；(b) 背入射的中心截面圖

InAs/GaSb T2SLs雖然被認為是第三代高性能LWIR探測器FPA的最佳候選材料，但FPA的臺面型結構使得探測器表面電流不可忽視，該表面電流是暗電流的重要組成部分。表面電流來自于探測器側壁表面，被認為是來自于臺面形成過程中周期性晶體結構的突然終止，導致側壁表面附近的能帶彎曲，使得多數載流子積聚或電導率類型反轉。濕法刻蝕和干法刻蝕均可用于InAs/GaSb超晶格FPA的臺面形成，而消除壁面游離Sb和GaSb是優化刻蝕工藝的關鍵。研究認為，在濕法刻蝕過程中，游離Sb會在表面形成，從而在表面產生電流通道；而電感耦合等離子體（ICP）干法刻蝕由于其各向異性，在刻蝕過程中能去除游離的Sb和GaSb，從而減少暗電流，且提高ICP的溫度有助于刻蝕副產品汽化，防止游離Sb和GaSb在側壁表面形成。此外，在170℃的ICP刻蝕不僅可以使器件暗電流密度降到1×10?? A/cm，而且還能得到接近垂直的光滑側壁，這對于具有小像素間距的大陣列FPA是非常必要的。

綜上所述，基于GaSb與基于InAs的InAs/GaSb T2SLs長波紅外探測器，目前基本上有以上5種典型器件結構及相應材料參數。不同的材料和不同的結構參數，對應于不同器件性能?；谝陨?種典型器件結構及相應材料參數，整理性能參數對比如表 1所示。表中所有性能參數均是在75~80 K溫度范圍內測得。需要特別說明的是，InAs-substrate的PB?IB?N結構的探測器暗電流密度和量子效率是器件經過了微結構處理和ICP刻蝕工藝之后測得的。

表1 不同結構的GaSb/InAs探測器性能參數對比

從表中可以看出，對基于GaSb的探測器而言，PB?IB?N結構器件的量子效率高出PIN結構器件的一倍，但同時其暗電流密度明顯增大；而NBN結構探測器的綜合性能顯著高于前兩者。此外，InAs/GaSbⅡ類超晶格長波紅外探測的結構，從最初的以GaSb為襯底的PIN結構發展到現在的以InAs為襯底的PB?IB?N結構，其截止波長、暗電流密度及量子效率均有顯著的改善。產生這一現象的主要原因是在InAs襯底上生長T2SLs材料時，不需要刻意的界面設計來平衡層之間的應變，這使得生長高質量的材料相對于在GaSb襯底上的更容易，且能夠提高T2SLs材料的生長溫度，較高的生長溫度有利于促進二維外延，提高晶體質量；同時，InAs層厚度主要決定了T2SLs探測器的截止波長，通過在InAs襯底上生長SLs，在每個周期內增加InAs層厚度以擴大截止波長也變得相對簡單。

發展趨勢

InAs/GaSb T2SLs長波紅外探測器在短短十幾年內取得了快速發展，隨著新型器件結構的創新、材料生長技術的優化和器件制備工藝的完善，InAs/GaSb T2SLs紅外探測器在性能提升、高溫工作、多色探測等方面將得到進一步的發展：

1）生長機理探索，MBE生長技術優化。InAs/GaSb T2SLs長波紅外探測器性能主要受制于材料質量而非理論預測。面對AlSb、GaSb、InSb等Sb化物的反常生長速率，探索Sb化物的MBE生長機理已成為提高器件性能亟待解決的問題；同時需要進一步優化MBE生長技術，提高生長溫度，降低材料缺陷密度，提升材料的生長質量，從而降低器件的暗電流和提高量子效率。

2）采用光學調控，發展鈍化技術。除了在能帶結構及材料生長領域進行不斷的研究以優化器件性能外，光學調控也是非常有效的一種方法。光學調控通常采用表面微納結構，如光子晶體、陷光結構、表面等離子體增強等，調控入射光的空間分布，提高器件對紅外光的吸收和相應光譜的變化；另外，還需發展新型鈍化技術，進一步抑制探測器表面漏電，對于FPA尤其需要尋找更合適的鈍化工藝。

3）發展HOT器件，實現高溫探測?，F有的InAs/GaSb T2SLs長波紅外探測器均是制冷型器件，體積大使得移動受限，同時成本也高。已有報道實現了室溫下（300 K）InAs/GaSb T2SLs短波紅外探測器的應用，但實現高溫（150 K）乃至室溫下的長波探測，InAs/GaSb T2SLs紅外探測器仍然面臨很大的技術挑戰。

4）拓寬成像譜域，實現多色探測。InAs/GaSb T2SLs紅外探測器不僅在改進單色探測器性能方面逐步成熟，同時，在雙色紅外探測成像方面也取得一系列的進展。多色探測能同時得到不同波段的光譜信息，顯著提高對目標物的識別與跟蹤，且該技術還能夠提供先進的彩色處理算法以進一步提高靈敏度，使其高于單色成像儀。InAs/GaSb T2SLs多色長波紅外探測器的產業化具備廣闊的前景，將成為新一代紅外探測系統最有力的競爭者。

總結

InAs/GaSb T2SLs長波紅外探測器的襯底材料有GaSb和InAs兩種，本文系統報道了基于這兩種襯底的器件結構設計的研究進展。器件結構從最初的PIN（PΠN）發展到現在的NBN（PBN）和PB?IB?N（PB?ΠB?N）結構，其吸收區材料從InAs/GaSb改善到InAs/InAs???Sb?或InAs/GaAs???Sb?，隨著器件結構的優化探測器性能也得到大幅提升。綜合考慮截止波長、暗電流和量子效率等相關因素，以InAs為襯底、吸收區材料為InAs/InAs???Sb?、結構為PB?IB?N型的長波紅外探測器體現出較好的器件性能。再結合ZnS和Ge多層膜的微結構設計或者重摻雜緩沖層，同時采用ICP干法刻蝕工藝，該器件的50%截止波長達到12 μm，量子效率提升到65%以上，暗電流密度降低到1×10??A/cm2。與此同時，與Sb基能帶工程相關的物理學將給InAs/GaSb T2SLs長波紅外探測器結構帶來新的性能提升，對應的FPA在可操作性、空間均勻、可擴展性等方面將表現越來越出色。

這項研究獲得云南貴金屬實驗室科技計劃項目（YPML-2022050220）的資助和支持。

審核編輯：湯梓紅