SLH60R028E7是一款600V N溝道多層外延工藝的超結MOS,由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大,故在高壓領域,普通MOSFET導通阻抗大,難以滿足實際應用需要。超結MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性,對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸,其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。
封裝
特性
美浦森SJ-MOSFET采用了國際先進的多層外延工藝,RSP水平與國際主流品牌相當。
該工藝的超結MOS產品應用可靠性更高,EAS及EMI通過性更好。
具有內阻低,抗沖擊能力強,結電容低,可靠性高,品質穩定等特點。入偏置電流:1nA(最大值)
應用范圍
● LED電源 | ● PD電源 |
● PC和服務器電源 | ● 光伏逆變 |
● UPS | ● 充電樁 |
● 智能家居 | ● BLDC |
● BMS | ● 小家電 |
主要器件
產品型號 | 封裝外形 | 導通電阻-RDS (On) [R](Max) |
SLH60R043E7D | TO-247 | 0.043 |
SLH60R041GTDI | TO-247 | 0.041 |
SLH60R040E7 | TO-247 | 0.040 |
SLH60R030E7D | TO-247 | 0.030 |
SLH60R028E7 | TO-247 | 0.028 |
SLH65R039GTDI | TO-247 | 0.039 |
相關應用
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