睿創微納研制成功K波段衛通相控陣平板天線子陣試驗樣機

近日，睿創微納全資子公司英飛睿研制成功K波段衛通相控陣平板天線子陣試驗樣機，實現了雙波束衛星相控陣子陣的工程化突破。

雙波束控制的實現，使得終端設備可以更好地滿足與星座系統中多顆衛星保持鏈接的需求，增強設備聯通效率，擴展網絡覆蓋，降低通信延遲。

△樣機暗室測試

△樣機實物圖

該子陣樣機已完成暗室校準測試工作，子陣設計為圓極化，通過對子陣垂直極化和水平極化的方向圖校準測試，合成圓極化方向圖。通過測試和校準軸比，達到了設計指標要求。

△天線子陣技術指標

△圓極化方位掃描方向圖

△19.1GHz 垂直/水平/圓極化H面掃描方向圖

△垂直/水平/圓極化 （法向）

此次突破的核心是采用睿創微納子公司芯揚聚陣研制的K波段8通道雙波束模擬相控陣接收芯片。該芯片在多通道、多波束、小尺寸、低功耗等方面實現了技術突破，性能已達到國內先進水平，為后續產品的研制開發奠定了堅實基礎。FA8261 K波段8通道

模擬相控陣接收芯片技術指標

接收通道路數：8路/線極化
輸出波束路數：2波束
信號頻率范圍：17.5~21.2GHz
溫度傳感器精度：±2.5°C
單路輸入P-1dB：-28dBm
單路增益：12~25.5dB可調
增益溫度穩定性：±2dB@-45~125°C
帶內雜散：≤-70dBc
噪聲系數：≤4dB
移相范圍：360°
移相精度：5.625°
移相RMS誤差：≤2°
衰減范圍：0~15.5dB@0.5dB步進
RMS衰減精度：0.3dB
通道間相位一致性：≤5°
通道隔離度：≥30dB
控制接口：SPI
控制響應時間：1.5ns
工作電壓：2V
芯片功耗：0.41W/雙波束工作狀態

芯片尺寸：6.4mm×5.2mm

英飛睿是睿創微納全資子公司，業務主要布局微波T/R組件和相控陣天線子陣，具備完整的研發和生產能力?？上蚩蛻籼峁┫盗形⒉?、毫米波T/R組件和相控陣天線子陣產品，主要覆蓋X、Ku、K、Ka波段，可廣泛應用于相控陣雷達、衛通地面終端、衛星載荷及5G/6G NTN通信等領域。公司擁有T/R組件自動化制造與檢驗平臺、近遠場微波暗室等配套設施，目前批量產能可達20萬通道/年，核心技術自主可控，產品性能達到國內領先水平。 英飛睿將繼續加大衛星通信領域的投入，積極參與產業建設，推進技術創新，以開放合作的態度，與更多伙伴一起攜手，共同推動行業蓬勃發展。

審核編輯：彭菁