Nexperia （安世半導體）推出新款600 V單管IGBT，可在電源應用中實現出色效率
IGBT是一項相對成熟的技術。盡管如此，這些器件的市場預計將隨著太陽能面板和電動汽車(EV)充電器的日益普及而有所增長。Nexperia 的600 V IGBT采用穩健、經濟高效的載流子儲存溝槽柵場截止(FS)結構，在最高175℃的工作溫度下可提供超低導通和開關損耗性能與高耐用性。這可提高功率逆變器、感應加熱器、焊接設備和工業應用（如電機驅動和伺服、機器人、電梯、機器操作手和工業自動化等）的效率和可靠性。
設計人員可以在中速(M3)和高速(H3)系列IGBT之間自由選擇。這些IGBT采用非常緊密的參數分布設計，允許多個器件安全地并聯連接。此外，與競品器件相比其熱阻更低，因此能夠提（找元器件現貨上唯樣商城）供更高的輸出功率。這些IGBT還并聯了全電流反向軟快恢復二極管。這意味著它們適用于逆變器，整流器及雙向變換電路應用，在過流條件下更加穩健。
Nexperia絕緣柵雙極晶體管和模塊業務部門總經理Ke Jiang博士表示：“Nexperia通過發布IGBT，為設計人員提供了更多的電源開關器件選擇，以滿足廣泛的電源應用需求。IGBT是對Nexperia現有的CMOS和寬帶隙開關器件系列產品的理想補充，Nexperia由此可為功率電子設計師提供一站式服務?！?/p>
這些IGBT采用無鉛TO247-3L標準封裝，并通過嚴苛的HV-H3TRB質量標準，適合室外應用。Nexperia計劃在本次產品發布后將推出1200 V IGBT系列器件。
審核編輯 黃宇
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