三星分享2nm 1.4nm以及5nm射頻計劃

三星在2023年年度三星代工論壇(SFF)上公布了更新的制造技術路線圖。該公司有望分別于2025年和2027年在其2納米和1.4納米級節點上生產芯片。此外，該公司還計劃在未來幾年增加領先的5納米級射頻制造工藝并開始生產GaN芯片。

與SF3（第二代 3nm 級）相比（在相同晶體管數量下），三星預計其 SF2（2nm 級）制造技術可將功率效率提高 25%（在相同頻率和晶體管數量下），將性能提高 12%（在相同功率和復雜性下），并將面積減少 5%該公司。該公司將于 2025 年開始在 2nm 節點上制造移動 SoC，并于 2026 年跟進 HPC 增強型 SF2P 節點同時，SF1.4（1.4nm級）制造工藝預計將于2027年提供給三星客戶。

為了使其SF2節點更具競爭力，三星打算確保其客戶很快就能獲得一系列高質量的SF2 IP，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等接口。

除了為智能手機、客戶端PC和數據中心SoC提供領先技術外，三星還計劃在未來幾年提供專門的制造工藝。其中包括2027年為汽車應用量身定制的SF2A，以及2025年的5nm射頻(RF)節點。與當前一代14nm RF工藝相比，即將推出的5nm RF預計將功率效率提高40%，并將晶體管密度提高約50%。

三星還計劃于2025年開始生產氮化鎵(GaN)功率半導體。這些芯片將面向各種應用，從消費電子產品到數據中心和汽車行業。

三星代工廠不僅專注于擴大其技術組合，還致力于增強其在美國和韓國的制造能力。該公司計劃于 2023 年下半年在平澤 3 號生產線(P3)開始大批量生產芯片。至于位于德克薩斯州泰勒的工廠，預計將于今年年底完成建設，其預計將于 2024 年下半年開始運營。

作為其宏偉目標的一部分，三星計劃到2027年將其潔凈室總產能提高7.3倍，與2021年擁有的產能相比大幅增長。

審核編輯：劉清