IR21814后面接推挽放電電路。不同的是,為了MOS管的可靠關斷,在推挽后面增加負壓電路,C338/D318和C340/D322。當DCPWM1A輸入為高電平時,推挽輸出高電平信號DCDC_DRA以驅動MOS管, 此時電源VCC_FAN按照下圖紅色路徑對電容C338充電(被3.3V的穩壓管D318鉗位),1端電壓比2端高3.3V。MOS管關斷時,驅動電壓通過下圖藍色路徑放電。在MOS關斷期間,C338上儲存的電荷對驅動形成負壓,保證MOS管的可靠關斷,防止誤開通。
MOS管開通時的充電電阻、關斷時的放電電阻根據所選的MOS管選擇,并結合實際調試情況決定。是否增加MOS管的吸收電路根據所選擇MOS管的開關速度決定,一般來說,開關速度較快的MOS管需要增加吸收電路。
圖1 驅動電路原理圖
1. 有負壓的驅動電路工作原理
如圖12所示,c340為隔直電容,當Q304導通,電源通過c340、r348向MOS管GS充電,同時電容c340兩端也累積電荷,在C340兩端形成左+右-的電壓,由于在GS并聯一電阻R178和R159(約4.7K),在Q304導通期間,將持續正向充電, 因為開關頻率較高,隨著工作時間的延長,C340兩端電壓的逐漸升高,
為了得到一持續的負壓,我們選擇并聯一齊納二極管D322,達到D322的穩壓值時3.3V,D322開始將C340箝位到3.3V電壓,此時加到MOS管兩端的電壓為:Vdrv=13.5V-3.3V=10.2V ,DCMOS開始導通;在MOSFET導通的時間里,驅動為持續高電平,由于R178的存在,穩壓管D322中會存在一個持續的Iz電流用以維持穩定的鉗位電壓;當Q304關斷、Q306開通,MOS管Cgs放電,c340反向充電,在關斷時產生約為:3.3V-0.7V=2.6V的負向電壓,保證MOS的有效關斷;經過若干個開關周期,c340兩端電壓達到穩定。為取得合適的驅動電平,在c340兩端并聯合適的穩壓二極管D322。
這個負壓電路,不僅可以提高驅動的可靠性,而且也降低了驅動的正電平,10V左右的電平驅動能過有效的減小驅動損耗,減小MOSFET的導通損耗,提高效率。
R388和C336組成的RC用來吸收高頻開關ds耦合到gs上的尖峰,防止驅動誤開通,RC的數值可以根據MOSFET的類型,PCB的走線,拓撲形式等調節大小或者去掉。
2. 隔直電容選擇
隔直電容一般在幾微法到幾十微法,需結合考慮驅動電流大小和負載阻抗的匹配,以及驅動開關頻率的范圍。與隔直電容匹配的負載阻抗,需注意MOS管GS并聯電阻,若無該電阻,則不能實現隔直的效果。
由于DCDC開關頻率為80k~250kHz,隔直電容和后面MOSFET的GS端的并聯電阻組成的高通濾波器的截止頻率應該遠低于DCDC的開關頻率(至少10倍),即
才能保證驅動高頻的驅動信號能夠傳遞,另外,若隔直電容太小,則當驅動關斷時,GS間電容放電時,隔直電容則容易被反向充電,鉗位二極管不能起到很好的鉗位作用。由于我們采用的是47N60CFD,根據datasheet,Qgs=54nC,假設我們希望鉗位電壓的穩壓精度在1%(我們采用的為3.3V穩壓管),則隔直電容的大小至少為
我們取2.2uF,隔直電容取的太大則會影響電容電壓建立的時間,時間太長,則會影響模塊的可靠性。
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