上節我們認識了開關管的第一種電壓尖峰的抑制手段,就是利用TVS或者穩壓管工作時的電流再次對開關管的門極進行充電,讓開關管的門極的變化不在劇烈,因此能讓開關管的電壓尖峰抑制到合理的范圍。開關管還有其他的電壓尖峰抑制方式嗎?
答案是肯定有的,我們這節就要進行詳細的講解。
這種方法就是利用電阻對電壓尖峰進行分壓,然后把這個分壓電壓與提前設置的一個參考電壓比較,讓比較輸出的電壓去控制一個PMOS,讓PMOS投切電源進行門極的在充電,目的也是和上節的一樣,就是讓關斷的電壓降落的更緩慢點,不至于讓電壓尖峰產生很大的值損壞開關管。至于參考電壓的值,也是根據電壓尖峰電阻分壓計算的,需要假定最大可忍受的電壓尖峰值,根據此值進行分壓計算。
我們這里還是利用上節的原理圖進行講解
160V電壓尖峰演示電路
160V電壓尖峰
根據上面的原理我們搭建原理圖如圖所示
第二種抑制方案
我們假設我們能忍受的最大的電壓尖峰為80V,根據14.4K和100K電阻分壓就可以大概獲得10V,因此我們把10V設置為最大電壓尖峰的閾值,只要工作時,電壓尖峰的分壓超過10V,我們的電壓尖峰抑制電路開始工作,進而抑制電壓尖峰。
電壓尖峰被抑制住到了90V附近
實驗的結果表明,電壓尖峰果然被抑制了,但是和我們設計的80V有點偏差,這個偏差實際和我們選擇的控制電路中的運放和PMOS管的型號有很大關系,運放需要找個高速的運放,高速的運放能降低控制過程的時間,讓控制信號能正常的發揮作用,判斷一個運放是不是高速運放最直接的參數就是壓擺率SR,通常的單位為有伏每秒(v/s)、伏每毫秒(v/ms)、伏每微秒(v/us),高速運放的都是伏每微秒級別的,我們最開始的仿真使用的運放也是個高速運放,壓擺率為1500v/us,但是我們還看到控制的電壓尖峰的與設計的還是有偏差,因此我們決定在來個更狠的運放,直接2500v/us,仿真結果顯示電壓尖峰被抑制到了82V左右,
高速運放電壓尖峰被抑制到了82V
但是還和我們的預設的電壓尖峰有偏差,不過變小了,偏差的原因現在就不能在換更高高速的運放了,因為成本太高了,其實我們剛才的運放的成本就很高了,30多塊一顆,如果各位觀眾老爺是土豪,就當我沒說
其實這個偏差一部分也是由于這個PMOS造成的,我們最開始使用的PMOS的導通電阻大概是16.5mΩ,隨后我們換一個更小的導通的電阻的PMOS,大概是9.6mΩ,我們再來看下仿真結果,關斷尖峰大概就是80V了,基本滿足預期了
關斷電壓尖峰為80V左右
我們為什么選擇導通電阻更小的PMOS呢?因為導通電阻越小的話,一般就是耐壓低的開關管(但也不是絕對,也要看管子的工藝了,有的耐壓低的也有大的導通電阻),耐壓低的開關管,對應的開通閾值更低,只要門極電壓小幅度變化就能導致管子的的阻抗較小的變化。
門極電壓小幅度變化就能導致管子的的阻抗較小的變化不好理解?你可以這樣理解,不論高低壓的管子,他們的最大阻抗認為一樣,門極控制電壓最大都為15V,高壓的管子的開通閾值高,低壓的管子的開通閾值低,那么高壓的管子可以調節的電壓范圍就比低壓的窄,因為開通的閾值大,開通閾值相對15V的范圍就小,兩者之差我們記為V,最大阻抗除于前面說的這個調節電壓范圍V,這個比值是不是耐壓低的管子的更小,因此單位控制電壓變化導致管子的阻抗變化的范圍更小,也可以這樣說,低壓開關管調節的更精細。
因此選擇低壓并且導通阻抗小的PMOS就能抑制抑制電壓尖峰到我們設計的地方。
至此,我們的第二種電壓尖峰的方案講解完畢,但是該方案也有個缺點,就是會存在一個門極振蕩,門極振蕩導致電壓尖峰振蕩的問題,
電壓尖峰抑制振蕩
至于這個振蕩問題的解決,請聽下回分解!
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