羅姆SiC-MOSFET開(kāi)發(fā)板開(kāi)箱測試

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上周收到了羅姆的評估板，初步分析看了下需要做的技術(shù)準備工作較多，同時(shí)也需要自己設計方案，需要的時(shí)間較多。所以先寫(xiě)一個(gè)測試計劃。收到的產(chǎn)品外觀(guān)如下：

這兩天做了一部分的準備工作：

控制電路板：

這是一款STM32F4系列的開(kāi)發(fā)板，具有多個(gè)PWM通道信號，滿(mǎn)足評估板發(fā)波控制電源應用要求。

同時(shí)準備了兩塊散熱器，評估的碳化硅器件有2種:SCT3040KR和SCT3040KL。散熱器這兩天在單位的機床上自己轉孔，弄得不好，后面干脆兩個(gè)器件一個(gè)背一個(gè)散熱器好了。

評估板上配置豐富，提供多種接口?？次臋n這塊電路板可以評估多種電路拓撲，文檔寫(xiě)了主要可進(jìn)行半橋式電路評估，半橋式開(kāi)關(guān)電源的特點(diǎn)在于原邊開(kāi)關(guān)元件的電壓應力，減少開(kāi)關(guān)損耗，可以有效提高各類(lèi)電子元器件的使用壽命。同時(shí)由于電路使用了兩個(gè)開(kāi)關(guān)管，非常推薦應用在中小功率隔離開(kāi)關(guān)電源中，更具備成本優(yōu)勢，其電路原理圖如下。

半橋電路電路的工作原理是這樣，不對稱(chēng)半橋式開(kāi)關(guān)電源中，整個(gè)電路的核心部件是通過(guò)兩個(gè)mos管組成半橋電路，兩個(gè)MOS管交替進(jìn)行通斷操作，驅動(dòng)副邊兩個(gè)繞組工作。當原邊的上MOS管導通，下MOS管截止時(shí)，原邊承受電壓，此時(shí)副邊上繞組導通，上半部二極管導通，下半部二極管截止，輸出電壓形成環(huán)路。當原邊上MOS管截止，下MOS管導通時(shí)，隔直電容作用于原邊，此時(shí)副邊下繞組導通，下半部二極管導通，上半部二極管截止，輸出電壓形成環(huán)路。

這個(gè)電路的特點(diǎn)是適合中小功率的風(fēng)電驅動(dòng)應用，同時(shí)也相對有成本優(yōu)勢。

評估板主要提供驅動(dòng)部分電路，控制則有STM32實(shí)現。查看電路，還有很多外部器件還要準備，還得找找器件來(lái)搭一搭，找地方弄弄這東西。

完整環(huán)境搭建

整個(gè)電路板簡(jiǎn)明易懂的電路拓撲如下：

電路板的應用需要先測試控制信號，其控制IC為BD7F200，其發(fā)波設置也有很多種方式。整個(gè)電路板還有很多細節需要推敲，研究?jì)r(jià)值非常大，可以做的東西很多，后續繼續補充，這塊電路的設計可以滿(mǎn)足很多實(shí)驗環(huán)境的搭建，后續努力實(shí)現。

審核編輯：湯梓紅