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DDR4與DDR5內存模塊的主要區別

ACS 安費諾信息通信 ? 來源:ACS 安費諾信息通信 ? 2023-02-07 18:07 ? 次閱讀

數據及其相關存儲對于所有計算應用程序都至關重要,無論是筆記本電腦、便攜式電腦還是尖端服務器和數據中心。所有領導智慧城市發展的現代技術,例如5G、物聯網、工廠自動化以及無人駕駛汽車等,均依賴于數據存儲及數據處理。

在數據管理方面,內存模塊無疑發揮著無可替代的作用。這些集成電路內存芯片可安裝在小型電路板上,并采用預定義的設計規格和功能。工程師們可以根據這些預定義的規格和功能,將內存芯片用于各類應用場景。在標準定義的范圍內,內存模塊一直在不斷更新迭代。

與此同時,內存模塊也廣泛用于各種數據設備和通信設備,例如個人電腦、筆記本電腦、平板電腦,以及數據中心、網絡連接儲存(Network-Attached Storage,NAS)設備和工業計算機等。

DDR4與DDR5主要區別

DDR5采用當今前沿和先進的規格標準,可滿足AI、機器學習以及頂級數據中心和云環境對高性能計算不斷增長的需求。我們的DDR5連接器主要針對高密度和高速連接場景,嚴格符合JEDEC SO-024和JEDEC MO-337規范。

DDR5連接器

DDR4內存模塊旨在支持在各類現代應用場景中輕松擴展內存,包括服務器、工作站和臺式計算機,以及通信和工業設備中的嵌入式應用。JEDEC稱DDR4在速度及性能規格方面均屬歷來之最,直到其下一代DDR5橫空出世。

DDR4內存模塊

除此之外,DDR4和DDR5在間距尺寸、接觸位置及插槽尺寸方面相差不大。

DDR5最新規格的鍵槽寬度為3.875毫米,同DDR4相比(5.575毫米)略有差別。就插槽尺寸而言,DDR5的長寬均發生了明顯變化,分別為133.75+0.30/-0.10毫米和1.45+0.05/-0.07毫米,而DDR4的長寬分別為133.75+/-0.10毫米和1.58+0.05/-0.07毫米。

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圖1和表1:DDR5內存模塊和DDR4內存模塊之間的對比

安費諾垂直0.85毫米間距DDR5 DIMM插槽提供288個觸點,專用于插接符合JEDEC MO-329標準的DDR5內存模塊。安費諾DDR5產品還包括標準版和窄插銷版。由于DIMM插槽需要并排放置,因此窄插銷版產品有助于增加空氣流通。

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安費諾DDR5 SO-DIMM連接器具有262個觸點,工作電壓為1.1伏,傳輸速度為6.4Gb每秒,而DDR4 SO-DIMM連接器具有260個觸點,工作電壓為1.2伏,傳輸速度為3.2Gb每秒,相比之下得到了明顯提升。

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表2:DDR5 SODIMM內存模塊和DDR4 SODIMM內存模塊的對比

此外,DDR5 SODIMM連接器對座深和鍵槽寬度也做了改進,分別為3.95毫米和1.25毫米,而DDR4分別為3.90毫米和3.50毫米。

DDR4和DDR5均具有低功耗性能,并能有效地改善熱管理。不同的鍵控位置有助于確保準確配接連接器,從而防止發生錯配。

總而言之,這兩款不同規格的連接器之間最大的區別無疑是數據傳輸速度得到了大幅提升。在單端插針排布模式下,DDR5支持高達6.4Gb/s的數據速率,是DDR4數據速率(3.2Gb/s)的兩倍。

安費諾DDR4內存模塊符合JEDEC MO-309標準,此外還符合新的JEDEC POD12接口標準。這些連接器具有更小間距和更低工作電壓,因此有助于降低功耗。DDR4連接器對產品寬度及各類插針尾端長度均進行了縮減,因此適用于各種應用設計,可支持UDIMM、RDIMM和LRDIMM規格等多種變體形式的內存模塊,并能節省板上空間。DDR4連接器還提供超薄型(Ultra Low Profile,ULP)版本,該版本具有1.1毫米的超低模塊座深,以及13.1毫米的超低連接器高度。

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審核編輯:湯梓紅

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原文標題:存儲模塊連接器升級 | DDR4與DDR5性能PK

文章出處:【微信號:Amphenol ICC,微信公眾號:ACS 安費諾信息通信】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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