金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱上包括NMOS、PMOS等,本文主要講解MOSFET的一些電路
功率MOSFET的正向導通等效電路
等效電路
說明:
功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效,該電阻與溫度有關,溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅動電壓的大小有關,驅動電壓升高,該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。
功率MOSFET的反向導通等效電路
等效電路(門極不加控制)
說明:
即內部二極管的等效電路,可用一電壓降等效,此二極管為MOSFET 的體二極管,多數情況下,因其特性很差,要避免使用。
功率MOSFET的反向導通等效電路
等效電路(門極加控制)
說明:
功率 MOSFET 在門級控制下的反向導通,也可用一電阻等效,該電阻與溫度有關,溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅動電壓的大小有關,驅動電壓升高,該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態稱為MOSFET 的同步整流工作,是低壓大電流輸出開關電源中非常重要的一種工作狀態。
功率MOSFET的正向截止等效電路
等效電路
說明:
功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效,其容量與所加的正向電壓、環境溫度等有關,大小可從制造商的手冊中獲得。
功率MOSFET的穩態特性總結
(1):功率MOSFET 穩態時的電流/電壓曲線
(2):說明
功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩態工作點:
當門極不加控制時,其反向導通的穩態工作點同二極管。
(3):穩態特性總結
門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導通狀態;當VgsVth時,器件處于導通狀態;器件的通態電阻與Vgs有關,Vgs大,通態電阻小;多數器件的Vgs為 12V-15V ,額定值為+-30V;
器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來標稱的;只要實際的漏極電流有效值沒有超過其額定值,保證散熱沒問題,則器件就是安全的;
器件的通態電阻呈正溫度系數,故原理上很容易并聯擴容,但實際并聯時,還要考慮驅動的對稱性和動態均流問題;
目前的 Logic-Level的功率 MOSFET,其Vgs只要 5V,便可保證漏源通態電阻很小;
器件的同步整流工作狀態已變得愈來愈廣泛,原因是它的通態電阻非常小(目前最小的為2-4 毫歐),在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關鍵的器件;
包含寄生參數的功率MOSFET等效電路
等效電路
說明:
實際的功率MOSFET 可用三個結電容,三個溝道電阻,和一個內部二極管及一個理想MOSFET 來等效。三個結電容均與結電壓的大小有關,而門極的溝道電阻一般很小,漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態電阻。
功率MOSFET的開通和關斷過程原理
(1):開通和關斷過程實驗電路
(2):MOSFET 的電壓和電流波形
(3):開關過程原理
開通過程[ t0 ~ t4 ]:
在 t0 前,MOSFET 工作于截止狀態,t0 時,MOSFET 被驅動開通;
[t0-t1]區間,MOSFET 的GS 電壓經Vgg 對Cgs充電而上升,在t1時刻,到達維持電壓Vth,MOSFET 開始導電;
[t1-t2]區間,MOSFET 的DS 電流增加,Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電,對GS 電容的充電影響不大;
[t2-t3]區間,至t2 時刻,MOSFET 的DS 電壓降至與Vgs 相同的電壓,Millier 電容大大增加,外部驅動電壓對Millier 電容進行充電,GS 電容的電壓不變,Millier 電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續減小;
[t3-t4]區間,至t3 時刻,MOSFET 的DS 電壓降至飽和導通時的電壓,Millier 電容變小并和GS 電容一起由外部驅動電壓充電,GS 電容的電壓上升,至t4 時刻為止。此時GS 電容電壓已達穩態,DS 電壓也達最小,即穩定的通態壓降。
關斷過程[ t5 ~t9 ]:
在 t5 前,MOSFET 工作于導通狀態, t5 時,MOSFET 被驅動關斷;
[t5-t6]區間,MOSFET 的Cgs 電壓經驅動電路電阻放電而下降,在t6 時刻,MOSFET 的通態電阻微微上升,DS 電壓梢稍增加,但DS 電流不變;
[t6-t7]區間,在t6 時刻,MOSFET 的Millier 電容又變得很大,故GS 電容的電壓不變,放電電流流過Millier 電容,使DS 電壓繼續增加;
[t7-t8]區間,至t7 時刻,MOSFET 的DS 電壓升至與Vgs 相同的電壓,Millier 電容迅速減小,GS 電容開始繼續放電,此時DS 電容上的電壓迅速上升,DS 電流則迅速下降;
[t8-t9]區間,至t8 時刻,GS 電容已放電至Vth,MOSFET 完全關斷;該區間內GS 電容繼續放電直至零。
因二極管反向恢復引起的MOSFET開關波形
(1):實驗電路
(2):因二極管反向恢復引起的MOSFET 開關波形
審核編輯:郭婷
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原文標題:功率MOSFET的經驗總結
文章出處:【微信號:電子工程師筆記,微信公眾號:電子工程師筆記】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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