魏少軍：2023年中國半導體立足創新發展 五大核心研判信息量豐富

首先，美國對中國半導體產業的遏制將逐漸走向單向半脫鉤，單向是指美國欲單方面與我國脫鉤，而我們不想；半脫鉤是指美國暫時不會放棄中國市場，因而出現部分脫鉤的現象。美國真正的大戰略是充建供應鏈，取代中國具有全球完整供應鏈，重組產業鏈。

美國最近出臺了芯片與科學法案，通過法律的方式要求凡是接受美國政府資助的企業不能在中國再發展，同時拉攏中國臺灣、日本、韓國建立所謂的芯片四方聯盟Chip4，同時又跟歐盟搞了新興技術的委員會，目標也是要把中國排除在供應鏈之外。

二、中央政府將重新審視半導體發展思路，制定新的發展戰略和措施，并投入更多的資源，大概率會采取與以往不同的組織形式，科學、全面、系統、持續和大力度將是關鍵詞。

2021年，中國集成電路全行業銷售收入首次突破1萬億人民幣，達到10458億元，增長18.2%。國務院《國家集成電路產業發展推進綱要》頒布后的7年間，中國集成電路產業高速增長，年均復合增長率達到19.5%，遠遠高于同期全球7.6%的年均復合增長率。

我們相信政府后續很快會出臺一系列的關于集成電路的新政策。中國集成電路現在已經發展到了新的階段。中國已經躋身全球大國之列，一定要有自己獨立發展的思路。

此外，從上面的圖表可以看出，中國、美國在電子信息產業發展比較全面，中國的主要短板是量子計算和半導體，美國主要在網絡基礎設施和通信領域，

三、對工藝和EDA工具敏感度不強的芯片研發技術將成為研究和探索的重點，集成電路科技計劃將更聚焦目標導向和問題導向，聚焦提升成熟工藝的PPA。

因為遭遇到美國的限制，中國半導體的代工水平現在可能在14納米制程、在128層在18納米的DRAM可能一段時間會停滯，但是必須要發展，要提升成熟工藝的PPA。魏少軍指出，異質堆疊集成技術助推國產3D NAND突圍。3D NAND Flash主流架構包含CAN、CUA（PUC）和CBA三種架構；主流公司中大部分采用CUA（PUC）架構，其中長江存儲采用CBA即Xtacking技術。魏少軍指出，3D NAND 的未來發展將依托于異質堆疊集成技術，三星電子CEO金奇南在2021年IEDM上表示：“3D NAND Flash可以做到1000層?！?/p>

四、依托中國的龐大市場，一批極具創新性的產品和解決方案將面世，推動中國特色產品和應用標準體系的建設，有效緩解國外對我國實施的禁運并打破遏制。中國5G商用三年，5G應用才剛剛開始全面推廣，現在主要集中在eMBB，真正重要的是mMTC和uRLLC，uRLLC是自動駕駛就是大規模的海量的信息用地，URLLC對于工業應用也是至關重要的。中國14億人口全部市場被調動起來以后，形成自己的產品規范、形成自己的產品體系、產品標準，甚至是設計規范的時候，我們整個社會就會逐步進入智能化。智慧城市就會大規模部署傳感器，云和數據中心。

五、集成電路人才培養將更加聚焦實用型人才，集成電路領域的卓越工程師人才培養計劃將全面鋪開，但如何實現產教融合將成為高校集成電路人才培養的最大挑戰。

2021年，中國集成電路從業人員規模約為57.07萬人，同比增長5.49%。2024年要達到79萬人，兩者相差22萬人。芯片設計的人才現在差12萬人，為什么差那么多人，很重要的就是產業發展太快人才培養跟不上。2022年中國集成電路企業對于應屆生的能力要求，相比2021年的調研統計，2022年應屆生滿足企業需求程度有顯著提高。滿足度在20%以下的比例從去年的接近22%下降到9%；應屆生技能滿足度不足40%的比例下降了10%，技能滿足度60%-80%比例提升6%。

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