RL78系列MCU Data Flash使用介紹

一、Data Flash用途介紹

RL78系列的MCU基本都是有數據閃存的，這也是RL78 MCU的特色之一，用戶能使用它存儲產品的標定參數，運行數據等，可以省去外面的存儲器件（如EEPROM），有效的降低了用戶的硬件成本。

二、Data Flash特點

用戶能基于瑞薩官方提供的庫來使用MCU內部的數據閃存，雖然MCU內部的閃存仍以1K字節塊作為單位，但是用戶可以按照字節進行讀寫。RL78資源的不同，對應的內部數據閃存的大小也不盡相同，一般大小在2K-8K字節范圍之間，就單個地址，當前讀寫次數能達到1,000,000次，可在1.8-5.5伏電壓范圍內進行操作。

三、Data Flash使用說明

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Data Flash應用庫的下載：

如果你用的是CC-RL編譯器，請在如下地址下載應用庫和API應用文檔：

JP_R_FDL_RL78_T04_V1.05_CCRL_A_E.zip

https://www.renesas.cn/cn/zh/document/upr/data-flash-library-type04-ver105-cc-rl-compiler-rl78-family?language=en

如果你用的是CA78K0R編譯器，請在如下地址下載應用庫和API應用文檔：

JP_R_FDL_RL78_T04_V1.05_B_E.zip

https://www.renesas.cn/cn/zh/document/upr/data-flash-library-type04-ver105-ca78k0r-compiler-rl78-family

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避開MCU內部RAM相關區域：

根據MCU的硬件手冊和《Self RAM list of Flash Self-Programming Library for RL78 Family》規定，有些MCU的RAM部分區域不能被數據庫使用，因此需要在section設置進行避開，否則編譯會出錯，不同MCU要求也不盡相同，以R5F100LE為例，閃存庫僅能使用RAM FFE00H ～ FF2FFH以外的區域，如下。

如下是基于R5F100LE在CS+上的具體section配置，以避開相應的區域，其他型號的MCU也可參考。

四、Data Flash測試結果

把RL78閃存庫加載到應用工程里，然后調用初始化和讀寫函數進行數據的操作，當前使用RL78G13硬件板型號是“YRPBRL78G13”。然后在R5F100LE Data Flash的起始地址連續寫一串數據“0x11,0x22,0x33, … 0xCC，并把它們讀出出來，數據定義以及應用代碼如下:

unsigned char Execute_status;

unsigned char W_DataFla_buff[3] = {0x11,0x22,0x33};

unsigned char W_DataFla_buff1[3] = {0x44,0x55,0x66};

unsigned char W_DataFla_buff2[3] = {0x77,0x88,0x99};

unsigned char W_DataFla_buff3[3] = {0xAA,0xBB,0xCC};

unsigned char R_DataFla_buff[12];

unsigned long int address=0x00;

R_FDL_Init();

Execute_status = R_FDL_BlankCheck(0x00,1024);

if (Execute_status == 0x1b)

{

R_FDL_Erase(0x00);

}

R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff[0],3);

address+=3;

R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff1[0],3);

address+=3;

R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff2[0],3);

address+=3;

R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff3[0],3);

address+=3;

Execute_status = R_FDL_Iverify(0x00,1024);

if (Execute_status == 0x1b)

{

return;

}

R_FDL_Read(0x00,&R_DataFla_buff[0],12);

PFDL_Close();

代碼在硬件板“YRPBRL78G13”上運行測試結果如下，執行正確。

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END

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