使用SIC MOS的開發人員是越來越多,但驅動電壓到底選15V還是18V,每個人都有自己的理解,今晚聽許老師講SIC MOS驅動技術,有些感悟分享給大家。
我們先看一個SIC MOS的輸出曲線,可以看到隨著驅動電壓的升高導通內阻在逐漸變小,驅動電壓18V肯定比驅動電壓15V的導通內阻小,導通損耗也會小,這是顯而易見的。
這樣看驅動電壓18V比15V好,但是忽略了另一條重要曲線,那就是熱阻曲線。
下圖為SIC MOS的熱阻曲線,每條曲線反應了不同占空比時的熱阻情況,隨著時間的加長,都將趨于穩定狀態。左邊的曲線反應的是瞬間加熱時,熱無法向外擴散時的情況,用動態熱阻進行表示,動態熱阻反映了最初短路時,發生在MOS的阻斷區域,那里承受了幾乎全部短路損耗。
下圖為許老師課程上的計算過程,當驅動電壓為14V時,抗短路時間能增加到10us,但同樣會增加28%的熱損耗,但當驅動電壓變為15V時,抗短路時間減小到了3us,驅動電壓變為18V時,抗短路時間減小到了1us,抗短路時間隨著驅動電壓的升高而急劇減小。
驅動電壓選擇15V還是18V,實際上是評估系統工作需求和短路時間之間的平衡,是損耗與抗短路能力之間的和諧。
有電感限流的拓撲可以選擇18V驅動,無電感限流的建議選擇15V驅動。當工作在結溫175度時,不建議選擇18V驅動。
審核編輯:湯梓紅
-
MOS
+關注
關注
30文章
1140瀏覽量
91647 -
SiC
+關注
關注
28文章
2462瀏覽量
61505 -
驅動電壓
+關注
關注
0文章
68瀏覽量
13277
原文標題:SIC MOS驅動電壓15V和18V之辯
文章出處:【微信號:gh_c09253ac0c9c,微信公眾號:開關電源研習社】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
評論