電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在短短幾年間,GaN材料就與“快充”這個詞緊密關聯了起來。在快充需求下,GaN已經幾乎在手機、筆記本等設備的充電器上實現普及,從18W到240W的充電器都已經用上GaN器件。而更大功率需求的服務器電源、甚至新能源汽車OBC上也將會用到GaN器件。
不過最近realme發布的一款手機讓人感到好奇,據稱是全球首發全鏈路GaN百瓦閃充,還是全球首個內置GaN充電保護的手機,在手機端引進了GaN功率器件。確實,一直以來我們都只在充電器、電源等產品上看到GaN的出現,而手機廠商對快充的宣傳,也是針對充電器的。那么手機內置GaN器件,有必要嗎?這會成為接下來手機行業的趨勢嗎?
GaN用在手機上,有什么用?
我們知道,GaN在充電器等應用上,主要是通過GaN材料的特性,使得使用GaN材料的功率開關器件在開關頻率、開關損耗、導通損耗等相比硅MOSFET有明顯優勢,在電路設計中可以大幅縮小變壓器尺寸,設計出更高效、功率密度更高的電源。
而根據realme副總裁徐起在發布會上的介紹,“真我GT2大師探索版是全球首個內置GaN充電保護的手機,創新性地將氮化鎵引入手機端,大大節省手機內部空間,降低發熱峰值,實現了體積降低64%,峰值功率發熱降低85%。保證手機在充電過程中更高效,更安全?!?br />
所以GaN引入手機,似乎同樣起到縮小體積、提高效率(降低發熱)的作用。從這款手機支持100W快充、搭載5000mAh電池的情況下,可以實現機身厚度8.17mm、重量僅195g的輕薄效果,或許說明GaN在手機端上的應用是有實際提升的。
從公開信息了解到,這次被用于手機內的GaN器件是來自國內廠商英諾賽科的BiGaN系列產品之一,此前OPPO就已經展示過英諾賽科BiGaN系列產品中的INN40W08開關器件在其手機主板上的應用。
根據英諾賽科官網上提供的資料,INN40W08支持雙向開關,以及超低導通電阻的特性,可以應用在高壓負載開關電路、智能手機USB端口的過壓保護、以及多電源系統中的開關電路。
過去手機內部的功率開關器件都采用硅基MOSFET,由于快充的需求,硅基MOSFET在手機內部占用體積較大,同時較高的阻抗,使其在目前動輒60W以上的大功率快充應用中,會導致手機快充過程中發熱嚴重。
與此同時,快充的功率,其實在很大程度上受到溫度的限制。目前手機快充的峰值功率往往只能維持一分鐘左右,因為溫控、安全等各種原因,在到達峰值功率一段時間之后就會呈現功率階梯式下降的趨勢。那么如果將手機上的功率開關器件從Si更換成GaN,可以降低快充過程中的發熱,也就變相提高快充峰值功率維持的時間,縮短充電時間。
據稱,realme利用一顆BiGaN替代之前的共漏連接的背靠背兩顆NMOS,實現電池的充電和放電電流的雙向開關,使相同占板面積下的導通電阻降低50%,溫升降低40%。
GaN器件的應用場景或許還有很大開發潛力
這次OPPO和realme在手機端應用GaN器件,可以稱得上開拓了一個新的應用場景,也似乎在提醒著我們,GaN器件的應用場景其實一直還在挖掘的過程之中。
目前GaN器件主要用在充電器、服務器、PC電源等,其中消費電子領域,比如快充等是GaN近幾年間增長的最大驅動力。根據Yole Développement數據,2021全球GaN功率器件市場規模為1.26億美元,預計2021-2027年期間復合年增長率為59%,2027年全球市場規模高達20億美元。
目前GaN功率器件最大的應用市場是消費電子,比如PC電源、手機充電器等,其次是數據中心、5G通信基站電源等應用。2021年,GaN功率市場中消費電子應用占比約為63%,通信基站、數據中心等應用占比約21%,而工業和汽車應用的占比分別為7%、4%左右。
而汽車市場上,同為第三代半導體的SiC已經開始大規模導入電動汽車,但同時,電動汽車也是GaN功率器件未來最具潛力的市場之一。GaN在電動汽車上可以應用于高壓電池以及低壓電池的保護、DC-DC轉換器、OBC車載充電機、電機驅動模塊等領域。
短期來看,GaN功率器件在11kW、6.6kW、22kW的OBC,以及4kW的DC-DC中,相比于SiC具有非常明顯的成本優勢、系統效率優勢、功率密度優勢。在電動汽車驅動和電池平臺上,目前中高端車型的趨勢是800V系統,但由于成本等原因,預計2030年全球范圍內主流還會是400V平臺。而SiC相比于GaN在功率應用上的優勢主要在于1200V以上的超高壓,所以在電動汽車上,隨著成本、產能等優勢凸顯,GaN功率器件有望在電動汽車400V平臺上得到廣泛應用。
實際上GaN功率器件被大規模應用的歷史,至今也不過五六年時間。隨著GaN上下游玩家的不斷增加,以及器件本身價格的持續下降,未來GaN將持續取代傳統硅功率器件,并滲透到更多的應用領域。
不過最近realme發布的一款手機讓人感到好奇,據稱是全球首發全鏈路GaN百瓦閃充,還是全球首個內置GaN充電保護的手機,在手機端引進了GaN功率器件。確實,一直以來我們都只在充電器、電源等產品上看到GaN的出現,而手機廠商對快充的宣傳,也是針對充電器的。那么手機內置GaN器件,有必要嗎?這會成為接下來手機行業的趨勢嗎?
GaN用在手機上,有什么用?
我們知道,GaN在充電器等應用上,主要是通過GaN材料的特性,使得使用GaN材料的功率開關器件在開關頻率、開關損耗、導通損耗等相比硅MOSFET有明顯優勢,在電路設計中可以大幅縮小變壓器尺寸,設計出更高效、功率密度更高的電源。
而根據realme副總裁徐起在發布會上的介紹,“真我GT2大師探索版是全球首個內置GaN充電保護的手機,創新性地將氮化鎵引入手機端,大大節省手機內部空間,降低發熱峰值,實現了體積降低64%,峰值功率發熱降低85%。保證手機在充電過程中更高效,更安全?!?br />
所以GaN引入手機,似乎同樣起到縮小體積、提高效率(降低發熱)的作用。從這款手機支持100W快充、搭載5000mAh電池的情況下,可以實現機身厚度8.17mm、重量僅195g的輕薄效果,或許說明GaN在手機端上的應用是有實際提升的。
從公開信息了解到,這次被用于手機內的GaN器件是來自國內廠商英諾賽科的BiGaN系列產品之一,此前OPPO就已經展示過英諾賽科BiGaN系列產品中的INN40W08開關器件在其手機主板上的應用。
根據英諾賽科官網上提供的資料,INN40W08支持雙向開關,以及超低導通電阻的特性,可以應用在高壓負載開關電路、智能手機USB端口的過壓保護、以及多電源系統中的開關電路。
過去手機內部的功率開關器件都采用硅基MOSFET,由于快充的需求,硅基MOSFET在手機內部占用體積較大,同時較高的阻抗,使其在目前動輒60W以上的大功率快充應用中,會導致手機快充過程中發熱嚴重。
與此同時,快充的功率,其實在很大程度上受到溫度的限制。目前手機快充的峰值功率往往只能維持一分鐘左右,因為溫控、安全等各種原因,在到達峰值功率一段時間之后就會呈現功率階梯式下降的趨勢。那么如果將手機上的功率開關器件從Si更換成GaN,可以降低快充過程中的發熱,也就變相提高快充峰值功率維持的時間,縮短充電時間。
據稱,realme利用一顆BiGaN替代之前的共漏連接的背靠背兩顆NMOS,實現電池的充電和放電電流的雙向開關,使相同占板面積下的導通電阻降低50%,溫升降低40%。
GaN器件的應用場景或許還有很大開發潛力
這次OPPO和realme在手機端應用GaN器件,可以稱得上開拓了一個新的應用場景,也似乎在提醒著我們,GaN器件的應用場景其實一直還在挖掘的過程之中。
目前GaN器件主要用在充電器、服務器、PC電源等,其中消費電子領域,比如快充等是GaN近幾年間增長的最大驅動力。根據Yole Développement數據,2021全球GaN功率器件市場規模為1.26億美元,預計2021-2027年期間復合年增長率為59%,2027年全球市場規模高達20億美元。
目前GaN功率器件最大的應用市場是消費電子,比如PC電源、手機充電器等,其次是數據中心、5G通信基站電源等應用。2021年,GaN功率市場中消費電子應用占比約為63%,通信基站、數據中心等應用占比約21%,而工業和汽車應用的占比分別為7%、4%左右。
而汽車市場上,同為第三代半導體的SiC已經開始大規模導入電動汽車,但同時,電動汽車也是GaN功率器件未來最具潛力的市場之一。GaN在電動汽車上可以應用于高壓電池以及低壓電池的保護、DC-DC轉換器、OBC車載充電機、電機驅動模塊等領域。
短期來看,GaN功率器件在11kW、6.6kW、22kW的OBC,以及4kW的DC-DC中,相比于SiC具有非常明顯的成本優勢、系統效率優勢、功率密度優勢。在電動汽車驅動和電池平臺上,目前中高端車型的趨勢是800V系統,但由于成本等原因,預計2030年全球范圍內主流還會是400V平臺。而SiC相比于GaN在功率應用上的優勢主要在于1200V以上的超高壓,所以在電動汽車上,隨著成本、產能等優勢凸顯,GaN功率器件有望在電動汽車400V平臺上得到廣泛應用。
實際上GaN功率器件被大規模應用的歷史,至今也不過五六年時間。隨著GaN上下游玩家的不斷增加,以及器件本身價格的持續下降,未來GaN將持續取代傳統硅功率器件,并滲透到更多的應用領域。
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