全球SiC產能“戰備競賽”打響，國內擴產進度如何？

電子發燒友網報道（文/梁浩斌）SiC供不應求，已經是行業共識。自從電動汽車興起，特斯拉率先在電動汽車上大規模應用SiC功率器件，需求開始爆發后，產能不足成為了SiC應用擴張的最大障礙。

據統計，2021年全球SiC晶圓全球產能約為40-60萬片，結合業內良率平均約50%估算，2021年SiC晶圓全球有效產能僅20-30萬片。

與此同時，SiC需求方的增長在近年呈現爆發式增長。以在旗下車型大規模采用SiC器件的特斯拉為例，2021年特斯拉電動汽車全年產量約93萬輛。當然目前特斯拉車型中只在主驅逆變器電力模塊上用上SiC MOSFET，但據測算，如果車用功率器件全采用SiC，單車用量將達到0.5片6寸SiC晶圓。那么如果特斯拉旗下車型的車用功率器件全部采用SiC，以其去年的產量計算，一年的6寸SiC晶圓需求就高達46.5萬片，以如今全球SiC襯底產能來看甚至無法滿足一家車企的需求。

當然，近年SiC襯底、器件的產能擴充項目進行得熱火朝天，國內外廠商都加緊增加產能，希望能夠搭上SiC產業的快車。

業界龍頭Wolfspeed在今年4月啟用了位于Mohawk Valley的全球最大的SiC晶圓廠，并開始投產8英寸SiC襯底。不過Wolfspeed方面表示，他們為獨家工藝定制開發了相關設備，但設備交付時間較長，預計工廠要到2024年才能達到計劃產量。

除此之外，今年2月，英飛凌宣布投資超過20億歐元來增加SiC和GaN的產能，新廠區位于馬來西亞居林，今年6月開工，主要涉及外延工藝和晶圓切割等關鍵工藝，預計第一批晶圓將在2024年下半年下線。今年3月，II-VI宣布，將在伊斯頓、賓夕法尼亞州和瑞典的Kista進行擴建，并預計到2027年將達到每年100萬片6英寸SiC襯底的產量。近日海外大廠安森美位于韓國富川市的SiC功率芯片工廠也正式奠基。

國內方面，今年以來有多個SiC擴產項目啟動或是竣工，下面就來盤點下今年上半年國內的SiC產能擴充情況。

3月18日，山西太忻一體化經濟區集中簽約了多個產業園項目，其中包括原平市政府與中電科二所合作的SiC襯底產線，預計建成后年產量月15000片。

4月7日，無錫利普思透露，其位于日本的SiC模塊封裝代工廠已于今年正式投入運營，并成功拿到車企小批量訂單。位于無錫的封裝產線也將在今年7月投產，預計2024年達產，屆時可以達到SiC模塊年產能50萬的生產能力。

4月8日，內蒙古自治區包頭市九原區133個重大項目建設復工，并更新了工程進度，其中先進硅碳材料產業園預計將于今年10月交付廠房，進駐該園區的青島瀚海半導體預計投資7億元，廠房占地120畝，計劃建設400臺碳化硅長晶爐和切磨拋生產線，后期建設碳化硅外延片項目。

4月12日，中車時代半導體宣布擬投資4.62億元進行SiC芯片產線擴產項目，建設工期為24個月。該項目建成達產后，將現有平面柵SiC MOSFET芯片技術能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片 研發能力，將現有4英寸SiC芯片線提升到6英寸 ，將現有4英寸SiC芯片線年1萬片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線2.5萬片/年 。

4月26日，河北天達晶陽碳化硅晶片項目透露新消息，為進一步提高碳化硅晶片的產量，該項目將再投資7.31億元，建設（擁有）400臺套完整（設備）的碳化硅晶體生產線。屆時，4-8英寸碳化硅晶片的年產能將達到12萬片。據了解，天達晶陽公司投資建設碳化硅單晶體項目，分兩期建設。其中，第一期為年產4英寸碳化硅晶片1.2萬片，使用單晶生長爐54臺。第二期年產分別為4-8英寸碳化硅晶片10.8萬片，增設相應生產能力的單晶生長爐及其配套的切、磨、拋和檢測設備。

4月21日，太原日報報道山西天成半導體的6英寸SiC襯底產線即將投產，預計在年內可以實現6英寸SiC襯底的產業化。據了解，山西天成半導體SiC襯底項目一期投資3000萬元，半年時間完成場地建設、設備進場以及6英寸SiC晶錠的中試投產。正在籌劃的二期項目將包括廠房擴建、設備擴充以及構建一條全自動線切割打磨拋光清洗加工線。項目最終將實現年產20000片6英寸導電型和半絕緣型SiC襯底的計劃。

5月17日，國內唯一一家專注于車規級、具備規?；a業聚集及全產業鏈配套能力的碳化硅芯片制造項目，總投資75億元的廣東芯粵能碳化硅芯片制造項目主體工程正式封頂。據了解，項目占地150畝。一期投資35億元，建成年產24萬片6英寸碳化硅晶圓的生產線；二期建設年產24萬片8英寸碳化硅晶圓的生產線，產品包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件。

6月，嘉興市人民政府公布南湖區3個項目入選2022年省重點建設和預安排項目計劃，其中透露了斯達半導的SiC項目進展，新建項目部分廠房已順利結頂，預計今年9月底基本完工。據了解，斯達半導“SiC芯片研發及產業化項目”的投資金額為5億元，去年投入超過1675萬元。該項目新增用地 279畝，新建生產廠房、研發中心等，新增建筑面積20.6萬平方米，致力于開展高壓特色工藝功率半導體芯片和SiC芯片的研發與產業化，達產后將形成年產72萬片功率芯片的生產能力。

小結：

目前包括SiC在內的第三代半導體在國內外都受到熱捧，據Yole的統計，中國大陸的半導體企業中，涉及SiC業務的有超過50家，同時SiC項目落地進展神速。隨著下半年產能持續落地，國內SiC產業發展也將進入到一個新的階段。