8bitMCU相關設置寄存器及注意事項

1、 8bitMCU 通用I/O 結構圖

端口模塊如下圖(79系列圖)：

2、相關設置寄存器及注意事項：

端口控制寄存器

PxCR寄存器控制I/O輸入輸出狀態設置。

當寄存器設置成輸入模式時，Px寄存器讀取的是端口電平狀態。

當寄存器設置成輸出模式時，Px寄存器讀取的是數據寄存器的值。

如有未使用到的I/O，需要設置輸出固定電平以免I/O浮動電平帶來的漏電流。

端口上拉電阻控制寄存器

端口數據寄存器

79系列單片機 Px 寄存器都在位尋址區（例如：80H,88H等），都可以進行位尋址操作。

在初始化設施PxCR（輸出狀態）前，請優先設置Px寄存器，避免WDT,,OVL等復位帶來的端口電平變化。

當PxCR寄存器設置成輸入狀態時，操作讀取對應Px，是讀取對應引腳電平狀態。

當PxCR寄存器設置成輸出狀態時，根據指令來分別對應 讀取的是寄存器還是引腳電平。

1、端口寄存器讀-改-寫指令舉例：

ANL P0, #立即數 ;P0->立即數&（與）P0->P0

ORL P0, A ; P0->A|（或）P0->P0

INC P0 ;P0->P0+1->P0

CPL P0.0 ;P0.0->P0.0~(取反)->P0.0

2、引腳電平讀取指令舉例：

MOV A,P0 ;P0->A

MOV R0, P0 ; P0->R0

不管端口是否共享為其它功能，對端口寫操作都是針對端口數據寄存器。

當第二功能有沖突時，按照端口共享表格中的優先級來決定輸出功能。

通常I/O的優先級是低于其他功能的。

以下圖為例，當P0.6引腳上BUZ功能和LED功能同時選中時，引腳輸出LED波形。

當允許端口復用為其它功能時，用戶可以修改PxCR﹑PxPCR，但在復用的其它功能被禁止前，這些操作不會影響端口狀態。

當允許端口復用為其它功能時，任何對端口的讀寫操作只會影響到數據寄存器的值，端口引腳值保持不變，直到復用的其它功能關閉。

3、I/O開漏模式介紹：

在I/O章節有選擇N溝道開漏功能的寄存器時，可以實現I/O的N溝道開漏功能(注意上圖紅線處，IO管腳的電壓不得超過VDD+0.3V電壓)

如果I/O章節沒有該選項的寄存器，但是又有TWI通訊功能，那么在TWI功能開啟時，引腳自動切換成N溝道開溝。關閉TWI功能，自動切換回普通I/O。

芯片的電源輸入端建議加去耦電路，防止VDD端出現瞬間的高壓引入導致的電路損壞。

4、施密特及TTL功能介紹：

施密特功能介紹：

施密特輸入特性是輸入高電平閾值為0.8VDD，輸入低電平閾值為0.2VDD。

VDD=5V舉例，輸入高電平>=4V，端口讀取的電平為高，輸入低電平<=1V，端口讀取的電平為低。相對應的引腳是否具有施密特功能，請查詢電氣特性章節（輸入高電壓2和輸入低電壓2中注明有施密特功能的引腳，例如INT0-4,T3-T5等）。普通I/O不具有施密特功能。

TTL功能介紹：

TTL電平輸入特性是

1、輸入高電平閾值為0.25VDD+0.8，輸入低電平閾值為0.15VDD（VDD=2.7V~4.5V）

以VDD=3.3V舉例，輸入高電平>=1.625V，端口讀取的電平為高，輸入低電平<=0.495V，端口讀取的電平為低。

2、 輸入高電平閾值為2.0V，輸入低電平閾值為0.8V（VDD=4.5V~5.5V）

以VDD=5V舉例，輸入高電平>=2V，端口讀取的電平為高，輸入低電平<=0.8V，端口讀取的電平為低。

選擇TTL電平功能可與VDD電壓為3.3V的WIFI模塊直接通過以Uart或者TWI的方式通訊，又或者直接接收外部中斷信號（INT0-4），不需要外加電平轉換電路。（芯片是否有TTL功能請查詢I/O章節及電氣特性章節）

端口輸入模式選擇寄存器如下(TTL和CMOS選擇)

*：CPU在任何情況下，讀取端口數據寄存器（P0，P1……），其輸入高電平閾值為0.7VDD，輸入低電平閾值為0.3VDD（CMOS邏輯，無施密特）；該控制位控制的是其他功能輸入的邏輯電平狀態，例如：INT0 - 4，RXD，SDA等數字電平輸入。

原文標題：中穎8bit 單片機I/O設置介紹

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審核編輯：湯梓紅