臺積電即將推出下一代先進工藝制程2nm芯片,臺積電2nm芯片棄用FinFET鰭式場效應晶體管技術,首次采用GAAFET全環繞柵極晶體管技術,將于2025年開始量產。
臺積電2nm芯片與3nm芯片相比,芯片密度增加了1.1倍以上,將功耗降低25%至30%,性能提升10%至15%,2nm工藝將比其前身提供純性能提升。
據了解,臺積電計劃在臺灣再建4座工廠生產3nm芯片,并于2023年初上市,還將在2024年引進ASML下一代High-NA EUV最強光刻機。
綜合整理自有半導體行業觀察、新智元
審核編輯:湯梓紅
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