基于RM6604NDL+RM3405SH的氮化鎵功率集成快充方案

高效率、低成本

30W A+C雙口

氮化鎵 功率集成快充方案

RM6604NDL+RM3405SH

隨著蘋果將快充功率推高到27W，30W PD快充已成為下一個風口;同時伴隨著用戶各種智能設備的增加，單口充電器已無法滿足多設備同時充電的需求，故而具備多口輸出的小體積快速充電器逐漸成為用戶新的追求。至于如何才能將快充體積做的更小，發熱控制的更低，并且成本控制的更為優異？這就需要我們芯片原廠從芯片設計的源頭來滿足。

為了解決這些難題，滿足用戶需求，亞成微推出了30W A+C雙口氮化鎵（GaN）功率集成快充方案，該方案基于氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL+ 高性能同步整流控制芯片RM3405SH 芯片組合，通過高度集成的芯片設計以及巧妙的結構組合，實現了精簡的外圍電路和緊湊的PCB布局，具有高效率、小體積、低成本等特點，可有效幫助快充電源廠商加速中小功率快充量產并節省物料成本。

氮化鎵功率集成電源芯片 - RM6604NDL

高性能同步整流芯片 - RM3405SH

1.DEMO結構展示

2.方案芯片介紹

氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL

支持 CCM/QR 混合模式

內置 650V GaN HEMT，內置 700V 高壓啟動

特有抖頻技術改善 EMI；Burst Mode 去噪音

低啟動電流（2uA）和低工作電流

集成斜坡補償

集成輸入 Brown out/in 功能

外置 OVP 保護

具有輸出肖特基短路保護/CS 短路保護

內置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護

采用DFN5*6封裝

1高性能同步整流控制芯片RM3405SH

支持DCM、準諧振、CrCM和CCM模式

輸出電壓直接供給VCC

低靜態電流

CCM操作的快速驅動程序功能

適用PSR和SSR電源管理芯片

工作頻率200KHz

寬VDD工作電壓

驅動抗干擾功能

具有驅動欠壓保護和過壓鉗位功能

采用SOP8 封裝

3.方案原理圖

4.效率&待機功耗測試

效率測試

待機功耗

5.紋波測試

空載紋波

重載紋波

6.溫升測試（25°恒溫下持續1小時測試）

輸入電壓 90V

輸入電壓 264V

7.傳導測試

230V輸入

20V/1.5A（L）測試結果

230V輸入

20V/1.5A（N）測試結果

原文標題：高效率、低成本｜30W A+C雙口 氮化鎵功率集成快充方案

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審核編輯：湯梓紅