華進半導體專利再次獲評優秀獎

2022年6月10日，第十三屆無錫市專利獎頒獎儀式在新吳區市場監管局二樓會議室召開，華進半導體憑借“一種采用CMP對以聚合物為介質層的大馬士革工藝中銅沉積后的表面進行平坦化處理的方法”專利獲評優秀獎。這是華進半導體繼2019年獲評“第二十一屆中國專利獎銀獎”、“第十一屆江蘇省專利項目獎優秀獎”之后榮獲的又一專利獎項。

大馬士革工藝被廣泛應用于半導體設計制造中的銅線互連。常見的大馬士革工藝流程一般為在硅基板表面生成介質層，然后刻蝕深孔，生成阻擋層，利用PVD的方法在深孔里沉積銅。而應用于TSV轉接板中的大馬士革工藝稍有不同，先用PVD生成銅種子層，再通過銅電鍍工藝填滿刻蝕孔。大馬士革工藝最后都需要應用CMP去除表面的銅露出介質層完成銅導線的制作。

目前常見的介質層都是通過CVD生成的氧化物層，其工藝技術相對成熟，表面均勻性好，內部空谷易于控制，但成本高。而以聚合物為介質層的多重大馬士革工藝由于聚合物表面平整度較差，因此只能應用于大尺寸線寬的多重布線技術（RDL），無法實現小線寬高密度集成的產品要求。

此次，華進半導體參評專利所提出的一種采用CMP對以聚合物為介質層的大馬士革工藝中銅沉積后的表面進行平坦化處理的方法，發明的目的是克服現有技術中存在的不足，提供一種采用CMP對以聚合物為介質層的大馬士革工藝中銅沉積后的表面進行平坦化處理的方法。