<acronym id="s8ci2"><small id="s8ci2"></small></acronym>
<rt id="s8ci2"></rt><rt id="s8ci2"><optgroup id="s8ci2"></optgroup></rt>
<acronym id="s8ci2"></acronym>
<acronym id="s8ci2"><center id="s8ci2"></center></acronym>
0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

貿澤電子開售Qorvo旗下UnitedSiC的UF3N170400B7S 1700V SiC JFET

21克888 ? 來源:廠商供稿 ? 作者:貿澤電子 ? 2022-04-29 16:36 ? 次閱讀

2022年4月29日– 提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨 UnitedSiC(現已被Qorvo?收購)的UF3N170400B7SJFET。UF3N170400B7S是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常開JFET,為過流保護電路、DC-AC逆變器、開關電源、功率因數校正模塊、電機驅動和感應加熱等應用提供了理想解決方案。

貿澤分銷的UF3N170400B7S是一種開關速度超快且與溫度無關的JFET,具有超低導通電阻 (RDS(ON)) 和柵極電荷 (QG),以及低傳導和開關損耗。這種電壓控制器件效率極高,在VGS= 0V時RDS(ON)低至400m?,而且固有電容低,是無需有源控制或共源共柵操作的電流保護電路的理想選擇。

UF3N170400B7S符合RoHS標準,采用工業標準D2PAK-7L封裝,無鹵無鉛,可在55°C至175°C的溫度范圍內運行。

如需進一步了解UnitedSiC (現已被Qorvo收購) UF3N170400B7S,敬請訪問

https://www.mouser.cn/new/unitedsic/unitedsic-uf3n170400b7s-1700v-400mw-sic-jfet/。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電子元器件
    +關注

    關注

    132

    文章

    3127

    瀏覽量

    103493
  • 半導體
    +關注

    關注

    329

    文章

    25186

    瀏覽量

    204999
  • 貿澤電子
    +關注

    關注

    16

    文章

    1068

    瀏覽量

    95866
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    英飛凌1700V EconoDUAL?3 IGBT新產品及其在中高壓級聯變頻器和靜止無功發生器中的仿真研究

    摘要:EconoDUAL?3是一款經典的IGBT模塊封裝,其上一代的1700V系列產品已經廣泛應用于級聯型中高壓變頻器、靜止無功發生器(SVG)和風電變流器,覆蓋了中功率和一部分大功率的應用場
    的頭像 發表于 05-31 15:22 ?138次閱讀
    英飛凌<b class='flag-5'>1700V</b> EconoDUAL?3 IGBT新產品及其在中高壓級聯變頻器和靜止無功發生器中的仿真研究

    IGBT短路尖峰電壓過高有什么辦法解決?

    逆變器的IGBT在短路時,短路尖峰電壓較高有可能會擊穿IGBT,1200V的管子尖峰電壓可能超過400V,1700V的管子尖峰電壓可能超過500V,雖然在IGBT上下橋之間并聯了吸收電
    發表于 04-10 18:35

    深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

    眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝,來開發基于雙極結型晶體管(BJT)、結柵場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的電源產品。
    發表于 04-10 12:31 ?1201次閱讀
    深入對比<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET vs <b class='flag-5'>Qorvo</b> <b class='flag-5'>SiC</b> FET

    英飛凌1700V EconoDUAL?3 IGBT新產品及其在中高壓級聯變頻器和靜止無功發生器中的仿真研究

    本文提及的相關產品,均會在直播中出現掃描上方二維碼即可報名摘要:EconoDUAL3是一款經典的IGBT模塊封裝,其上一代的1700V系列產品已經廣泛應用于級聯型中高壓變頻器、靜止無功發生器(SVG
    的頭像 發表于 03-26 08:13 ?409次閱讀
    英飛凌<b class='flag-5'>1700V</b> EconoDUAL?3 IGBT新產品及其在中高壓級聯變頻器和靜止無功發生器中的仿真研究

    Qorvo推出創新緊湊型E1B封裝1200V SiC模塊

    Qorvo SiC 電源產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示:“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET,從而簡化熱機械設計和裝配。
    發表于 02-29 12:50 ?212次閱讀

    Qorvo推出D2PAK封裝SiC FET

    Qorvo,全球領先的綜合連接和電源解決方案供應商,近日發布了其全新車規級碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)產品。這款產品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝,實現了業界領先的9mΩ導通電阻RDS
    的頭像 發表于 02-01 10:18 ?347次閱讀

    首個在6英寸藍寶石襯底上的1700V GaN HEMTs器件發布

    近日,廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授團隊等等合作攻關,通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片,基于廣州第三代半導體創新中心中試平臺,成功在6英寸藍寶石襯底上實現了1700V GaN H
    的頭像 發表于 01-25 10:17 ?555次閱讀
    首個在6英寸藍寶石襯底上的<b class='flag-5'>1700V</b> GaN HEMTs器件發布

    UnitedSiC SiC FET用戶指南

    UnitedSiC SiC FET用戶指南
    的頭像 發表于 12-06 15:32 ?254次閱讀
    <b class='flag-5'>UnitedSiC</b> <b class='flag-5'>SiC</b> FET用戶指南

    瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

    11月27日,瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω,
    的頭像 發表于 11-30 09:39 ?1141次閱讀
    瞻芯<b class='flag-5'>電子</b>推出<b class='flag-5'>1700V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET助力高效輔助電源

    有沒有高輸入阻抗低供電電壓3VJFET運放?

    有沒有高輸入阻抗低供電電壓3VJFET運放 供電電壓只有3V
    發表于 11-20 06:54

    如何設計一種適用于SiC FET的PCB呢?

    SiC FET(即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合)等寬帶隙半導體開關推出后,功率轉換產品無疑受益匪淺。
    發表于 10-19 12:25 ?258次閱讀
    如何設計一種適用于<b class='flag-5'>SiC</b> FET的PCB呢?

    新潔能1500V和1700V系列功率VDMOS新品介紹

    電源中,由于母線電壓和功率不同,一般會選用單管反激或雙管反激拓撲,無論那種拓撲都離不開核心的功率器件,即1500V~1700V 功率MOS。
    的頭像 發表于 10-16 11:38 ?1037次閱讀
    新潔能1500V和<b class='flag-5'>1700V</b>系列功率VDMOS新品介紹

    芯塔電子發布自主研發1700V/5Ω SiC MOSFET產品

    芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等,對提升車輛電源系統整體效能、可靠性及安全
    發表于 08-16 11:49 ?349次閱讀
    芯塔<b class='flag-5'>電子</b>發布自主研發<b class='flag-5'>1700V</b>/5Ω <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET產品

    SiC FET — “圖騰” 象征?

    由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領先的碳化硅 (SiC
    的頭像 發表于 06-21 09:10 ?283次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> FET — “圖騰” 象征?

    1700V!這一國產SiC MOS率先上車

    前幾天,三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀錄(.點這里.),很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應商是誰,今天答案正式揭曉!
    發表于 06-14 18:19 ?1108次閱讀
    亚洲欧美日韩精品久久_久久精品AⅤ无码中文_日本中文字幕有码在线播放_亚洲视频高清不卡在线观看
    <acronym id="s8ci2"><small id="s8ci2"></small></acronym>
    <rt id="s8ci2"></rt><rt id="s8ci2"><optgroup id="s8ci2"></optgroup></rt>
    <acronym id="s8ci2"></acronym>
    <acronym id="s8ci2"><center id="s8ci2"></center></acronym>