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國產PD 3.1快充協議控制芯片

海明觀察 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:李誠 ? 2022-03-07 08:43 ? 次閱讀
電子發燒友網報道(文/李誠)近日,國內手機廠商在MWC 2022上花式秀肌肉,OPPO展示了最新的240W快充技術,將快充功率直接拉滿,刷新業界紀錄。realme推出了可實現商用的150W快充技術,并表示該技術將會在realme GT Neo3機型中實現首發。小編看到這里再看看手中只支持20W快充的手機,突然就覺得不香了,國外某些廠商就不能學著點嗎?

上述講的快充技術均是基于手機廠商的私有協議實現的,下面我們來聊聊最大支持240W輸出的PD 3.1公有快充協議,PD協議是目前在手機領域普及率較高的一種快充協議,谷歌在此前發布的PPS規范中也明確表示,凡是Android7.0以上支持快充的手機都必須支持PD快充協議,如小米、三星、華為等一線品牌的手機均支持PD快充協議,就連一直特立獨行的蘋果采用的也是PD協議。

既然PD協議在業內盛行,PD 3.1的標準也已經推出,那么目前已經有哪些廠商推出了支持PD 3.1快充的協議芯片呢?不妨我們來一起了解一下。

南芯A+C雙口PD 3.1快充協議控制芯片

今年年初,國內芯片廠商南芯推出了全新一代的PD 3.1快充解決方案SC2021A,該方案支持多口快充的應用,在單芯片下支持A+C口的多口輸出,可滿足市面上絕大多數設備的使用需求。
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圖源:南芯

SC2021A是一顆集成了32位高性能MCU內核的快充協議控制器,內置了2.5KB的RAM和32KB的ROM,可通過程序燒錄的方式滿足快充私有協議的加密需求。據悉該芯片共有一個CC和兩個DP/DM快充接口,可同時滿足PD3.1、PPS、FC, FCP, AFC, SCP, VOOC, super VOOC等多種快充協議,并于去年10月通過了GEL的PD 3.1合格性測試。

南芯為提升該芯片在實際應用中設計布局的靈活性,以及簡化外圍電路的使用,在芯片內部集成了USB PD 基帶 PHY、Type-C 檢測、雙 DPDM PHY、VBUS 放電路徑、VCONN 電源、可編程反饋補償、電壓和電流檢測、10-bit ADC、雙 10- bit DACs、NMOS 柵極驅動器、I2C 接口和保護電路等。并且豐富的電源控制接口,不僅能通過光電耦合器實現在充電過程中電流電壓的控制,還能在DC/DC應用中實現反饋控制。在芯片的開發過程中,南芯也意識到了功耗的問題,為其設計了低功耗模式,在該模式下,靜態電流可低至10μA。

目前,南芯的SC2021A已經在快充終端廠商倍思的65W氮化鎵快充設備中得到商用。

芯??萍?/u>通用型PD 3.1快充協議控制芯片

在快充協議控制芯片中,芯??萍荚诖饲耙餐瞥隽藘煽羁蓾M足PD 3.1應用需求的芯片,分別為CSU3AF10和CPW3301。
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圖源:芯??萍?/div>
CSU3AF10是一款通用型的快充協議控制芯片,片上集成2路獨立的Type-c、1路PD和4路DP/DM快充協議接口,可兼容市面上的多種快充協議。同時CSU3AF10采用的是MCU的設計架構,內置了一顆8位,主頻峰值最高可達24MHz的MCU,以及32K×16 位程序存儲器 FLASH和2KB的數據存儲器,可以通過軟件撰寫提供高便利性以及高調適性,來符合變化快速的快充市場。MCU 在工作狀態下,工作電壓為3.3V,工作電流為3.5mA,在休眠模式下靜態電流小于10μA,即使是整個Type-c模塊的休眠功耗也僅有50μA,具有低功耗的特性。

時鐘控制部分,為保證快充在工作過程中工作頻率的穩定性,芯??萍荚谛酒瑑炔考闪艘粋€24MHz振蕩器和一個10KHz振蕩器,其精度分別為±1%和±10%,同時還支持外接一個最高頻率為24MHz的晶振。在外設部分,該芯片預留了23個雙向I/O口,2個8位定時器和2個12位定時器,以及12位的ADC差分檢測接口和UART接口。NTC功能可以通過占用一個I/O口完成溫度測量。不過這款芯片并沒有內置開關管的驅動器,在電路開發過程中需要外置獨立的驅動器用以驅動開關管,與內置驅動的其他芯片相比,這款芯片使用起來可能會比較麻煩。

結語

PD協議輸出功率的提升。將受眾面由手機、平板開始向智能家居、筆記本、顯示器、電動單車等應用層面覆蓋。應用場景的拓寬,也促進了市場需求的增長,并帶動產業鏈上下游的發展,功率器件、協議芯片、主控芯片廠商也將會受益其中。目前市面上可滿足PD 3.1標準應用的芯片還相對較少,相信在市場需求的刺激下,將會有更多的PD 3.1解決方案被推出,為終端廠商提供一個選擇的空間。
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