1.表面清洗
2.初次氧化
3.CVD
4.涂敷光刻膠
5.用干法氧化法將氮化硅去除
6.去除光刻膠
7.用熱磷酸去除氮化硅層
8.退火處理
9.濕法氧化
10.熱磷酸去除氮化硅
11.表面涂敷光阻
12.光刻和離子刻蝕,定出 PAD 位置
以上就是晶圓制造工藝流程芯片的制造過程,具體大概可以簡稱晶圓處理工序、針測工序和測試工序等幾個步驟,多次重復上述操作之后,芯片的多層結構搭建完畢,全部清除后就可以看到設計好的電路圖案。
在一般情況下,芯片制造的最后的一道程序測試最為復雜,蝕刻完成后,經一般測試合格的產品貼上規格、型號及出廠日期等標識的標簽并加以包裝后即可出廠。
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