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山東天岳IPO申請在即 第三代半導體中國廠商如何逆襲?

章鷹觀察 ? 來源:電子發燒友原創 ? 作者:章鷹 ? 2021-06-19 09:50 ? 次閱讀

最近,國內的第三代半導體公司的火了。兩大標志事件接踵而來。

5月31日,華為旗下的哈勃投資參與A輪融資的山東天岳先進科技股份有限公司(以下簡稱“山東天岳”)提交了科創板IPO申請,根據山東天岳披露的招股說明書(申報稿),公司本次公開發行不超過約4297萬股,且發行完成后公開發行股份數占發行后總股數的比例不低于10%。為把握國內碳化硅產業的進一步自主化發展機遇,山東天岳擬在上海臨港新片區建設碳化硅襯底生產基地,以提高公司碳化硅襯底的產業化能力。據披露,山東天岳此次擬募集資金20億元,扣除發行費用后將投資于碳化硅半導體材料項目。

近日,聞泰科技旗下安世半導體宣布,其650V功率GaNFET器件系列的第二代產品開始批量供貨。聞泰科技2020年年報顯示,公司重金布局第三代半導體技術,2020年全年半導體業務研發投入達6.5億元,顯著加強了在中高壓MOSFET、化合物半導體SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)產品、以及模擬類產品的研發投入,并將繼續擴大產能和研發相關的設備投入。

新能源汽車和充電樁對碳化硅需求旺盛

第三代半導體主要是指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料,用于制作高溫、高頻大功率和抗輻射的電子器件,應用于半導體照明、5G通信,衛星通信、新能源汽車、軌道交通等領域。

以碳化硅、氮化鎵為主導的第三代半導體未來的市場走勢是怎樣的?據中金公司最新研究報告顯示,根據測算,2025年中國電動車及快充樁將帶來62億元/78億元的SiC器件/模塊的市場空間,2021年到2025年CAGR分別高達58%和35%。經過測算SiC襯底及外延片價值量合計占比超器件總價值量的60%。2025年中國本土導電型襯底片需求超100萬片,行業上游重要性強,需求廣闊。

日前,在南京半導體大會的第三代半導體產業發展高峰論壇,第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山對媒體表示,相比硅器件,碳化硅制成的器件擁有卓越的開關性能、耐壓能力及溫度穩定性,我國企業目前已經能實現6寸片規模量產,8寸片與海外技術差距正在縮小。SiC的材料特性意味著在未來5年時間內從電控、車載充電機、快充樁等多個應用場景對Si-MOSFET/ Si-IGBT形成規模替代。

山東天岳的優勢和面對的市場挑戰

山東天岳是國內碳化硅龍頭企業之一,掌握了碳化硅半導體材料產業化核心關鍵技術,為全球第四家可批量供應4H-SiC襯底產品的企業,公司在半絕緣型碳化硅襯底領域已進入行業第一梯隊,直接與國外巨頭競爭。2020年,公司市場占有率較上年增長12個百分點,位列世界前三。

在碳化硅襯底領域,國內廠商主要有天科合達、山東天岳、中電科2所、同光晶體、神州科技、中科鋼研等,在資本的幫助下國內碳化硅襯底擴產迅速:同樣被華為投資的天科合達在2020年7月曾提交科創板IPO申請,擬募資擴產12萬片6英寸碳化硅晶片,但同年十月其終止了科創板IPO;同光晶體于2020年12月開啟了A輪融資,短短5個月,又連續融了B輪、C輪、C+輪、D輪,在資本加持下其4-6英寸碳化硅單晶襯底項目快速上馬。

國際上的龍頭企業在第三代半導體進行產業鏈提前布局,包括Cree/ Wolfspeed,Dowcorning、德國的Sicrystal,日本的Showa Denko等國際龍頭企業已經開始投資建設8英寸SiC晶片生產線,Cree(科銳)計劃在2019-2024年投資7.2億美元將碳化硅材料及晶圓產能擴充30倍,包括建造一座車規級8英寸功率及射頻晶圓工廠,以及擴產超級材料工廠,計劃2022年量產。

山東天岳的碳化硅襯底在國內暫時領先,但國外的領先者正在加大力度擴產,國內的追趕者在資本的加持下快速成長。山東天岳在招股書中還有顯示大客戶集中的問題,其2018-2020年度前五大客戶收入占比分別為80.15%、82.94%、89.45%。遠超同行業滬硅產業的25.53%以及天科合達的57.46%。大客戶集中有利有弊,好處是公司可以因此獲得穩定的收入,可以降低銷售費用率。但不利的是,大客戶集中會導致公司受制于人,因過度依賴大客戶而在經營過程中喪失話語權,或者一旦大客戶選擇其他供應商,公司業績直接呈現大規模下滑。山東天岳的當務之急是盡快發展更多的客戶,特別在新能源汽車和充電樁領域。

據Yole預測,2017-2023年碳化硅應用的復合增長率為27%,其中電動和混動汽車的復合增長率為81%,充電樁/充電站的復合增長率為58%。

賽迪顧問新材料產業研究中心總經理李龍指出,第三代半導體材料已逐漸進入各汽車集團的主流供應鏈中,SiC襯底作為關鍵材料,將成為第三代半導體材料的布局熱點。

面對激烈的國內外大廠競爭,山東天岳必須夯實基礎,據國際權威機構Yole發布的報告,2020年,天岳先進半絕緣碳化硅襯底材料在全球的銷量占據30%市場,躍居全球第三。與美國CREE公司、貳陸公司接近,形成了中美企業競爭的格局。天岳先進科創板IPO,擬募資20億元,將用于碳化硅半導體材料項目,正是對準了國家十四五布局,依托技術,站位上風口,滿足新基建不斷爆發的市場需求。


本文由電子發燒友原創,作者章鷹,微信號zy1052625525,轉載請注明以上來源。如需入群交流,請添加微信elecfans999,投稿發郵件到huangjingjing@elecfans.com.

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