長江存儲計劃今年將產量提高一倍
據日經亞洲評論報道，長江存儲計劃今年將產量提高一倍，并開始率先生產192層3D NAND閃存。
兩名知情人士表示，長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產量提高一倍，至10萬片晶圓，約占全球總產量的7%。這將有助于該公司縮小與全球先進制造商之間的差距。據悉，三星電子目前每月約生產48萬片晶圓，而美光的月產能約為18萬片。
此前4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。這標志著國內3D NAND領域正式進入國際先進水平。
作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。據長江存儲介紹，128層QLC版本將率先應用于消費級SSD，并逐步進入企業級服務器、數據中心等領域。
2020年三季度以來，長江存儲一直忙于引進與安裝必要的生產設備與擴大生產線。目前長江存儲同時生產64層與128層3D快閃記憶體晶片，但將逐步將更多產能轉向后者。
據透露，長江存儲最快將于2021年中展開192層3D NAND快閃晶片試產，將是中國半導體業者首次試產這類晶片。如三星、美光等市場一流供應商，目前仍在開發176層3D NAND晶片，而當前可量產的最先進版本為128層NAND晶片。
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原文標題：追趕三星、美光！長江存儲產量提高1倍！
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