在美國空軍科學研究辦公室的贊助下,阿肯色大學、亞利桑那州立大學和半導體設備制造商 Arktonics 公司等合作開發了第一種鍺錫材料制成的電注入激光器(二極管激光器),其微處理速度和效率顯著提高,且成本較低。
由電氣工程教授余水清(音譯)領導的材料科學研究人員展示了第一臺用鍺錫制成的電注入激光器,可在提高微加工速度和效率的同時,極大降低成本。該激光器可在高達 100K 的脈沖條件,或者零下 279 度的溫度下工作。
電注入鍺錫激光器及其功率輸出與電流和頻譜特性的關系示意圖。
圖片來源:阿肯色大學
鍺錫合金是一種很有前途的半導體材料,能夠很容易地集成到電子電路中,用于計算機芯片和傳感器電路的開發。這種材料還可推動低成本、輕量、緊湊和低功耗型電子元件的發展。
“我們的研究是基于 IV 族激光器的一個重大進展,”Yu 教授認為:“它們可以成為硅上激光集成的途徑,也是朝著顯著改進電子設備電路邁出的重要一步?!?/p>
Yu 教授長期從事鍺錫材料的研究工作。他的團隊已經證實了鍺錫材料是一種強大的半導體合金。在報道了第一代“光學泵浦”激光器后,Yu 等正在繼續對這種材料進行改進。
在該研究中,研究人員成功進行了電注入 GeSn 二極管激光器的首次演示。GeSn / SiGeSn 雙異質結構成功生長,從而確保了載流子和光學的約束。為了解決由于 GeSn 和頂部 SiGeSn 勢壘之間的 II 型能帶對準而導致的空穴泄漏,設計了 p 型頂部 SiGeSn 層以促進空穴注入。脊形波導 GeSn 激光器被制作觀察到高達 100 K 的脈沖激光。在 10 K 下測量的閾值為 598A / cm2。在 10 至 77 K 的溫度范圍內從 76 至 99 K 提取了特征溫度
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