英特爾發布了全新英特爾傲騰持久內存200系列

英特爾公司今日正式發布第三代英特爾至強可擴展處理器及全新的AI軟硬件產品組合，全新處理器、內存、存儲、FPGA解決方案集體亮相。

作為第三代至強可擴展平臺的一部分，英特爾發布了全新英特爾傲騰持久內存200系列，和新一代高容量英特爾3D NAND固態盤：英特爾SSD D7-P5500 和P5600。

英特爾公司副總裁兼至強處理器與存儲事業部總經理Lisa Spelman介紹第二代傲騰持久內存200系列，全新的散熱技術、超高的數據訪問速度以及超大的內存總容量和帶寬。

英特爾傲騰PMem 200系列是針對第三代英特爾至強可擴展處理器進行了優化的第二代高性能持久內存，英特爾 Optane PMem 200系列平均提供比上一代產品多25％的內存帶寬、12-15瓦的低功耗設計（TDP），提供128 GB，256 GB和512 GB模塊，最大容量為512 GB。

英特爾傲騰持久內存200系列能夠與傳統DDR4 DIMM共存，與DRAM并排占用相同的主板插槽。針對這些下一代處理器進行了優化的平臺可以每個通道支持一個IntelOptanePMem 200系列模塊（單個插槽最多支持六個），每個插槽提供高達3 TB的PMem，每個插槽提供4.5 TB的總存儲容量。

英特爾傲騰持久內存200系列與為工作負載（例如數據庫，分析和虛擬化基礎架構）軟件生態系統兼容。

針對使用全閃陣列存儲數據的系統，英特爾發布了新一代高容量英特爾3D NAND固態盤：英特爾SSD D7-P5500 和P5600。這些3D NAND固態盤采用了英特爾最新的TLC 3D NAND技術以及全新低延遲PCIe控制器，能夠滿足AI及分析工作負載的密集IO需求，并具有提高IT效率和數據安全性的高級功能。

英特爾SSD D7-P5500 和P5600采用最新的 TLC 英特爾 3D NAND 技術構建的下一代高容量固態盤。支持 PCIE Gen4 的新主控和固件使其具有低延遲和可擴展的特性。與上一代英特爾 固態盤相比，連續性能提高了 2 倍，隨機混合工作負載性能提高了 44%。滿足人工智能和分析工作負載的高強度 I/O 要求。先進的功能可提高 IT 效率和數據安全性。

英特爾公司副總裁兼至強處理器與存儲事業部總經理Lisa Spelman表示：“快速部署AI和數據分析對當今各類企業至關重要。英特爾一直致力于不斷強化處理器的內置AI加速能力和軟件優化優勢，以更好地為全球的數據中心和邊緣解決方案提供動能，并通過打造無與倫比的芯片基石，助力釋放數據中的無限洞察?！?/p>