三星宣布大規模投產512GB的eUFS 3.1儲存芯片 讀寫速度較上一代更快
智能手機的運算能力越來越高，下載速度也越來越快，儲存芯片的讀寫速度亦需要配合，才能發揮每個環節的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布開始大規模投產512GB的eUFS 3.1儲存芯片，它的特點就是其讀寫速度較上一代更快。
三星表示512GB的eUFS 3.1儲存芯片，連續寫入速度將超過1，200MB/s，比起現在相同容量eUFS 3.0儲存芯片的400MB/s，速度快達3倍。
同時512GB eUFS 3.1儲存芯片的隨機讀寫表現為100，000/70，000 IOPS，亦較eUFS 3.0的產品快60%。三星指新儲存芯片只需90秒就能完成100GB的檔案傳輸，舊款要4分鐘以上，特別適合用于儲存8K高分辨率影片。
有消息指三星可能會將512GB的eUFS 3.1儲存芯片，率先應用于下半年的旗艦手機Galaxy Note 20系列；之后三星還會陸續生產和供應128GB和256GB的eUFS 3.1儲存芯片。
責任編輯：wv
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關注
關注
34文章
15657瀏覽量
180251 -
儲存芯片
+關注
關注
0文章
11瀏覽量
7260
發布評論請先 登錄
相關推薦
進一步解讀英偉達 Blackwell 架構、NVlink及GB200 超級芯片
帶寬和1.8TB/s的NVLink帶寬，使處理能力翻倍，大幅增加內存容量和帶寬，為處理大規模人工智能模型和復雜計算提供必要資源。
針對大規模模型如GPT-MoE-1.8T，HGX B200的推理性能比上一代
發表于 05-13 17:16
三星Galaxy S25 Ultra 內存將升級至16GB
據報道，三星Galaxy S24 Ultra已現身市場，其存儲版本分別有256GB、512GB及1TB三款，但內存皆為12GB。然而，最新傳聞稱三星
三星Galaxy Z Flip6升級至12GB內存，搭載驍龍8 Gen2處理器
此前，三星國行GalaxyZFlip5手機在存儲空間上提供256GB與512GB兩個選項，而常規配色（如冰薄荷、冰玫紫等）及三星商城限定色彩（如海浪藍、山林綠等）以及MaisonMar
M451RG6E IO的切換速度是否和內核一致？
芯片型號M451RG6E，請問：
1、IO 的切換速度是否和內核一致？
2、flash的讀寫是否需要等待，等待幾個時鐘？
3、目前這款芯片是
發表于 01-17 07:18
據報道，三星將推遲泰勒大型工廠的大規模芯片生產至2025年
來源：Austin American-Statesman 據媒體報道，三星位于美國泰勒市的大型制造工廠可能要到2025年才能開始大規模生產半導體芯片，與其預計的投產日期相比，推遲了至少
三星目標2025年主導汽車存儲市場 公布路線圖
根據三星公布的產品發展藍圖，到2024年將推出2gb至24gb容量、最大68gb/s速度、每頻道帶寬為8.5gbps的561fbga形態的l
三星和SK海力士差距在哪里？
238 層 NAND 閃存作為世界上最小體積的芯片，生產效率比上一代的 176 層提升了 34%。此產品的數據傳輸速度為每秒 2.4Gb，號稱比上一
發表于 11-20 15:33
?559次閱讀
三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報價 漲幅為15%
據《電子時報》報道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調價格。
三星開始量產車載超低功耗UFS 3.1閃存：最大512GB
三星電子計劃從今年第四季度開始生產128gb和256gb產品，并生產512gb產品。256gb產品的連續讀取
工商網監
評論