eMRAM升級12nm工藝 將進一步提升容量密度

GlobalFoundries、Everspin聯合宣布，雙方已經達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉移矩磁阻內存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。

MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統內存，但同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，綜合了傳統內存、閃存的優點。

STT-MRAM則進一步通過自旋電流實現數據寫入，具備結構簡單、成本低、損耗小、速度快等一系列優點，只是容量密度提升困難，所以想取代內存、閃存暫時不現實，但非常適合用在各種嵌入式領域。

GF、Everspin的良好合作由來已久，2012年的第一代STT-MRAM就是用GF 40nm制造的，單顆容量32MB，2019年的第二代則升級為GF 28nm，單顆容量翻了兩番達到128MB。

就在日前，GF 22FDX工藝成功試產了eMRAM，-40℃到125℃環境下可工作10萬個周期，數據保持可長達10年。

進一步升級到12nm，自然有利于進一步提升MRAM的容量密度，并繼續降低成本，尤其是隨著MRAM芯片容量的提高，迫切需要更先進的工藝。

GF 12nm工藝包括12LP、12LP+兩個版本，雖然算不上多先進但也有廣闊的用武之地，尤其適合控制器、微控制器等，比如群聯電子、Sage的不少企業級SSD主控都計劃加入eMRAM，從而提升性能、降低延遲、提高QoS。

雖然大家可能覺得沒見過MRAM，不過Everspin宣稱已經向100多家客戶出貨了1.25億顆MRAM芯片，還援引報告稱到2029年獨立MRAM芯片銷售額可達40億美元。

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