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電子發燒友網>存儲技術> 重點布局利基市場,兆易創新推出首款DDR3L產品

重點布局利基市場,兆易創新推出首款DDR3L產品

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2010-01-26 16:53:32646

聯發科推出首款5G數據機芯片M70

5G布局上,陳冠州表示,聯發科預計明年將推出首款5G數據機芯片M70,初期將是分離式設計,未來有競爭力的產品將會落在與應用處理器(AP)整合的單芯片產品。
2018-06-08 14:27:277812

8G, DDR3L, 可替換 Micron停產的MT41K512M16和MT41K1G8

Alliance 8G, DDR3L, 可替換 Micron停產的MT41K512M16和MT41K1G8 一、公司簡介: Alliance存儲器件廣泛應用于工業測量儀表、電力監控、醫療器械、導航
2020-04-30 14:37:043623

兆易創新自研第一個產品DDR3, 4Gb將面向利基市場

2021年還在研發DDR3內存?別急,雖然明年DDR3內存已經不是什么新東西了,DDR5都要上市了,但DDR3還不會被淘汰,而且兆易創新主要是用于利基市場,也就是消費電子產品,對內存的性能、容量等要求不高。
2020-11-03 10:10:212341

兆易創新公布自研內存進展:首發4Gb DDR3、明年上半年問世

2019年國內的合肥長鑫推出了國產DDR4內存,結束了國內沒有DRAM芯片自產的日子,此后也有其他公司準備進軍內存市場,比如兆易創新。該公司日前透露了其內存計劃,2021年上半年將推出4Gb
2020-11-03 11:13:592021

FORESEE DDR3L是一款低功耗高性能的內存產品

FORESEE品牌推出的,其實在FBGA 78封裝的DDR3L之前,FORESEE就已經推出過一款FBGA 96封裝的DDR3L內存條。兩款內存條在穩定性和可靠性方面
2020-11-18 10:11:053203

兆易創新首款自研DDR3L產品——GDPxxxLM系列

兆易創新推出DDR3L GDPxxxLM系列產品采用長鑫存儲(CXMT)先進工藝制程,符合JEDEC標準,讀寫速率為2133/1866 Mbps,容量為2Gb/4Gb,支持1.5V和1.35V兩種電壓。
2022-09-08 10:20:371049

兆易創新DDR3L GDPxxxLM系列產品采用長鑫存儲(CXMT)先進制程

,在各細分領域力尋突破口。 兆易創新推出首款自研DDR3L產品——GDPxxxLM系列,提供2Gb/4Gb不同容量選擇,GDPxxxLM系列符合JEDEC標準,讀寫速率為2133/1866 Mbps
2022-10-13 17:55:532378

Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產品IXTY2P50PA

Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產品 IXTY2P50PA。這個創新產品設計能滿足汽車應用的嚴苛要求,提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25403

具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3LDDR4存儲器電源解決方案數據表

電子發燒友網站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3LDDR4存儲器電源解決方案數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:24:340

具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內存電源解決方案數據表

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2024-03-13 11:13:440

完整的DDR2、DDR3和DDR3L內存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數據表

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2024-03-13 13:58:120

適用于DDR2、DDR3、DDR3LDDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩壓器數據表

電子發燒友網站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3LDDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩壓器數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:030

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