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電子發燒友網>存儲技術>緩沖/存儲技術>FRAM、NRAM、ReRAM……富士通用創新存儲技術串起關鍵數據存儲一攬子解決方案

FRAM、NRAM、ReRAM……富士通用創新存儲技術串起關鍵數據存儲一攬子解決方案

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隨著大數據、物聯網的爆發讓存儲器市場也一場火爆,作為電子設備系統的關鍵組成部分,性能至關重要。市面上的存儲器參差不齊,該作何選擇?未來的存儲技術又該何去何從呢?
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富士通助力無線無電池應用,FRAM RFID的創新無源解決方案

前不久,富士通半導體有限公司系統存儲設計開發部FRAM RFID高級工程師羅建在2018第十四屆RFID世界應用創新大會上指出,基于FRAM RFID的創新無源解決方案讓產品實現自給能源,更加環保,更易于防水加工制造生產,有著廣闊的應用前景。
2018-08-27 16:32:534774

富士通存儲器領域的另類崛起 用20年專注演繹叢林法則

FRAM的非易失性對于當時業界可以說是顛覆性的,存儲器的非易失性指在沒有上電的狀態下依然可以保存所存儲信息的特性,這意味著電路中無須加入后備電池,仍可在偶發斷電時保存重要數據,因此一經推出即備受關注。而當談及FRAM,往往無法避開這一家半導體廠商,它就是——富士通半導體。
2019-02-21 11:32:394813

傳統存儲市場戰火激烈

,一方面會針對不同客戶的需求提供不同的服務器解決方案;另一方面,通過高端技術下移,將Unix服務器的一些技術移植到x86服務器平臺上,這也是一種融合。大數據貫穿存儲等多個領域富士通雖然也擁有成熟的大數據
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滿足工作要求125°C的富士通車載FRAM

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富士通FRAM存儲器內置RFID LSI的產品

富士通半導體利用FRAM的高速寫入,高讀寫耐久性(多次讀寫次數)特長, 提供RFID用LSI以及應用于電子設備的FRAM內置驗證IC產品。富士通提供使用無限接口的FRAM內置RFID用LSI。富士通
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富士通FRAM鐵電存儲解決方案在汽車上的應用

汽車產業正經歷史上最大幅度的轉型。通過全新FRAM解決方案,得以支持創新公司將創意轉化為實際產品。富士通推出的FRAM解決方案MB85RS128TY和MB85RS256TY,這兩款器件可在高達攝氏
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汽車導航系統應用于富士通FRAM鐵電存儲器MB85R2001

MB85R2001是一種富士通FRAM芯片,由262,144字8位非易失性存儲單元組成,這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術創建。能夠保留數據,而無需使用SRAM所需的備用
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FRAM技術的優勢已經擴展到微控制器的應用

多年,并長期保持數據的能力建立這些強大的設備進入低功耗能量收集應用程序。接下來富士通FRAM代理商介紹關于設備配置。 設備配置 設計人員可以找到FRAM存儲器支持并行,SPI串行或I2C / 2線串行接口。例如,連同其平行的1Mb MB85R1001A FRAM,富士通提供1MB的SPI串行器
2020-07-03 10:27:44336

富士通新款4Mbit FRAM可穩定在125℃高溫下運行

鐵電隨機存儲FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數據的內存,即便在沒有電源的情況下仍可保存數據。FRAM主要結合了ROM和RAM的特性,并擁有高速寫入數據、低功耗和高速讀/寫周期的優點
2020-07-30 14:22:20469

FRAM器件提供非易失性存儲

多年,并長期保持數據的能力建立這些強大的設備進入低功耗能量收集應用程序。 設備配置 設計人員可以找到FRAM存儲器支持并行,SPI串行或I2C / 2線串行接口。例如,連同其平行的1Mb MB85R1001A FRAM,富士通1MB的SPI串行器,MB85RS1MT,使設計人員能夠采用典型的SPI主/從配
2020-09-19 11:56:481727

FRAM是一種鐵電存儲器,它的自身優勢是什么

具有優勢。FRAM結合了ROM和RAM的特點,具有高速寫數據,低功耗,高速讀/寫周期等優點。 富士通型號MB85RS2MLY全新的2Mbit FRAM,可在125℃高溫下正常工作,工作電壓可低至1.7V至1.95V,并設有串行外設接口(SPI)。這種全新的FRAM產品是汽車電子控制單元的最
2020-09-27 14:32:311634

fram是什么存儲器_FRAM技術特點

鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力(就像其他穩定的存儲設備一樣,如只讀存儲器和閃存)結合起來。
2020-12-03 11:53:166108

富士通FRAM相比,Everspin MRAM有哪些優勢

(Chandler)設有制造工廠。everspin代理宇芯電子可提供產品相關技術支持服務。 Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM
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富士通FRAM是斷電情況下也能保留數據非易失性的存儲

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器(內存)。FRAM數據保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲
2021-04-08 15:42:02824

什么是FRAM,它的優勢都有哪些

。 富士通FRAM主要具備三大優勢:高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗,這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。比如FRAM寫入次數壽命高達10萬億次,而EEPROM僅有百萬次(10^6)。富士通FRAM寫入數據可在150ns內完成,速度約為EEPROM的1/30,000。寫入一個字節數據的功耗
2021-05-04 10:17:001850

關于富士通FRAM技術和工作原理的詳細講解

不進行擦除或重寫,數據就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。 富士通FRAM技術和工作原理 FRAM是運用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲又可以像RAM一樣操作。 ?當一個電場被加到鐵電晶體時,
2021-05-04 10:16:00515

富士通這么多的FRAM都用到了哪些領域之中

與傳統的存儲技術相比,FRAM在需要非易失性、高速讀寫、低功耗、高讀寫耐久等綜合性能的應用領域表現出眾、口碑良好。富士通 FRAM量產20年以來,出貨量更是超過了41億顆!咱們富士通這么多
2021-04-24 10:56:48422

富士通FRAM一路走來,它是如何崛起的

FRAM是如何崛起的呢? 以銷量數據而論,FRAM一路走來已然大獲成功:截止2016年富士通全球FRAM存儲器累計銷量已超過33億片,其中面向世界電表客戶累計交貨4000萬片,FRAM在威勝集團、海興電力、林洋能源、Itron、西門子等業界主流的電表供應商中的應用滲透率非常高
2021-04-26 14:31:28544

富士通的非易失性鐵電存儲FRAM有著廣泛的應用

富士通半導體主要提供高質量、高可靠性的非易失性鐵電存儲FRAM, 富士通半導體早在1995年已開始研發FRAM存儲器,FRAM應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等產業領域,以及醫療
2021-04-26 15:49:16689

富士通FRAM實現低成本通用智能表計的方案說明

表重要數據的標準元件。富士通FRAM在智能水和氣表中的應用,與智能電表類似,如非易失性與高寫入耐久性確保了準確、可靠的數據記錄。 此外由于水和氣表使用電池供電,FRAM存儲器擁有超低功耗的特性使之備受方案商的青睞。以64Byte數據
2021-05-08 15:41:37421

FRAM車規級是滿足汽車電子無延遲要求的優先存儲器選擇

開發和量產及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡單介紹一下為何可以說FRAM車規級是滿足汽車電子可靠性和無延遲要求的優先存儲器選擇。 為什么這么說?這就要從FRAM的產品特性開始說起。FRAM的學術名字叫做FERAM,利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲,
2021-05-11 17:17:09704

富士通FRAM存儲智能電表重要數據應用中的作用

商需考慮挑選合適的存儲產品予以應對。富士通FRAM在需要準確記錄和存儲智能電表重要數據的應用中、發揮著關鍵作用。 例如電表使用的重要數據,需要在非常短的間隔(1-3次/秒)里保存在存儲器,并確保掉電情況下數據依然完整。
2021-05-11 17:18:08503

富士通FRAM產品已成功應用于智能卡及IC卡等工業領域

,只要不進行擦除或重寫,數據就不會改變。FRAM 是一種與 Flash 相同的非易失性存儲器。 經過市場的長期廣泛驗證以及技術的不斷突破,富士通 FRAM 產品已成功應用于智能卡及 IC 卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等工業領域,醫療設備及醫
2021-05-24 15:31:081638

富士通FRAM主要具備的三大優勢是什么

不進行擦除或重寫,數據就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。 經過市場的長期廣泛驗證以及技術的不斷突破,富士通FRAM產品已成功應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等工業領域,醫療設備及醫療RFID標
2021-06-08 16:51:17436

串行FRAM存儲器64K MB85RS64概述及特點

富士通FRAM是新一代非易失性存儲器,其性能優于E2PROM和閃存等現有存儲器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面運行。這種突破性的存儲介質用于各種
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存儲器MB85RS128B概述及特點

富士通FRAM(鐵電RAM)是新一代非易失性存儲器,性能優于 E2PROM 和閃存等現有存儲器,功耗更低,速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面運行。這種突破性的存儲
2021-06-28 15:52:461394

富士通4Mbit Quad SPI FRAM助力實現高速數據傳輸

富士通半導體一款具有快速數據傳輸功能的4Mbit FRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最高108MHz的工作頻率和帶有四個I/O引腳的Quad SPI接口下實現每秒54MB
2021-07-26 18:05:54713

富士通FRAM存儲器的詳細介紹

FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數據保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

FRAM存儲器都用在了哪里

操作和更低的功耗。加賀富儀艾電子旗下代理品富士通半導體的FRAM器件從開始交付給工業市場已超過21年。因此,富士通FRAM是具有成熟量產制造經驗的高性能和高度可靠的存儲器。 這么優質的存儲器都用在了哪里呢?今天小編就為大家梳理一下FRAM的應該領域。 物聯
2021-10-28 10:26:562565

富士通新品8Mbit FRAM高達100萬億次的寫入耐久性

FRAM是一種非易失性存儲器產品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點,富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲芯片,這是富士通FRAM產品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579

富士通推出具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA

FRAM 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器 (如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要備用電池來保留數據,并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度操作和更低的功耗
2022-01-10 15:50:314123

使用非易失性FRAM替換SRAM時的問題和解決方案

? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲器產品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億
2022-01-12 15:12:20351

富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX

器是一款非易失性存儲器產品,與傳統的非易失性存儲器相比,具有寫入速度快、讀/寫耐久性高、功耗低等優點。 ? 近日富士通半導體推出配備Quad SPI接口的8Mbit?FRAM?MB85RQ8MLX
2022-02-17 15:33:241666

富士通推出12Mbit電阻式隨機存取存儲器MB85AS12MT

富士通半導體存儲解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產品系列中密度最大的產品。
2022-04-24 16:06:021133

鐵電存儲FRAM

鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM,FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質,利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現信息存儲。 ?? FRAM結構圖 FRAM技術特點: 非易失性:斷電
2022-11-10 17:00:141785

MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無線射頻識別芯片

MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無線射頻識別芯片
2023-11-09 13:59:01432

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