40nm ReRAM芯片正式出樣 中芯國際向上走勢頭勁

在經過2016的一系列擴張之后，近日，Crossbar與中芯國際合作的40nm ReRAM芯片正式出樣，再次為芯片國產化發展提振士氣。另有數據顯示，中芯國際去年銷售額增至29.2億美元，比2015年大增31%，市占率提升1個百分點至6%。中芯國際表現愈發給力，在追趕臺積電、GF等一線大廠向上走的道路上勢頭強勁。

出樣40nm ReRAM芯片

近日，Crossbar與中芯國際合作的40nm ReRAM芯片正式出樣。據介紹，ReRAM的名字中帶RAM，不過ReRAM其實更像NAND閃存那樣用作數據存儲，只不過它的性能更強，密度比DRAM內存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片即可實現TB級存儲，還具備結構簡單、易于制造等優點。另外，更先進的28nm ReRAM芯片也將會在2017年上半年問世。

居全球晶圓代工第四名

據IC Insights“2017年McClean報告”預測，2016-2021年晶圓代工市場將以7.6%的年復合增長率（CAGR）增長，從2016年的500億美元增長到2021年的721億美元。以下為全球晶圓代工廠最新排名預測：

在前十榜單中，***共有四家企業上榜，大陸兩家，美國、韓國、以色列、德國各有一家上榜。

2016年，前四大晶圓代工廠臺積電、格羅方德、聯華電子和中芯國際占全球市場總量的85%。其中，臺積電獨占全球晶圓代工市場59%的份額，格羅方德、聯華電子和中芯國際三家合并市場份額占26%。

目前IC代工廠主要有兩類客戶，Fabless公司例如Qualcomm、Nvidia、Xilinx、AMD等，和IDM廠商例如ON，ST，TI，Toshiba等。

自1988年以來，IC代工廠的成功主要通過IDM外包的形式促進銷售增長。此外，大量新增的中小型IC公司偏愛Fabless的商業模式，包括富士通，IDT，LSI公司，Avago和AMD在過去幾年中成長為Fabless廠商。

半導體行業大將蔣尚義加盟

上月21日，中芯國際在港交所公布，臺積電前共同營運長、資深研發副總蔣尚義已與公司簽訂服務合約，出任獨立非執行董事職位。中芯指出，依照服務合約，蔣尚義有權獲得年度酬金4萬美元，以及18.75萬可供認購普通股、18.75萬受限制股份。

蔣尚義在半導體行業工作40年，在臺積電工作期間主要負責技術研發，先后擔任過研發副總裁、共同首席營運長及董事長顧問等職，牽頭了0.25um、0.18um、0.15um、0.13um、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm和16nm FinFET等關鍵節點的研發。在***半導體工業界和臺積電的威望很高，一度是外界呼聲最高、最看好的接班人選，對技術和產業發展有非常深刻的理解。

勇爭前三

中芯國際成立于2000年， 2014年底獲得中國政府300億人民幣產業基金支持。中芯試圖擠入臺積電，Intel這幾家所把持的半導體市場，然后由于財力和制程技術的不足，技術落后臺積電至少2代以上，使其始終難以承擔大型的IC設計客戶（如高通）的重要訂單。

然而，由于受中國反壟斷調查的壓力，高通在2015年選擇與中芯國際合作，幫助后者提升工藝制程，同時將部分芯片訂單交給后者。在高通的幫助下，中芯國際的28nm工藝迅速在2015年量產，更在去年成功將工藝改進到28nm HKMG，與聯電處于同一水平。

據分析，中芯的28nm制程，占其2016年產能比重未達1%，營收比重則在2%以內，但2017年占營收比重可望明顯增加到10%以上。預估2017年中芯28nm產能的80%仍是集中在中低階應用。

中芯的營收成長率在全球前五大晶圓代工廠中已居第一，由于大陸對芯片自給訂定積極目標加上本土需求龐大，預計未來幾年中芯仍將維持較高的產能擴張速度。中芯在2016年的投資金額達25億美元，已超越聯電。

中芯未來幾年的擴產布局，可謂遍地開花，包括在北京、上海、深圳、寧波以及杭州等地，都有新的12寸晶圓廠投資計劃，雖然部分投資案目前僅止于土地取得、尚未裝置機臺的階段，但可看出中芯旺盛的企圖心。