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電子發燒友網>制造/封裝>半導體技術>半導體新聞>富士通推出具業界最佳運行功耗的64 Kbit FRAM

富士通推出具業界最佳運行功耗的64 Kbit FRAM

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2020-06-02 14:00:09941

汽車導航系統應用于富士通FRAM鐵電存儲器MB85R2001

MB85R2001是一種富士通FRAM芯片,由262,144字8位非易失性存儲單元組成,這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術創建。能夠保留數據,而無需使用SRAM所需的備用
2020-06-28 16:04:16777

富士通新款4Mbit FRAM可穩定在125℃高溫下運行

。非易失性內存是苛刻環境下具備高可靠性的汽車和工業應用的理想之選。 富士通去年發布的2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業設備中獲得廣泛應用,而MB85RS4MTY將其容量提高至4M bit,滿足用戶對更高容量的需求,配有SPI接口,工作電壓為1.8V至3.6V。 富士通電子
2020-07-30 14:22:20469

富士通推出私人無線系統的使用服務

此外,富士通還在協議中提供了云服務,可按月訂閱。富士通表示,該公司正在提供基于云的基站、核心網絡、設備和應用程序管理。這將帶來操作的遠程監控,以及故障時的主要響應。
2020-10-12 16:29:111546

富士通FRAM相比,Everspin MRAM有哪些優勢

(Chandler)設有制造工廠。everspin代理宇芯電子可提供產品相關技術支持服務。 Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM
2021-04-26 14:25:21479

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數據非易失性的存儲器

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器(內存)。FRAM的數據保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器
2021-04-08 15:42:02824

什么是FRAM,它的優勢都有哪些

。 富士通FRAM主要具備三大優勢:高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗,這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。比如FRAM寫入次數壽命高達10萬億次,而EEPROM僅有百萬次(10^6)。富士通FRAM寫入數據可在150ns內完成,速度約為EEPROM的1/30,000。寫入一個字節數據的功耗
2021-05-04 10:17:001850

關于富士通FRAM技術和工作原理的詳細講解

不進行擦除或重寫,數據就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。 富士通FRAM技術和工作原理 FRAM是運用鐵電材料(PZT等)的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲又可以像RAM一樣操作。 ?當一個電場被加到鐵電晶體時,
2021-05-04 10:16:00515

富士通這么多的FRAM都用到了哪些領域之中

與傳統的存儲技術相比,FRAM在需要非易失性、高速讀寫、低功耗、高讀寫耐久等綜合性能的應用領域表現出眾、口碑良好。富士通 FRAM量產20年以來,出貨量更是超過了41億顆!咱們富士通這么多
2021-04-24 10:56:48422

富士通FRAM一路走來,它是如何崛起的

FRAM是如何崛起的呢? 以銷量數據而論,FRAM一路走來已然大獲成功:截止2016年富士通全球FRAM存儲器累計銷量已超過33億片,其中面向世界電表客戶累計交貨4000萬片,FRAM在威勝集團、海興電力、林洋能源、Itron、西門子等業界主流的電表供應商中的應用滲透率非常高
2021-04-26 14:31:28544

富士通的非易失性鐵電存儲器FRAM有著廣泛的應用

富士通半導體主要提供高質量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM, 富士通半導體早在1995年已開始研發FRAM存儲器,FRAM應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等產業領域,以及醫療
2021-04-26 15:49:16689

富士通FRAM實現低成本通用智能表計的方案說明

表重要數據的標準元件。富士通FRAM在智能水和氣表中的應用,與智能電表類似,如非易失性與高寫入耐久性確保了準確、可靠的數據記錄。 此外由于水和氣表使用電池供電,FRAM存儲器擁有超低功耗的特性使之備受方案商的青睞。以64Byte數據寫
2021-05-08 15:41:37421

FRAM車規級是滿足汽車電子無延遲要求的優先存儲器選擇

富士通從1999年開始推FRAM產品已經連續推了18年,應該說已經有不少客戶采用并認可了FRAM產品。至于富士通為什么這么迫切的推FRAM也可以理解,富士通控制著FRAM的整個生產程序;在日本的芯片
2021-05-11 17:17:09704

富士通FRAM主要具備的三大優勢是什么

不進行擦除或重寫,數據就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。 經過市場的長期廣泛驗證以及技術的不斷突破,富士通FRAM產品已成功應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產業設備等工業領域,醫療設備及醫療RFID標
2021-06-08 16:51:17436

富士通半導體正在量產快速數據傳輸功能產品

每秒 54MB 的數據傳輸速率。 該產品具有高速運行和非易失性的特點,非常適合用于需要快速數據重寫的工業計算和網絡設備,如可編程邏輯控制器(PLC)和路由器。 20 多年來,富士通半導體量產的 FRAM 產品與 EEPROM 和閃存相比,具有更高的讀寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。迄今為止,這些
2021-06-25 15:26:231603

串行FRAM存儲器64K MB85RS64概述及特點

富士通FRAM是新一代非易失性存儲器,其性能優于E2PROM和閃存等現有存儲器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面運行。這種突破性的存儲介質用于各種
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存儲器MB85RS128B概述及特點

富士通FRAM(鐵電RAM)是新一代非易失性存儲器,性能優于 E2PROM 和閃存等現有存儲器,功耗更低,速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面運行。這種突破性的存儲
2021-06-28 15:52:461394

富士通4Mbit Quad SPI FRAM助力實現高速數據傳輸

的數據傳輸速率。 MB85RQ4ML具有高速運行和非易失性的特點,非常適合用于需要快速數據重寫的工業計算和網絡設備,如可編程邏輯控制器(PLC)和路由器。代理商英尚微支持樣品測試及技術支持。 富士通半導體20多年來量產的FRAM產品與EEPROM和閃存相比,具有更高的讀寫耐久性、更快的寫入速度和更低的
2021-07-26 18:05:54713

富士通FRAM存儲器的詳細介紹

FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數據保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

FRAM存儲器都用在了哪里

操作和更低的功耗。加賀富儀艾電子旗下代理品富士通半導體的FRAM器件從開始交付給工業市場已超過21年。因此,富士通FRAM是具有成熟量產制造經驗的高性能和高度可靠的存儲器。 這么優質的存儲器都用在了哪里呢?今天小編就為大家梳理一下FRAM的應該領域。 物聯
2021-10-28 10:26:562565

富士通新品8Mbit FRAM高達100萬億次的寫入耐久性

FRAM是一種非易失性存儲器產品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點,富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲芯片,這是富士通FRAM產品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:17579

富士通推出具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA

。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體推出了具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA,這是富士通FRAM產品系列中第一款保證100萬億讀/寫周期的產品。評估樣品目前可用。
2022-01-10 15:50:314123

使用非易失性FRAM替換SRAM時的問題和解決方案

? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲器產品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億
2022-01-12 15:12:20351

富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX

是一款非易失性存儲器產品,與傳統的非易失性存儲器相比,具有寫入速度快、讀/寫耐久性高、功耗低等優點。 ? 近日富士通半導體推出配備Quad SPI接口的8Mbit?FRAM?MB85RQ8MLX
2022-02-17 15:33:241666

富士通在不同業務場景下的具體變革

富士通近日發布了中文版《Fujitsu Technology and Service Vision 2022(富士通技術與服務愿景,以下簡稱“FT&SV”)》,對富士通面向未來的商業與社會愿景進行了展望。
2022-08-30 10:27:191108

MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無線射頻識別芯片

MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無線射頻識別芯片
2023-11-09 13:59:01432

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