薄膜制程技術突破瓶頸，Oxide TFT高居面板技術主流

　　Oxide TFT將成為下世代顯示面板的基板技術首選。臺日韓面板廠在Oxide TFT技術的研發腳步愈來愈快，不僅已突破材料與薄膜制程等技術瓶頸，更成功展示Oxide TFT顯示器塬型，為該技術商品化增添強勁動能，并有助其成為新一代顯示器基板的技術主流。

　　技術迭有進展　Oxide TFT商用快馬加鞭

　　氧化物薄膜電晶體（Oxide TFT）接近低溫多晶硅（LTPS）TFT的電性水準，并相容于非晶硅（a-Si）TFT生產線與低溫制程。至今，在各國研發單位的技術競爭下，Oxide TFT已有相當驚人的研發成果，甚至已進入商品化。本文主要介紹Oxide TFT技術與發展趨勢，包含國內外技術研發現況、技術挑戰與未來發展趨勢等。此外，亦將說明Oxide TFT在軟性電子的應用。

　　氧化銦錫（ITO）開啟透明導電氧化物（TCO）薄膜的時代，并已成為光電產業最重要的材料之一。另外，透明氧化物半導體（Transparent Oxide Semiconductor）的研究亦如火如荼地展開，以氧化鋅（ZnO）為研究的主流，GaZnO、InZnO、AlZnO亦逐漸嶄露頭角，但尚無穩定的主流材料。

　　直至2003年，東京工業大學教授細野秀雄（Hideo Hosono），在科學（Science）期刊發表單晶態（Crystalline Phase）的銦鎵鋅氧化物（InGaZnO）TFT。由于是單晶態，InGaZnO TFT制程溫度相當高（1，400℃），亦不適合應用在玻璃或塑膠基板等，應用上產生諸多瓶頸。

　　緊接著，2004年細野秀雄再于自然（Nature）期刊發表非晶態（Amorphous Phase）的InGaZnO TFT製作于塑膠基板上，由于低制程溫度（室溫）的優勢，大幅提升其應用性，不僅可製作在玻璃基板，亦可製作在塑膠基板上，因此未來朝向塑膠基板的軟性電子開發已不再是夢。

　　目前薄膜制程方式有兩種，以真空濺鍍（Sputtering）薄膜技術為主，其具備較高電子移動率（》5cm2/V-s），電性表現已超過傳統有機半導體材料與a-Si薄膜（《1cm2/V-s），甚至于與LTPS薄膜相當（10～100 cm2/V-s）；而溶膠/凝膠（Sol-Gel）薄膜技術已從燒結溫度500℃降至200℃以下，因其特殊的制程方式，最終的目標為取代真空制程系統，進而達到無光罩制程，節省材料與制程成本，相信不久的未來，Oxide TFT技術的世代即將來臨。

　　由國際技術研討會論文來看，Oxide TFT的研發腳步越來越快速，臺、日、韓面板廠不約而同採用InGaZnO TFT技術發表最新一代的顯示器產品。

　　本文將針對2012年在美國舉辦的國際顯示資訊研討會（SID）與在日本舉辦的國際顯示器研討會（IDW）做一介紹，并針對以玻璃基板為主的顯示器與以軟性基板為主的軟性顯示器深入剖析。