眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō)，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買(mǎi)得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買(mǎi)到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于
2023-04-06 16:19:01
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本推文主要介碳化硅器件，想要入門(mén)碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習了解。
2023-11-27 17:48:06642 
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學(xué)穩定性良好等特點(diǎn)，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
關(guān)于
光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當于膠片，而
光刻機就是沖洗臺，它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復制到
光刻膠薄膜上，然后通過(guò)刻蝕技術(shù)把電路“畫(huà)”在晶圓上?！ ‘斎?/div>
2020-07-07 14:22:55
，光刻機和單反相機是相似，但兩者的復雜和精密度是完全不可同日而語(yǔ)的。否則坊間哪來(lái)的“ASML的光刻機比氫彈更難搞”呢？ 光刻機之精密 我們是不知道ASML光刻機有沒(méi)有比氫彈更難搞，但是它真的很難搞。舉個(gè)
2020-09-02 17:38:07
PN結器件優(yōu)越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗?！ 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
度又決定了碳化硅（SiC）陶瓷線(xiàn)路板的的高擊穿場(chǎng)強和高工作溫度。其優(yōu)點(diǎn)主要可以概括為以下幾點(diǎn)：1) 高溫工作SiC在物理特性上擁有高度穩定的晶體結構，其能帶寬度可達2.2eV至3.3eV，幾乎是Si
2021-03-25 14:09:37
碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(SCT)表現。具體而言，該實(shí)驗的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗室測量，并借助一個(gè)穩健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導體開(kāi)關(guān)技術(shù)出現得越來(lái)越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段，有望進(jìn)一步改善許多應用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著(zhù)碳化硅技術(shù)的進(jìn)步，未來(lái)還將面臨挑戰，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應用領(lǐng)域。更多規格參數及封裝產(chǎn)品請咨詢(xún)我司人員！附件是海飛樂(lè )技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線(xiàn)的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
上，對介電常數要求嚴格，雖然有低溫共燒陶瓷，仍然無(wú)法滿(mǎn)足他們的要求，需要一種性能更好的升級產(chǎn)品，建議可以使用富力天晟的碳化硅基板；因應汽車(chē)需求而特別開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品（如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等），也在向
2020-12-16 11:31:13
碳化硅的顏色，純凈者無(wú)色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無(wú)
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類(lèi)應用，如汽車(chē)制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領(lǐng)域會(huì )受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場(chǎng)（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動(dòng)芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
`現在處理一批MA-1200光刻機的零件，有需要的朋友請直接聯(lián)系我：137-3532-3169`
2020-02-06 16:24:39
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報價(jià)TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢(xún)熱線(xiàn)TGF2023-2-10現貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠
2018-06-12 10:22:42
通損耗一直是功率半導體行業(yè)的不懈追求?！ ∠噍^于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱(chēng)：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進(jìn)驅動(dòng)技術(shù)研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
公司介紹：上海施邁爾精密陶瓷有限公司自1992 年成立至今已近20 年。公司本著(zhù)可持續發(fā)展的原則致力于研發(fā)、設計、制造、銷(xiāo)售以氧化鋯、氧化鋁、碳化硅、氮化硅、石英 為主要原料的產(chǎn)品。產(chǎn)品廣泛應用
2012-03-26 11:02:31
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著(zhù)第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會(huì )采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開(kāi)碳化硅二極管，第三代半導體材料幾乎都是同時(shí)出現，強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng )能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無(wú)基板模塊?！ 》至⑵骷ㄈ?TO-247）是將碳化硅集成到各種應用中的第一步，但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結合，為硬開(kāi)關(guān)拓撲打造了一個(gè)兼顧品質(zhì)和性?xún)r(jià)比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y
2023-02-28 16:48:24
技術(shù)需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙（WBG）技術(shù)器件應運而生，如碳化硅場(chǎng)效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開(kāi)關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開(kāi)關(guān)電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門(mén)極驅動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個(gè)雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車(chē)級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
的燒結效果。圖 12 給出了一些典型的焊錫和燒結材料的熱導率和工作溫度對比圖。此外，為確保碳化硅器件穩定工作，陶瓷基板和金屬底板也需要具備良好的高溫可靠性。表 2、3分別給出了目前常用的一些基板絕緣材料
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類(lèi)似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動(dòng)兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動(dòng)的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開(kāi)通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個(gè)方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)應用中代表著(zhù)更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(cháng)續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現了，它的特點(diǎn)是：化學(xué)性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì )在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻機作為集成電路制造中最關(guān)鍵的設備，對芯片制作工藝有著(zhù)決定性的影響，被譽(yù)為“超精密制造技術(shù)皇冠上的明珠”，根據之前中芯國際的公報，目...
2021-07-29 09:36:46
黑碳化硅基礎知識
黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成
黑碳化硅是以石英砂，石油焦為主要原料，通過(guò)電阻
2009-11-17 09:37:27757 碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱(chēng)金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240 金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。 碳化硅又稱(chēng)碳硅石。在當
2018-01-03 09:48:4819904 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱(chēng)金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934 
前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405266 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng )新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839 
來(lái)源：中國電子報 日前，國際碳化硅大廠(chǎng)安森美宣布，其在捷克Roznov擴建的碳化硅工廠(chǎng)落成，未來(lái)兩年內產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠(chǎng)Wolfspeed也表示將在美國北卡羅來(lái)納州建造一座價(jià)值數十
2022-10-08 17:02:25872 隨著(zhù)用于半導體制造的光刻系統變得越來(lái)越復雜，組件供應商需要能夠提供最高質(zhì)量的產(chǎn)品以滿(mǎn)足芯片生產(chǎn)當前和未來(lái)的需求?；谏疃葍炔垦邪l(fā)，由高性能SiSiC制成，作為輕質(zhì)碳化硅陶瓷基板，實(shí)現了材料特性的最佳平衡，有助于提高芯片質(zhì)量。
2022-12-01 11:10:17714 前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無(wú)機物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物
2023-02-02 14:50:021981 汽車(chē)碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著(zhù)特斯拉大規模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度升高到一定值時(shí)出現峰值，繼續升高溫度，導電率又會(huì )下降。
2023-02-03 09:31:234410 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅，是一種無(wú)機物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 、功能陶瓷和冶金原料。 1.磨料。 由于碳化硅磨料具有較高的硬度、化學(xué)穩定性和一定的韌性，是一種用途非常廣泛的磨料，可用于制造砂輪、油石、涂附磨具等。主要用于磨削玻璃、陶瓷、石材、鑄鐵和某些有色金屬等非金屬材料
2023-02-05 16:21:2111784 碳化硅主要有四大應用:功能陶瓷、高級耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供應，不能算高新技術(shù)產(chǎn)品，而技術(shù)含量極高的納米級碳化硅粉體的應用短時(shí)間不可能形成規模經(jīng)濟。
2023-02-09 18:09:113371 碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料，由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV，因此一般也會(huì )被稱(chēng)為寬禁帶半導體材料，除了寬禁帶的特點(diǎn)外，碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933 電機碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機的技術(shù)，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導率、高電阻率、低摩擦系數等，來(lái)提高電機的效率、耐久性和可靠性，從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:004556 汽車(chē)碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作汽車(chē)零部件的技術(shù)，它可以提高汽車(chē)零部件的性能，提高汽車(chē)的效率、耐久性和可靠性，并且可以降低汽車(chē)的成本。
2023-02-16 18:21:03497 。
以往關(guān)于碳化硅晶須的研究較多。碳化硅晶須的強度和模量確實(shí)優(yōu)于氮化硅晶須，但Si3N4晶須比SiC具有更優(yōu)良的耐高溫、高
強度、高模量、低膨脹和良好的化學(xué)穩定性，被認為是增強金屬和陶瓷材料的理想增強組元。
2023-02-21 09:13:47
0 晶錠進(jìn)過(guò)晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經(jīng)過(guò)外延生長(cháng)就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過(guò)光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
碳化硅陶瓷線(xiàn)路板是一種基于碳化硅陶瓷材料制成的電路板。它與傳統的FR-4（玻璃纖維增強環(huán)氧樹(shù)脂）電路板相比，具有更高的熱穩定性、更高的絕緣性、更好的耐腐蝕性和機械強度等特性。 碳化硅陶瓷線(xiàn)路板的制造
2023-04-25 15:32:23518 
碳化硅陶瓷線(xiàn)路板是一種基于碳化硅陶瓷材料制成的電路板。它與傳統的FR-4（玻璃纖維增強環(huán)氧樹(shù)脂）電路板相比，具有更高的熱穩定性、更高的絕緣性、更好的耐腐蝕性和機械強度等特性。 斯利通碳化硅陶瓷線(xiàn)路板
2023-04-25 17:59:551924 
首先，讓我們簡(jiǎn)要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個(gè)有趣的事實(shí)是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實(shí)上，碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現的。其獨特的性能非常有前途，以至于今天，我們合成了用于碳化硅功率產(chǎn)品的硬質(zhì)合金。
2023-05-20 17:00:09614 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專(zhuān)業(yè)讀者喜愛(ài)，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場(chǎng)，以及未來(lái)的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 使用化學(xué)機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(cháng)及晶片吸附方式等工藝參數對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數進(jìn)行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點(diǎn)，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料，具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩定性好等優(yōu)良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成，碳化硅由結構單元SiC構成，每個(gè)SiC結構單元都由一個(gè)硅原子
2023-06-05 12:48:351971 眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō)，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買(mǎi)得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買(mǎi)到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著(zhù)極高的要求，
2023-07-10 10:49:09713 
碳化硅，也稱(chēng)為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質(zhì)量的碳化硅僅在過(guò)去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 碳化硅，又稱(chēng)SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質(zhì)量的碳化硅只是在過(guò)去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
碳化硅在溫度傳感器中的應用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力，碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的溫度測量領(lǐng)域中的首選材料。在本文中，我們將討論
2023-12-19 11:48:30207 碳化硅陶瓷應用在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢有哪些？ 碳化硅陶瓷是一種具有廣泛應用潛力的材料，特別是在光纖領(lǐng)域。以下是碳化硅陶瓷在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢。 1. 高溫穩定性：碳化硅陶瓷具有出色的高溫穩定性，能夠在極端環(huán)境
2023-12-19 13:47:10154 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導率、低介電常數等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應用領(lǐng)域具有顯著(zhù)優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場(chǎng)強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14294 
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