在初設計階段,首先要考慮開關電源的一些主要參數,這有助于設計者確 定自己所選的拓撲是否正確,也便于提前預定實驗板所需的元器件。同時可以知 道接下來的設計所需的一些非常重 要的參數。關于如何對“黑箱”進 行估計,設計者只要知道設計指標 中的一些外特性參數就可以了。接 下來就把要設計的電源當成一個黑 箱看待,在這個黑箱里,只定義輸 入和輸出(見圖3-17)。
下面就是一些參數估計:
1.輸出功率
尸。ut =〉: ( Kut (m) ?。ut (m))
2.輸入功率
p
P ^ out
111 _ 7-t
式中‘——估計的開關電源效率。
3.平均輸入電流
^in(avHnom) = 7/~(3 _ 11)
^ inCnom)
式中,下角標“nom”表示額定值。
在輸入電壓時,就可以解出的平均輸入電流。設計者根據這個值決 定變壓器繞組或電感中的導線尺寸。
4.輸入峰值電流
這個參數完全是由事先選定的拓撲決定的。
bp
/Pk = y^-0-12)
V in (min)
式中,A: = 1.4 0(寸于Buck電路、推挽電路和全橋電路)。
& = 2.8 (X寸于半橋電路和正激式電路)。
5.5 (對于 Boost,Buck-Boost 和反激式電路)。
峰值電流的確定有助于反激式電感和變壓器的設計,對于正激式電路,電感 和變壓器的設計這時還無法確定。
5.選擇功率開關管和整流電路
每一種拓撲都可以估計出開關管和整流電路上的電壓、電流應力,這些估計 有90%的可信度。設計過程中,可以在這個階段選好開關管,從而節約寶貴的 時間,以避免在需要時要等待。表3-2的公式實際上可能有些保守,但應用中還
是可以根據這些公式計算的。
表3-2估計功率半導體器件重要參數的值
拓 撲雙極型功半開關MOSFET功申。丌關整流器
^I)S$/i)h
Buck電路^outitVi?Auit
Boosl Hi 路t7〇?2/,丨^out2POIJlV;utAult
;,in (mill)ill (min)
Buck-BoosL 電路^in _ Kxil2Pwt^in _ ^oul2Pout^ia _ ^oul■^oul
I in (min)^in Qniti)
反激式屯路1 - 7 Kin(,lwx)^in (min)1 - 51 ^丨(mHX)2Poul 1?i“(…i”)^ in if
單管爪激式電路2V‘in2I’m1.5/。3V;utit
;,in (mill)ill (min)
推挽式屯路2 Finl-2Fwt I in (min)2Fml-2Fllllf ^in Qniti)■^oul
半橋電路2P?t ^in (min)n,2P〇ut 1?i“(…i”)2 V;,,^ in if
全橋電路41-2P,h1(2V;utit
卩 in (min)^in (miix)
6.估計器件的損耗(這項是可選的)
PWM開關電源各個部分的相應損耗有些足可以根據經驗事先進行佔計。損 耗的比例3然也受設計者的設計方法所影響,在這個階段,我們想耍得到的只是 一個比較接近的估計值。表3-3給出了各個主要拓撲的典型效率和丌關管到整流 輸出各部分損耗rV總損耗的H分比。
表3-3各種拓撲“黑箱估計”的損耗
拓 撲兒關類耶整休佔汁 效率(%)估計各部分損耗占總損耗的1分比P CO
功率j h關 和驅動(%。)輸出核 流器(%)磁性元件 (%)九:他 (%)
雙極型MOS
Buck電路X72424855
X76355555
Boosl?電路X74553555
X77484255
Buck-BoosL 電路X74553555
X77484255
反激式屯路X75444655
X78335755
爪激式電路X74444655
X77335755
推挽式屯路X69504055
X72405055
半橋電路X69484255
X72405055
全橋電路X65504055
X70405055
如果要確定電源各部分相應的損耗,可以W下面公式計算:
尸“:k丨)二尸m (l - 7j) P (%)(3-13)
式屮——設汁部分損耗占電源總損耗的百分比的典型估計值(見表3-3)。
如果拓撲中有多個功率開關,那么issUl)要乘以相應的系數:對于推挽式 電路和半橋電路,該系數為0.5 (50%);對全橋電路,該系數為0.25 (25%)。
在多路輸1丨丨的開關電源屮,佔計每個輸丨I1,整流部分的損耗,要根據這部分輸 丨丨丨功率占總功率的比例來進行佔計,可依據式(3-14)計算。
P山產 Pm (l-Tj)(3-14)
OUl.
這些損耗的數據可用來決記要采用何種相應的平。導休封裝。更確切地說,用 這呰數據來判斷半導體器件是杏要貼到散熱片上去,也可以估汁所需散熱片的大 小。
整個設計程序中,黑筘的估計部分到這里就完全結束了。我們可以看出,對 這些參數進行估計,可以得到一些非常有用的倍息。
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