IGBT模塊驅動及保護技術 摘要:對IGBT柵極驅動特性、柵極串聯電阻及其驅動電路進行了探討。提出了慢降柵壓過流保護和過電壓吸收的有效方法。 Technology of Drive & Protection Circuit for IGBT Module JIANG Huai-gang, LI Qiao, HE Zhi-wei? Abstract:The gate drive characteristic,the gate series resistance and the drive circuit of IGBT are discussed,and the technique of overcurrent protection by reducing gate voltage slowly is presented.It is also given that effective protective method of overvoltage.? Keywords:Switching power supply; IGBT; Driving protection? 中圖分類號:TN386? 文獻標識碼:A? 文章編號:0219-2713(2003)04-0132-05
1? 引言 ??? IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅動的特點,又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優點。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內,故在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。 ??? IGBT是電壓控制型器件,在它的柵極-發射極間施加十幾V的直流電壓,只有μA級的漏電流流過,基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬pF),在驅動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數A的充放電電流,才能滿足開通和關斷的動態要求,這使得它的驅動電路也必須輸出一定的峰值電流。 ??? IGBT作為一種大功率的復合器件,存在著過流時可能發生鎖定現象而造成損壞的問題。在過流時如采用一般的速度封鎖柵極電壓,過高的電流變化率會引起過電壓,為此需要采用軟關斷技術,因而掌握好IGBT的驅動和保護特性是十分必要的。 2? 柵極特性 ??? IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般只能達到20~30V,因此柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極最大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極-集電極間的電容耦合,也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此。通常采用絞線來傳送驅動信號,以減小寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。 ??? 由于IGBT的柵極-發射極和柵極-集電極間存在著分布電容Cge和Cgc,以及發射極驅動電路中存在有分布電感Le,這些分布參數的影響,使得IGBT的實際驅動波形與理想驅動波形不完全相同,并產生了不利于IGBT開通和關斷的因素。這可以用帶續流二極管的電感負載電路(見圖1)得到驗證。
(a)等 效 電 路???????????????????????????????????????????????????? (b)開 通 波 形 圖1? IGBT開關等效電路和開通波形 ??? 在t0時刻,柵極驅動電壓開始上升,此時影響柵極電壓uge上升斜率的主要因素只有Rg和Cge,柵極電壓上升較快。在t1時刻達到IGBT的柵極門檻值,集電極電流開始上升。從此時開始有2個原因導致uge波形偏離原有的軌跡。 ??? 首先,發射極電路中的分布電感Le上的感應電壓隨著集電極電流ic的增加而加大,從而削弱了柵極驅動電壓,并且降低了柵極-發射極間的uge的上升率,減緩了集電極電流的增長。 ??? 其次,另一個影響柵極驅動電路電壓的因素是柵極-集電極電容Cgc的密勒效應。t2時刻,集電極電流達到最大值,進而柵極-集電極間電容Cgc開始放電,在驅動電路中增加了Cgc的容性電流,使得在驅動電路內阻抗上的壓降增加,也削弱了柵極驅動電壓。顯然,柵極驅動電路的阻抗越低,這種效應越弱,此效應一直維持到t3時刻,uce降到零為止。它的影響同樣減緩了IGBT的開通過程。在t3時刻后,ic達到穩態值,影響柵極電壓uge的因素消失后,uge以較快的上升率達到最大值。 ??? 由圖1波形可看出,由于Le和Cgc的存在,在IGBT的實際運行中uge的上升速率減緩了許多,這種阻礙驅動電壓上升的效應,表現為對集電極電流上升及開通過程的阻礙。為了減緩此效應,應使IGBT模塊的Le和Cgc及柵極驅動電路的內阻盡量小,以獲得較快的開通速度。 ??? IGBT關斷時的波形如圖2所示。t0時刻柵極驅動電壓開始下降,在t1時刻達到剛能維持集電極正常工作電流的水平,IGBT進入線性工作區,uce開始上升,此時,柵極-集電極間電容Cgc的密勒效應支配著uce的上升,因Cgc耦合充電作用,uge在t1-t2期間基本不變,在t2時刻uge和ic開始以柵極-發射極間固有阻抗所決定的速度下降,在t3時,uge及ic均降為零,關斷結束。 ??? 由圖2可看出,由于電容Cgc的存在,使得IGBT的關斷過程也延長了許多。為了減小此影響,一方面應選擇Cgc較小的IGBT器件;另一方面應減小驅動電路的內阻抗,使流入Cgc的充電電流增加,加快了uce的上升速度。
圖 2? IGBT關 斷 時 的 波 形 ??? 在實際應用中,IGBT的uge幅值也影響著飽和導通壓降:uge增加,飽和導通電壓將減小。由于飽和導通電壓是IGBT發熱的主要原因之一,因此必須盡量減小。通常uge為15~18V,若過高,容易造成柵極擊穿。一般取15V。IGBT關斷時給其柵極-發射極加一定的負偏壓有利于提高IGBT的抗騷擾能力,通常取5~10V。 3? 柵極串聯電阻對柵極驅動波形的影響 ??? 柵極驅動電壓的上升、下降速率對IGBT開通關斷過程有著較大的影響。IGBT的MOS溝道受柵極電壓的直接控制,而MOSFET部分的漏極電流控制著雙極部分的柵極電流,使得IGBT的開通特性主要決定于它的MOSFET部分,所以IGBT的開通受柵極驅動波形的影響較大。IGBT的關斷特性主要取決于內部少子的復合速率,少子的復合受MOSFET的關斷影響,所以柵極驅動對IGBT的關斷也有影響。 ??? 在高頻應用時,驅動電壓的上升、下降速率應快一些,以提高IGBT開關速率降低損耗。 ??? 在正常狀態下IGBT開通越快,損耗越小。但在開通過程中如有續流二極管的反向恢復電流和吸收電容的放電電流,則開通越快,IGBT承受的峰值電流越大,越容易導致IGBT損害。此時應降低柵極驅動電壓的上升速率,即增加柵極串聯電阻的阻值,抑制該電流的峰值。其代價是較大的開通損耗。利用此技術,開通過程的電流峰值可以控制在任意值。 ??? 由以上分析可知,柵極串聯電阻和驅動電路內阻抗對IGBT的開通過程影響較大,而對關斷過程影響小一些,串聯電阻小有利于加快關斷速率,減小關斷損耗,但過小會造成di/dt過大,產生較大的集電極電壓尖峰。因此對串聯電阻要根據具體設計要求進行全面綜合的考慮。 ??? 柵極電阻對驅動脈沖的波形也有影響。電阻值過小時會造成脈沖振蕩,過大時脈沖波形的前后沿會發生延遲和變緩。IGBT的柵極輸入電容Cge隨著其額定電流容量的增加而增大。為了保持相同的驅動脈沖前后沿速率,對于電流容量大的IGBT器件,應提供較大的前后沿充電電流。為此,柵極串聯電阻的電阻值應隨著IGBT電流容量的增加而減小。 4? IGBT的驅動電路 ??? IGBT的驅動電路必須具備2個功能:一是實現控制電路與被驅動IGBT柵極的電隔離;二是提供合適的柵極驅動脈沖。實現電隔離可采用脈沖變壓器、微分變壓器及光電耦合器。 ??? 圖3為采用光耦合器等分立元器件構成的IGBT驅動電路。當輸入控制信號時,光耦VLC導通,晶體管V2截止,V3導通輸出+15V驅動電壓。當輸入控制信號為零時,VLC截止,V2、V4導通,輸出-10V電壓。+15V和-10V電源需靠近驅動電路,驅動電路輸出端及電源地端至IGBT柵極和發射極的引線應采用雙絞線,長度最好不超過0.5m。
圖 3? 由 分 立 元 器 件 構 成 的 IGBT驅 動 電 路 ??? 圖4為由集成電路TLP250構成的驅動器。TLP250內置光耦的隔離電壓可達2500V,上升和下降時間均小于0.5μs,輸出電流達0.5A,可直接驅動50A/1200V以內的IGBT。外加推挽放大晶體管后,可驅動電流容量更大的IGBT。TLP250構成的驅動器體積小,價格便宜,是不帶過流保護的IGBT驅動器中較理想的選擇。
圖4? 由 集 成 電 路TLP250構 成 的 驅 動 器 5? IGBT的過流保護 ??? IGBT的過流保護電路可分為2類:一類是低倍數的(1.2~1.5倍)的過載保護;一類是高倍數(可達8~10倍)的短路保護。 ??? 對于過載保護不必快速響應,可采用集中式保護,即檢測輸入端或直流環節的總電流,當此電流超過設定值后比較器翻轉,封鎖所有IGBT驅動器的輸入脈沖,使輸出電流降為零。這種過載電流保護,一旦動作后,要通過復位才能恢復正常工作。 ??? IGBT能承受很短時間的短路電流,能承受短路電流的時間與該IGBT的導通飽和壓降有關,隨著飽和導通壓降的增加而延長。如飽和壓降小于2V的IGBT允許承受的短路時間小于5μs,而飽和壓降3V的IGBT允許承受的短路時間可達15μs,4~5V時可達30μs以上。存在以上關系是由于隨著飽和導通壓降的降低,IGBT的阻抗也降低,短路電流同時增大,短路時的功耗隨著電流的平方加大,造成承受短路的時間迅速減小。 ??? 通常采取的保護措施有軟關斷和降柵壓2種。軟關斷指在過流和短路時,直接關斷IGBT。但是,軟關斷抗騷擾能力差,一旦檢測到過流信號就關斷,很容易發生誤動作。為增加保護電路的抗騷擾能力,可在故障信號與啟動保護電路之間加一延時,不過故障電流會在這個延時內急劇上升,大大增加了功率損耗,同時還會導致器件的di/dt增大。所以往往是保護電路啟動了,器件仍然壞了。 ??? 降柵壓旨在檢測到器件過流時,馬上降低柵壓,但器件仍維持導通。降柵壓后設有固定延時,故障電流在這一延時期內被限制在一較小值,則降低了故障時器件的功耗,延長了器件抗短路的時間,而且能夠降低器件關斷時的di/dt,對器件保護十分有利。若延時后故障信號依然存在,則關斷器件,若故障信號消失,驅動電路可自動恢復正常的工作狀態,因而大大增強了抗騷擾能力。 ?? 上述降柵壓的方法只考慮了柵壓與短路電流大小的關系,而在實際過程中,降柵壓的速度也是一個重要因素,它直接決定了故障電流下降的di/dt。慢降柵壓技術就是通過限制降柵壓的速度來控制故障電流的下降速率,從而抑制器件的dv/dt和uce的峰值。圖5給出了實現慢降柵壓的具體電路。
圖5? 實現慢降柵壓的電路 ??? 正常工作時,因故障檢測二極管VD1的導通,將a點的電壓鉗位在穩壓二極管VZ1的擊穿電壓以下,晶體管VT1始終保持截止狀態。V1通過驅動電阻Rg正常開通和關斷。電容C2為硬開關應用場合提供一很小的延時,使得V1開通時uce有一定的時間從高電壓降到通態壓降,而不使保護電路動作。 ??? 當電路發生過流和短路故障時,V1上的uce上升,a點電壓隨之上升,到一定值時,VZ1擊穿,VT1開通,b點電壓下降,電容C1通過電阻R1充電,電容電壓從零開始上升,當電容電壓上升到約1.4V時,晶體管VT2開通,柵極電壓uge隨電容電壓的上升而下降,通過調節C1的數值,可控制電容的充電速度,進而控制uge的下降速度;當電容電壓上升到穩壓二極管VZ2的擊穿電壓時,VZ2擊穿,uge被鉗位在一固定的數值上,慢降柵壓過程結束,同時驅動電路通過光耦輸出過流信號。如果在延時過程中,故障信號消失了,則a點電壓降低,VT1恢復截止,C1通過R2放電,d點電壓升高,VT2也恢復截止,uge上升,電路恢復正常工作狀態。 6? IGBT開關過程中的過電壓 ? 關斷IGBT時,它的集電極電流的下降率較高,尤其是在短路故障的情況下,如不采取軟關斷措施,它的臨界電流下降率將達到數kA/μs。極高的電流下降率將會在主電路的分布電感上感應出較高的過電壓,導致IGBT關斷時將會使其電流電壓的運行軌跡超出它的安全工作區而損壞。所以從關斷的角度考慮,希望主電路的電感和電流下降率越小越好。但對于IGBT的開通來說,集電極電路的電感有利于抑制續流二極管的反向恢復電流和電容器充放電造成的峰值電流,能減小開通損耗,承受較高的開通電流上升率。一般情況下IGBT開關電路的集電極不需要串聯電感,其開通損耗可以通過改善柵極驅動條件來加以控制。 7? IGBT的關斷緩沖吸收電路 ??? 為了使IGBT關斷過電壓能得到有效的抑制并減小關斷損耗,通常都需要給IGBT主電路設置關斷緩沖吸收電路。IGBT的關斷緩沖吸收電路分為充放電型和放電阻止型。 ??? 充放電型有RC吸收和RCD吸收2種。如圖6所示。
(a)RC型????????????????????????????????? ?? (b)RCD型 圖 6??? 充 放 電 型 IGBT緩 沖 吸 收 電 路 ??? RC吸收電路因電容C的充電電流在電阻R上產生壓降,還會造成過沖電壓。RCD電路因用二極管旁路了電阻上的充電電流,從而克服了過沖電壓。 ??? 圖7是三種放電阻止型吸收電路。放電阻止型緩沖電路中吸收電容Cs的放電電壓為電源電壓,每次關斷前,Cs僅將上次關斷電壓的過沖部分能量回饋到電源,減小了吸收電路的功耗。因電容電壓在IGBT關斷時從電源電壓開始上升,它的過電壓吸收能力不如RCD型充放電型。
(a)LC型?????????????????????????????????? (b)RLCD型?????????????????????????? ?? (c)RLCD型 圖7? 三 種 放 電 阻 止 型 吸 收 電 路 ??? 從吸收過電壓的能力來說,放電阻止型吸收效果稍差,但能量損耗較小。 ??? 對緩沖吸收電路的要求是: ??? 1)盡量減小主電路的布線電感La; ??? 2)吸收電容應采用低感吸收電容,它的引線應盡量短,最好直接接在IGBT的端子上; ??? 3)吸收二極管應選用快開通和快軟恢復二極管,以免產生開通過電壓和反向恢復引起較大的振蕩過電壓。 8? 結語 ??? 本文對IGBT的驅動和保護技術進行了詳細的分析,得出了設計時應注意幾點事項: ??? ——IGBT由于有集電極-柵極寄生電容的密勒效應影響,能引起意外的電壓尖峰損害,所以設計時應讓柵極電路的阻抗足夠低以盡量消除其負面影響。 ??? ——柵極串聯電阻和驅動電路內阻抗對IGBT的開通過程及驅動脈沖的波形都有很大影響。所以設計時應綜合考慮。 ??? ——應采用慢降柵壓技術來控制故障電流的下降速率,從而抑制器件的dv/dt和uce的峰值,達到短路保護的目的。 ??? ——在工作電流較大的情況下,為了減小關斷過電壓,應盡量減小主電路的布線電感,吸收電容器應采用低感型。 參考文獻 [1]? Trivedi M.,John V.,Lipo T.A.,Shenai K..Internal dynamics of IGBT under fault current limiting gate control[C].Industry Applications Conference 2000. Conference Record of the 2000 IEEE, 2000,5:2903-2908. [2]? Du T.Mouton H.,Enslin,J.H.R.A resonant turn-off snubber for high power IGBT converters[C]. Industrial Electronics, 1998,Proceedings ISIE′98.IEEE International Symposium on,1998,2:519-523. [3]? 王志良.電力電子新器件及其應用技術[M].北京:國防工業出版社,1995. [4]? 李愛文,張承慧.現代逆變技術及其應用[M].北京:科學出版社,2000. [5]? 丁浩華.帶電流和短路保護的IGBT驅動電路研究[J].電力電子技術[J],1997,31(1). |
IGBT模塊驅動及保護技術
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2021-04-20 10:34:14
大功率IGBT的驅動技術-串并聯技術
看成是一個相對獨立的“子系統”來研究、開發及設計。 大功率igbt驅動保護電路一直伴隨igbt技術的發展而發展,現在市場上流行著很多種類非常成熟的大功率igbt驅動保護電路專用產品,成為大多數設計工
2021-04-06 14:38:18
大功率igbt驅動保護電路的分類
型的大功率igbt驅動保護電路除了提供直接驅動igbt的功能之外,還可以提供完善的保護功能,如hcpl-316j、 m57962等,如圖2和圖3所示,它們一般采用混合厚膜封裝技術或者采用集成封裝技術,可以
2012-07-09 15:36:02
大神求助:EXB841驅動IGBT,過流保護不起作用
我照著EXB841的DataSheet上的應用電路搭了一個IGBT的驅動電路,在測試EXB841的過流保護功能時,發現模塊沒有起作用,IBGT***掉了,三個腿全通,請問大神EXB841的過流保護要怎么弄???比如說我要把過流閾值設置為1A,該如何做?IGBT型號為IRGS30B60KPBF。
2015-05-28 10:21:23
如何進行IGBT保護電路設計
~10V),因而存在著一個與 IGBT配合的問題。通常采用的方法是調整串聯在 IGBT集電極與驅動模塊之間的二極管V的個數,如圖2(a)所示,使這些二極管的通態壓降之和等于或略大于驅動模塊過流保護動作電壓
2011-10-28 15:21:54
工業電機驅動IGBT過流和短路保護
縮小了模塊尺寸,但降低了熱 容量,以至耐受時間進一步縮短。另外,還與IGBT集電極-發射 極電壓有很大關系,因而工業驅動趨向更高直流總線電壓電平 的并行趨勢進一步縮減了短路耐受時間。過去,這一時間范圍
2018-08-20 07:40:12
工業電機驅動中的IGBT過流和短路保護
導通損耗,因而必須作出權衡取舍。IGBT技術的發展正在促成增加短路電流電平,但降低短路耐受時間這一趨勢。此外,技術的進步導致使用芯片尺寸更小, 縮小了模塊尺寸,但降低了熱容量,以至耐受時間進一步縮短
2018-07-30 14:06:29
淺析IGBT門級驅動
,是目前發展最為迅速的新一代電力電子器件。廣泛應用于小體積、高效率的變頻電源、電機調速、UPS及逆變焊機當中。IGBT的驅動和保護是其應用中的關鍵技術。在此根據長期使用IGBT的經驗并參考有關文獻對IGBT
2016-11-28 23:45:03
請問如何實現IGBT模塊的驅動設計?
如何實現IGBT模塊的驅動設計?在設計驅動電路時,需要考慮哪些問題?IGBT下橋臂驅動器件HCPL-316J的主要特征有哪些?上橋臂驅動器HCPL-3120的主要特征有哪些?
2021-04-20 06:24:18
IGBT的驅動與保護電路研究
IGBT的驅動與保護電路研究:對電力電子功率器件IGBT的開關特性、驅動波形、功率、布線、隔離等方面的要求和保護方法進行了分析和討論,介紹了IGBT的幾種基本驅動電路和一種典
2009-05-31 12:33:1564
IGBT驅動保護電路的設計與測試
本文在分析IGBT的動態開關特性和過流狀態下的電氣特性的基礎上,通過對常規的IGBT推挽驅動電路進行改進,得到了具有良好過流保護特性的IGBT驅動電路。該電路簡單,可靠,易用
2009-10-15 11:12:3977
IGBT模塊驅動及保護技術
江蘇宏微科技是一家設計生產半導體器件的高科技公司,公司設計生產各種具有自主知識產權的功率半導體器件。在公司的系列化產品中, IGBT以其高的性價比,高可靠性成為
2009-12-03 13:54:0193
大功率IGBT驅動模塊2SD315A的特性及其應用
大功率IGBT驅動模塊2SD315A 的特性及其應用:介紹了一種適用于大功率IGBT 的新型驅動模塊,該模塊工作頻率高,驅動電流大,具有完善的短路、過流保護和電源監控功能。關鍵詞:模塊
2010-01-07 11:04:27195
IGBT模塊驅動保護要點
IGBT 柵極驅動電壓Uge1/ 理論上Uge≥Uge(th),IGBT 即可開通;一般情況下Uge(th)=5~6V2/ 當Uge 增加時,通態壓降減小,通態損耗減??;但IGBT 承受短路電流能力減??;當Uge
2010-03-14 18:50:4156
IGBT驅動模塊EXB841使用方法的改進
IGBT驅動模塊EXB841使用方法的改進
摘要: 本文對目前在電力電子技術中廣泛使用的IGBT驅動模塊EXB841的使用方法進行了改進,克服了EXB841本身的缺陷,提高了保護
2010-05-08 15:11:3684
IGBT智能化驅動電路設計
摘要:IGBT的驅動電路是應用IGBT開關管的關鍵技術,一個性能好的驅動電路不僅能有效地驅動IGBT,而且能可靠地保護IGBT。本文介紹了一種半橋電路專用的高壓大電流IGBT智能化驅動電
2010-05-12 09:58:5263
IGBT模塊驅動及保護技術
IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅動的特點,又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優點。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻
2010-08-11 16:14:17132
交流逆變器中IGBT的驅動與保護
系統介紹逆變器中IGBT 的驅動與保護技術, 給出了IGBT 對驅動電路的要求, 介紹了三菱公司的IGBT
驅動電路M 57962L 以及IGBT 的過壓、過流、過熱保護等措施。這些措施實
2010-10-13 15:45:2884
級聯功率單元IGBT的驅動與保護研究
IGBT 驅動保護方式直接關系到IGBT 壽命、輸出波形畸變率、甚至包括系統可靠性與穩定性。目的在于研究功率單元IGBT 的驅動與保護,為此首先分析了各種驅動方案的優缺點,然后確
2010-10-13 15:46:2043
由IXDN404組成的IGBT保護與驅動電路
圖2為IXDN404組成的IGBT實用驅動與保護電路,該電路可驅動1200V/100A的IGBT,驅動電路信號延遲時間不超過150ns,所以開關頻率圖2由IXDN404組成的IGBT保護與驅動電路圖1IXDN404電路原理圖可
2009-06-30 20:33:491767
30kVA逆變電源中IGBT的驅動與保護
30kVA逆變電源中IGBT的驅動與保護
摘要:系統介紹30kVA逆變電源中IGBT的驅動與保護技術。提出IGBT對驅動電路的要求,介紹三菱的IGBT驅動電路M57962L和逆變電源中IGBT
2009-07-11 08:43:29912
IGBT驅動保護電路的改良設計
在實際應用電力電子技術過程中,絕緣柵雙極晶體管( IGBT ) 驅動保護電路的合理設計應根據具體器件的特性,選擇合適的參數,使之實現最優驅動和有效可靠的保護。文中針對具體工程,對
2011-08-17 15:54:46113
IGBT模塊驅動電路的分析與設計
闡述了IGBT 驅動電路的基本特點, 針對模塊器件的特點, 設計了一緊湊、實用的驅動電路板, 解決了功率電子電路中電源多的問題L 試驗證明, 此電路可靠, 具有可拓展性和保護功能.
2012-05-02 14:52:01142
IGBT的驅動和過流保護電路的研究
本文主要研究了IGBT的驅動和短路保護問題,就其工作原理進行分析,設計出具有過流保護功能的驅動電路,并進行了仿真研究。
2012-10-10 17:11:051755
IGBT模塊驅動及保護技術
2013-07-09 23:47:1559
幾種IGBT驅動電路的保護電路原理圖
本文為您介紹幾種常見的IGBT驅動電路原理及其保護電路,EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅動電路、2SD315A集成驅動模塊,并附上電路原理圖。
2016-08-04 17:48:2818083
IGBT驅動電路作用與設計詳解,如何選擇IGBT驅動器
IGBT驅動電路的作用是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作,同時對IGBT模塊進行保護。IGBT 驅動電路的作用對整個IGBT構成的系統來說至關重要
2017-06-05 14:21:1227214
淺談最簡單的7管封裝IGBT模塊
了,由穿透型發展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎上同步發展,單管模塊,半橋模塊,6管模塊,到現在的7管模塊。IGBT驅動設計上比較復雜,需要考慮較多的因素,諸如合理的選擇驅動電壓Uge和門極驅動電阻Rg,過流過壓保護等都是很重要的。IGBT模塊
2017-11-14 14:20:2025
各種IGBT驅動電路和IGBT保護方法解析
、 2SD315A 集成驅動模塊、IGBT短路失效機理和IGBT過流保護方法。 驅動電路的作用是將 單片機 輸出的脈沖進行功率放大,以驅動IGBT.保證IGBT的可靠工作,驅動電路起著至關重要的作用
2017-12-11 10:05:09137
一文解讀IGBT驅動關鍵技術及過流和短路保護
為解決中、大功率等級IGBT的可靠驅動問題,本文提出了驅動電路的關鍵參數設計方案。同時,在變流器極端工況下研究了IGBT的相關特性,提出了極端工況IGBT的保護措施,包括IGBT柵極電壓應力防護、VCE電壓應力抑制、過流與短路等工況的保護措施及工作原理。
2018-06-17 09:57:0032144
IGBT驅動模塊的設計資料免費下載
本文檔的主要內容詳細介紹的是IGBT驅動模塊的設計資料免費下載。如圖 1 所示,驅動模塊由三個部分組成:電源,信號傳輸電路和保護邏輯電路。
2019-07-03 08:00:0015
IGBT模塊驅動及保護技術的詳細資料說明
IGBT 是 MOSFET 和雙極晶體管的復合器件。它既有 MOSFET 易驅動的特點,又具有功率晶體管高電壓、電流大等優點。其特性發揮出 MOSFET 和功率晶體管各自的優點,正常情況下可工作于幾十 kHz 的頻率范圍內,故在較高頻率應用范圍中,其中中、大功率應用占據了主導地位。
2019-07-16 08:00:004
IGBT驅動保護電路的分類與發展趨勢及保護電路的分析與研究
介紹了IGBT門極驅動保護電路的分類,分析了IGBT驅動保護電路的發展趨勢,對常用IGBT驅動器如光耦隔離型、變壓器隔離型等典型電路進行了分析,并將市場上常用廠家生產的IGBT驅動器工作參數和性能
2019-12-26 14:33:0553
三種IGBT驅動電路和保護方法
三種IGBT驅動電路和保護方法(新型電源技術作業答案)-三種IGBT驅動電路和保護方法,非常不錯,受益頗多,感興趣的可以看看,值得一看。
2021-09-17 17:01:45292
BJT,MOSFET和IGBT的智能功率模塊解析
智能功率模塊(IPM)是一種功率半導體模塊,可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個封裝中。它包括所需的驅動電路和保護功能,以及IGBT。這樣,可以通過可用的IGBT技術獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142429
igbt驅動電路圖
igbt驅動電路圖 典型的IGBT驅動電路 如圖為典型的IGBT驅動電路圖。電路以混合IC?EXB840驅動模塊和外圍元器件組成。驅動信號輸入接SPWM控制電路輸出端。過流信號輸出端接SPWM
2023-02-06 10:40:3012474
常見IGBT模塊及原理分析
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導體器件,它是由多個IGBT芯片、反并聯二極管、驅動電路、保護電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據結構、電壓、電流、功率等參數進行分類。
2023-02-20 17:32:254882
在逆變器中驅動和保護IGBT
在逆變器中驅動和保護IGBT 介紹ACPL-339J是一款先進的1.0 A雙輸出,易于使用,智能的手機IGBT門驅動光耦合器接口。專為支持而設計MOSFET制造商的各種電流評級,ACPL-339J
2023-02-22 14:54:521
IGBT功率模塊是什么?
IGBT功率模塊是指采用lC驅動,利用最新的封裝技術將IGBT與驅動電路、控制電路和保護電路高度集成在一起的模塊。其類別從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
2023-02-22 15:02:552865
IGBT的短路保護和過流保護
IGBT保護的問題 現在只總結IGBT驅動電路和驅動芯片能保護到的IGBT的項。1.Vce過壓2.Vge過壓3.短路保護4.過高的di/dt 主要是看一下短路保護和過流保護短路的定義1.橋臂內短路
2023-02-23 09:57:0015
大功率IGBT模塊及驅動技術
大功率igbt驅動保護電路一直伴隨igbt技術的發展而發展,現在市場上流行著很多種類非常成熟的大功率igbt驅動保護電路專用產品,成為大多數設計
工程師的首選;也有許多的工程師根據其電路的特殊要求
2023-02-24 10:51:3613
什么是IGBT模塊(IPM Modules)
高功率、高電壓和高頻率的需求。
IGBT模塊的基本構成包括多個IGBT器件、驅動電路、保護電路和散熱結構。這些組件相互協作,使得IGBT模塊能夠在復雜的電力應用中發
2023-09-12 16:53:531805
igbt模塊的作用和功能 igbt有電導調制效應嗎?
igbt模塊的作用和功能 igbt有電導調制效應嗎? IGBT模塊是一種封裝了多個IGBT晶體管、驅動電路和保護電路的半導體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號轉換成高電壓低電流的輸出信號,而且
2023-10-19 17:01:221316
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