并聯推挽源極跟隨器電路圖
2009-08-13 15:47:09
748 
一 推挽逆變器的原理分析
主電路如圖1所示：
Q1，Q2理想的柵極（UG1,UG2）漏極(UD1,UD2)波形
2010-07-27 10:25:157808 
柵極驅動電壓由觸發脈沖通過推挽輸出電路提供。當觸發脈沖為高電平，V5 截止，推挽輸出電路基極為低電平，V3 截止，V4 導通，從負載抽取電流，柵極得到負壓封鎖電平。當觸發脈沖
2012-05-03 10:26:551833 
推挽電路，有人也叫圖騰柱電路。圖騰柱我沒理解這個名字是怎么來的，但是“推挽”就比較形象了。
2023-04-25 12:32:412095 
推挽電路（push-pull）就是兩個不同極性晶體管間連接的輸出電路。推挽電路采用兩個參數相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于電路中，各負責正負半周的波形放大任務，電路工作時，兩只
2023-05-25 14:09:52957 
在做信號控制以及驅動時，為了加快控制速度，經常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結構組成：上P下N，上N下P。其原理圖分別如下所示。
2023-06-06 14:10:01790 
N型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質半導體?！?在純凈的電子發燒友體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。在N型半導體中
2016-10-14 15:11:56
N型半導體和P型半導體通過工藝做成PN結就是二級管。二極管只有一個PN結，為什么二極管型號要分N型二極管和P型二極管？二者有什么區別?謝謝！[此貼子已經被作者于2009-3-10 17:19:59編輯過]
2009-03-08 17:01:37
的兩種結構：N溝道型和P溝道型由于制造工藝的原因，P溝的MOS管通常比N溝的MOS管具有更大的導通電阻，這意味著導通功耗會更大。這是選擇時需要注意的地方。一般而言，如果是低邊開關應用，使用N溝MOS管
2023-02-17 14:12:55
為正時，它充當增強型MOSFET。N溝道場效應管與P溝道場效應管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負載，當柵極施加正電壓時，FET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
N溝道增強型MOS場效應管的結構示意圖和電路符號如下圖所示，用一塊摻雜濃度較低的P型硅片作為襯底，在其表面上覆蓋一層二氧化硅（SiO2）的絕緣層，再在二氧化硅層上刻出兩個窗口，通過擴散形成兩個高
2015-06-12 09:24:41
耗盡型的MOS場效應管制造過程中預先在二氧化硅的絕緣層中摻入了大量的正離子，因此，即使柵極不加電壓（UGS=0），由于靜電感應，這些正離子產生的電場也能在P型襯底中“感應”出足夠多的負電荷，形成
2015-06-15 18:03:40
中的自由電子是大多數載流子。在p材料中產生的少數自由電子和通過熱攪拌，光子和其他原因在N材料中產生的少數空穴（在圖1中用正方形內的符號表示）是少數載流子?！ ?b class="flag-6" style="color: red">P-N結 手頭有N型和P型晶體，只需機械按壓即可
2023-02-23 16:46:46
P型MOS管開關電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導
2021-10-28 10:07:00
本帖最后由 夜孤影 于 2019-2-2 16:25 編輯
如題所示，我設計了一個用P型，N型mosfet管來控制電機的的電路，但是在我實際所搭的電路中，N型MOSFET管控制正常，G端高電平
2019-02-02 16:24:33
相反。由于其中存在可用的P型雜質，因此該MOSFET中的通道是預先構建的。一旦在柵極端施加負 (-) 電壓，N型中的少數電荷載流子(如電子)就會被吸引到P型溝道。在這種情況下，一旦漏極反向偏置，則器件
2022-09-27 08:00:00
是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
在做推挽電路實驗的時候，在輸出端測得的信號頂部出現黑塊，有沒有知道原因的，求解答
2024-03-17 09:43:05
推挽電路是兩個參數相同的三極管或MOSFET，以推挽方式存在于電路中，各負責正負半周的波形放大任務，電路工作時，兩只對稱的功率開關管每次只有一個導通，所以導通損耗小、效率高。輸出既可以向負載灌電流，也可以從負載抽取電流。推拉式輸出級既提高電路的負載能力，又提高開關速度。
2019-05-31 07:20:28
如圖下【1】推挽電路是不是必須要雙電源（+Vcc和-Vcc）供電才能工作？下圖的推挽電路，這樣下管接地對嗎？【2】按照下圖來分析，當輸入Ui為正半周時（即工作在“推”階段時），電路容易分析，上管導
2019-10-12 21:32:45
描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅動器所需的隔離式正負電壓軌。IGBT 在變頻驅動器的三相逆變器中用于控制交流電機的轉速。此參考設計使用推挽式
2018-09-20 08:49:06
Q2來實現的，對控制電路的約束隨之增加：Q1和Q2絕不能同時使能?！窈芏嗲闆r下，串聯FET是N溝道器件。這要求控制電路產生一個高于HPA漏極電壓的電壓才能開啟?？刂?b class="flag-6" style="color: red">電路的設計方法已是眾所周知且行之有效
2019-02-27 08:04:56
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
問:為什么現在的CMOS工藝一般都是用P襯底而不是N襯底？兩者有什么區別??？答:為什么CMOS工藝采用P襯底，而不用N襯底？這主要從兩個方面來考慮：一個是材料和工藝問題；另一個是電氣性能問題。P型
2012-05-22 09:38:48
的接地方式相同，結型FET放大電路也有多種接地方式。最一般的源極接地電路和自偏置電路n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反。FET源極接地電路
2017-04-19 15:53:29
以STM32參考手冊中的GPIO輸出配置圖為例：看到輸出驅動器虛線框中的內容，輸出驅動器中的P-MOS和N-MOS兩個MOS管就是實現推挽輸出和開漏輸出的關鍵。推挽輸出模式下，P-MOS和N
2022-02-28 06:48:51
LVS文件有沒有語句讓P型AA于N型AA之間產生聯系呢？
2023-03-15 10:16:42
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅動方式
2021-03-29 07:29:27
電路中采用N溝道和P溝道mos管的原因?！ ∩疃确治?b class="flag-6" style="color: red">下該典型電路：當漏極電壓升高，場效應管的夾斷電壓也會隨之升高;當源級的電壓變化特別是變小時，MOS管的源級電壓會伴隨著場效應管的打開與關閉實現電壓
2019-01-02 13:50:05
流。同理，當二極管加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時，這時在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端，電子不移動，其PN結沒有電流通過，二極管截止。在柵極沒有
2018-10-27 11:36:33
)：10uA反向恢復時間(trr)：158NS工作溫度：-55~+150℃ 1、20N20三個極怎么判定G極(gate)—柵極，不用說，比較容易識別S極(source)—源極，無論是P溝道還是N溝道，兩條線
2021-12-28 17:08:46
燒毀。但是盡管如此，還是不能直接外接大功率器件，須加大功率及隔離電路驅動，防止燒壞芯片或者外接器件無法正常工作。 P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管組成的單元電路使得GPIO具有
2022-12-22 18:10:27
的結果 他的電壓是從4.6V隨著時間慢慢掉到一點幾V，想請教一下 ：1.出現這種波形的原因 2.如果下面兩個N管都關斷，那么兩個P管的柵極電壓應為多少
2021-06-24 06:54:43
控制柵極使mos導通與否，C10接了個100n的chip,原因是什么？如果跟控制開關時間有關，為何要控制？圖中藍色是仿真的柵極的信號，下面的圖是加了小電容的結果，謝謝幫忙。
2017-06-03 08:59:36
有一個圖表代表一個電路，其目的是根據微控制器中編程的邏輯啟用/禁用兩個LED。在下面的電路中，據我所知，有兩個n型晶體管，它們分別有一個電阻連接它們的柵極和它們的源極。我的問題是：為什么需要標記電阻？（紅圈）
2018-08-21 10:35:11
為啥第八部視頻的mos管驅動上管采用N管和P管，而下管采用推挽輸出，并且下管的驅動信號為什么不直接推挽輸出的基極，而通過兩個三極管把相位取兩次反
2018-10-25 14:36:08
`推挽電路：推挽電路就是兩不同極性晶體管連接的輸出電路。推挽電路采用兩個參數相同的功率 BJT 管或MOSFET 管，以推挽方式存在于電路中，各負責正負半周的波形放大任務，電路工作時，兩只對稱的功率
2011-11-02 10:27:38
二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應該可以測得到電阻一般為幾千歐以內。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅動電路分析下面是常見的MOS管驅動電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅動信號是低電平時起到快速關斷的作用。一般在H橋驅動電路中需要加此二極管起到“慢開快關
2021-12-31 06:20:08
管理3v電源的開關，這個原理也用于電平轉換?！ ?、n型mos管應用?！ ∫话阌糜诠芾砟?b class="flag-6" style="color: red">電路是否接地，屬于無觸點開關，柵極高電平就導通導致接地，低電平截止。當然柵極也可以用負電壓截止。其高電平可以高過
2019-03-08 11:04:10
對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的?！ 。ㄒ唬㎝OS管的使用優勢 MOS管是電壓控制元件
2018-11-19 15:20:28
卻高達1012~1015Ω量級。通常蓋在S和d之間的二氧化硅薄層上，形成柵極g?！ ?b class="flag-6" style="color: red">N溝道增強型MOS管的電路符號如圖3所示。箭頭方向表示P襯底指向N溝道，三根短線分別代表源s、漏d和襯底b。同時
2020-06-24 16:00:16
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
這是我設計的一個單片機驅動光耦控制電機轉停的電路，大家看下電路設計對嗎？單片機在光耦驅動位拉高引腳，輸出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
是因為N溝道的RDS(on)小于P溝道的，并且通過在柵極上施加正電壓導通。MOSFET多數是載流子器件， N溝道MOSFET在導電過程中有電子流動。 P溝道在導電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子
2021-04-09 09:20:10
甚至繼電器，但電阻的驅動是有限的，最大高電平輸出電流=(vcc-Vh)/r; 另一種是互補推挽輸出，采用2只晶體管，一只在上一只在下，上面的一只是n型，下面為p型(以三極管為例)，兩只管子的連接為
2019-05-24 09:07:33
松下電磁灶電路圖-KY-p2N型
2008-07-13 15:44:04
下面的P區表面。當UGS大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時，柵極下P區表面的電子濃度將超過空穴濃度，使P型半導體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結J1消失，漏極和源極導電。理解
2020-03-04 10:11:00
驅動能力強的原因是因為驅動電壓上限可以到VCC，而關閉電壓下限可以到GND？4.基準電路用高精度電阻分壓還是用TL431，在什么場合TL431這種標準的基準源時必須的？5.運放跟隨、π型濾波后ADC
2022-08-19 15:05:19
請問有沒有相應的模塊能夠在不用上位機的情況下對PLC進行數據采集
2015-04-07 18:02:45
器件。一旦在MOSFET的柵極端施加電壓，源極溝道的漏極電阻將變得更大。當柵源電壓增加更多時，從漏極到源極的電流將減少，直到電流從漏極到源極的流動停止。耗盡型MOSFET有兩種類型，分別是P溝道和N溝道
2022-09-13 08:00:00
達成這樣目的的元件。我們在半導體硅里進行兩種參雜，如上圖上兩個小u型槽里進行N型參雜，其他的地方進行P型參雜，這樣N型參雜與P型參雜的界面會形成耗盡層。上下電路微電路一，左右連接N極的為電路二。由于
2023-02-14 15:15:13
繼續增大時，N區與P型襯底中的電子被進一步吸附到柵極下的襯底表面，直到電子的濃度大于空穴濃度，原來兩個N區中間的P型襯底變換為N型，并將兩側的N區連通。我們把剛剛能使源-漏兩極之間能夠導通的電壓稱為
2023-02-10 15:58:00
上兩個小u型里進行N型參雜，其他的地方進行P型參雜，這樣N型參雜與P型參雜的界面會形成耗盡層。我們用電路連接左N級與右N極（電路一），打開電源，根據我們上節所講的PN結，電流不能從N極到P級，所以是
2023-02-14 15:19:49
請問一下大神有VN05N柵極驅動器的替代品嗎？
2022-12-21 07:08:20
如圖所示，這個功率放大電路算推挽輸出嗎？圖中L6是變壓器。如果是推挽輸出的話為什么用的放大管是一樣的，不應該是一個N一個P嗎？幫忙分析下
2016-12-14 16:58:35
逆變電路幾種拓撲結構，半橋不是推挽的一種嗎？半橋和推挽的原理，誰來普及下！
2022-12-15 18:59:30
的P型半導體中（見圖b），形成電流以使源極和漏極之間導通。我們也可以想象成兩個N型半導體之間有一條溝，柵極電壓的建立就相當于在它們之間架起了一座橋梁，電橋的大小由柵極電壓的大小決定。
2021-12-02 16:30:54
`描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅動器所需的隔離式正負電壓軌。IGBT 在變頻驅動器的三相逆變器中用于控制交流電機的轉速。此參考設計使用推挽
2015-03-23 14:35:34
`描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅動器所需的隔離式正負電壓軌。IGBT 在變頻驅動器的三相逆變器中用于控制交流電機的轉速。此參考設計使用推挽
2015-04-27 17:31:57
DESAT 檢測和米勒鉗位保護的增強型隔離式 IGBT 柵極驅動器，支持將單極電源電壓用于柵極驅動器。此參考設計將基于開環推挽式拓撲的電源用于每個柵極驅動器，從而使 PCB 布線具有靈活性。在
2018-10-19 15:30:07
電子管音頻放大器技術基礎(十五)-推挽功放中的倒相電路:存推挽功率放大器中，要完成兩只功放電了．管的推挽工作，必須在兩只功放管的柵極輸入幅度相等、相位相反的推動信
2009-12-12 08:30:55
228 本文分析了以電阻為負載的傳統三也TTL反相器的缺點，借鑒二值TTL推挽輸出極結構，設計了三值TTL電路的推挽輸出級．用SPICE I對設計電路的計算機模擬明，具有推挽輸出結椅的三值T
2010-04-30 10:16:4225 哈曼卡頓A250推挽電路圖
2007-11-18 22:20:252430 
哈曼卡頓citation II推挽電路圖
2007-11-18 22:23:102548 
推挽放大電路圖三例
2007-11-25 12:09:352401 
6p3p推挽電路圖
2008-03-31 12:48:1121258 
6n5p推挽電路圖
6p9p+6n5p推挽電路圖
6n5p推挽電路圖
2008-03-31 12:54:0511973 
6p9p推挽電路圖
2008-03-31 12:55:208268 
推挽開漏
推挽電路（互補型電路），用兩個參數相同的三極管或MOSFET,以推挽方式存在於電路中,各負責正負半周的波形放
2008-06-30 16:30:132304
FD422推挽電路
2009-01-24 01:02:2110634 
自激推挽逆變電路圖
2009-05-06 14:25:234557 
推挽型變換器的電路
圖：推挽型變換電路S1和S2輪流導通，將在二次側產生交
2009-05-12 20:56:061514 
推挽型與半橋型變換電路
（a）推挽型 &
2009-07-25 08:55:585627 
推挽源極跟隨器電路圖
2009-08-08 16:47:211043 
4并聯推挽源極跟隨器電路圖
2009-08-13 15:42:47689 
推挽式單相逆變電路
很簡單的單相
2010-03-03 16:05:224036 
IGBT的柵極出現過壓的原因: 1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓.
2011-01-29 19:18:352679 
推挽式電路是一種放大電路，它按功放輸出級放大元件的數量，可以分為單端放大器和推挽放大器。
2017-05-18 14:56:1611736 
分享幾款6n5推挽電路圖，包括6n5推挽電路圖、6n5P推挽電路圖、6N16B推挽電路圖、6N11+6N5推挽電路圖、6T1+6N15推挽電路圖等推挽電路圖。
2017-11-02 16:02:4624799 
推挽放大電路、推挽放大電路工作原理、A類放大電路、B類放大電路、AB類放大電路、如何降低推挽放大電路的交叉失真。
2023-01-31 13:20:168800 在做信號控制以及驅動時，為了加快控制速度，經常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結構組成：分別是上P下N，以及上N下P。其原理圖如下所示，
2023-02-02 09:12:13507 在做信號控制以及驅動時，為了加快控制速度，經常要使用推挽電路。 推挽電路可以由兩種結構組成：分別是上P下N，以及上N下P。 其原理圖如下所示。
2023-03-13 14:04:2312451 
推挽電路是由兩個三極管或MOSFET，以推挽方式存在于電路中，電路工作時，兩只對稱的開關管每次只有一個導通，所以導通損耗小、效率高、既提高電路的負載能力，又提高開關速度。
2023-03-14 15:58:179767 
上節介紹了差分電路的中間級，這節給差分電路加上推挽電路（功率輸出），如圖。
2023-04-25 15:46:441355 
上節我們給差分電路加入一個簡單的推挽電路，如圖。
2023-04-25 15:47:37761 
推挽電路，有人也叫圖騰柱電路。圖騰柱我沒理解這個名字是怎么來的，但是“推挽”就比較形象了。
2023-05-16 09:33:015345 
在做信號控制以及驅動時，為了加快控制速度，經常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結構組成：上P下N，上N下P。其原理圖分別如下所示。
2023-05-17 09:33:59929 
在做信號控制以及驅動時，為了加快控制速度，經常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結構組成：分別是上P下N，以及上N下P。
2023-05-23 18:20:191183 
IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？
2023-09-16 08:32:131715 
MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 推挽電路的坑，你踩過沒？
2023-11-24 16:25:06498 
柵極型推挽電路為什么不用上P下N
2023-12-07 16:11:072450 
在音頻放大器中，推挽電路常用于放大音頻信號，并驅動揚聲器以產生清晰的聲音。推挽電路能夠輸出較大的電流，適合驅動揚聲器等需要較大驅動能力的負載。
2024-02-05 17:31:14682
電子發燒友App
工商網監
評論