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電子發燒友網>模擬技術>采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列

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2020-11-12 07:11:55

車用SiC元件討論

的兩種SiC功率MOSFET,電流強度為45A,輸出電阻小于100微歐姆。這些元件將采用HiP247新型封裝,該封裝是專為SiC功率元件而設計,以提升其散熱性能。SiC的導熱率是矽的三倍。以意法半導體
2019-06-27 04:20:26

輕觸開關四引腳怎么連接?

輕觸開關四引腳怎么連接
2016-02-22 16:40:04

通過驅動器源極引腳將 開關損耗降低約35%

為RG_EXT=10Ω、VDS=800V,ID約為50A時的波形。紅色曲線的TO-247-4L為4引腳封裝,藍色的TO-247N為以往的3引腳封裝,其中的SiC MOSFET芯片是相同的。我們先來
2020-07-01 13:52:06

驅動新一代SiC/GaN功率轉換器的IC生態系統

),支持最高開關頻率和150 kV/μs的最高共模瞬變抗擾度。ADuM4121提供5 kV rms隔離,采用寬體8引腳SOIC封裝。圖3. ADuM4135框圖圖4. ADuM4121框圖圖5.
2018-10-22 17:01:41

LM339電壓比較器采用SOP-14封裝-lm339引腳圖及功能

供應LM339電壓比較器采用SOP-14封裝,提供lm339引腳圖及功能關鍵參數 ,主要應用于消費類和工業類電子產品中,進行電平檢波和低電平探測。更多產品手冊、應用料資請向深圳驪微電子申請。>>     
2023-06-07 15:49:31

ROHM開發出采用4引腳封裝SiC MOSFETSCT3xxx xR系列

 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發出6款溝槽柵結構※1)SiC MOSFETSCT3xxx xR系列”產品(650V/1200V耐壓),非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。
2019-09-24 14:39:281964

SiC MOSFET為什么會使用4引腳封裝

ROHM 最近推出了 SiC MOSFET 的新系列產品“SCT3xxx xR 系列”。SCT3xxx xR 系列采用最新的溝槽柵極結構,進一步降低了導通電阻;同時通過采用單獨設置柵極驅動器
2020-11-25 10:56:0030

安森美推出采用TOLL封裝SiC MOSFET

。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關器件迅速增長的需求。直到最近,SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。
2022-05-11 11:29:332312

一文深入了解SiC MOSFET柵-源電壓的行為

具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比,SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532945

橋式結構中低邊SiC MOSFET關斷時的行為

具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比,SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:421114

低邊SiC MOSFET導通時的行為

本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產品相比,SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301

低邊SiC MOSFET關斷時的行為

通過驅動器源極引腳改善開關損耗本文的關鍵要點?具有驅動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝產品相比,SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335

采用4引腳封裝的原因

ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列產品“SCT3xxx xR系列”。
2023-02-16 09:55:04931

車規級功率模塊封裝的現狀,SiC MOSFET對器件封裝的技術需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求 2、車規級功率模塊封裝的現狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419

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