電腦硬件基礎篇內存（內存工作原理及作用_特性參數及型號和位置）

內存是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內存中進行的，因此內存的性能對計算機的影響非常大。內存（Memory）也被稱為內存儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬盤等外部存儲器交換的數據。只要計算機在運行中，CPU就會把需要運算的數據調到內存中進行運算，當運算完成后CPU再將結果傳送出來，內存的運行也決定了計算機的穩定運行。內存是由內存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

內存的工作原理

既然內存是用來存放當前正在使用的（即執行中）的數據和程序，那么它是怎么工作的呢？我們平常所提到的計算機的內存指的是動態內存（即DRAM），動態內存中所謂的動態，指的是當我們將數據寫入DRAM后，經過一段時間，數據會丟失，因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。以相同速度高速地、隨機地寫入和讀出數據（寫入速度和讀出速度可以不同）的一種半導體存儲器。

簡稱RAM。RAM的優點是存取速度快、讀寫方便，缺點是數據不能長久保持，斷電后自行消失，因此主要用于計算機主存儲器等要求快速存儲的系統。按工作方式不同，可分為靜態和動態兩類。

靜態隨機存儲器（SRAM）的單元電路是觸發器，存入的信息在規定的電源電壓下便不會改變。SRAM速度快，使用方便。

動態隨機存儲器（DRAM）的單元由一個金屬-氧化物-半導體（MOS）電容和一個MOS晶體管構成，數據以電荷形式存放在電容之中，需每隔2～4毫秒對單元電路存儲信息重寫一次（刷新）。DRAM存儲單元器件數量少，集成度高，應用廣泛。

內存的作用

內存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows98系統、打字軟件、游戲軟件等，一般都是安裝在硬盤等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調入內存中運行，才能真正使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個游戲，其實都是在內存中進行的。通常我們把要永久保存的、大量的數據存儲在外存上，而把一些臨時的或少量的數據和程序放在內存上。 內存分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動態隨機存儲器，它的一個主要特征是斷電后數據會丟失，我們平時說的內存就是指這一種；后者又叫只讀存儲器，我們平時開機首先啟動的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去調用硬盤中的Windows98或Windows95系統，ROM的一個主要特征是斷電后數據不會丟失。

內存的參數

關于內存人們普遍關心的各種技術指標，一般包括引腳數、容量、速度、奇偶校驗等。內存條通常有8MB、16MB、32MB、64MB、128MB、256MB、512MB、1GMB等容量級別，其中512GMB內存已成為當前的主流配置。內存條芯片的存取時間是內存的另一個重要指標，其單位以納秒（ns）表示。內存條有無奇偶校驗位是人們常常忽視的問題，奇偶校驗對于保證數據的正確讀寫起到很關鍵的作用，尤其是在進行數據量非常大的計算中。標準型的內存條有的有校驗位，有的沒有；非標準的內存條均有奇偶校驗位。

對于SDRAM，我們必須通過至少3個參數來評估其性能的好壞。

（1）系統時鐘循環周期---他表示了SDRAM能運行的最大頻率。譬如：一塊系統時鐘頻率為10ns的SDRAM的芯片，他可以運行在100MHz的頻率下。絕大多數的SDRAM芯片能達到這個要求。顯然，這個數字越小，SDRAM芯片所能運行的頻率就越高。對于現代（Hyundai）PC-100 SDRAM，它的芯片上所刻的-10代表了其運行的時鐘周期為10ns，他可以跑100MHz的外頻。根據現代的產品數據表我們可以知道這種芯片的存取數據的時間（以下會講到該指標）為6ns。

（2）存取時間---類似于EDO/FPM DRAM，他代表了讀取數據所延遲的時間。絕大多數SDRAM芯片的存取時間為6，7，8或10ns?？墒乔f不要和系統時鐘頻率所混淆。許多人都把存取時間當作這塊SDRAM芯片所能跑的外頻。對于高士達（GOLDSTAR）PC-100 SDRAM，它的芯片上所刻的-7代表了其存取時間為7ns。然而他的系統時鐘頻率仍然為10ns，外頻為100MHz。

（3）CAS（縱向地址脈沖）反應時間---CAS的延遲時間。某些SDRAM能夠運行在CAS Latency（CL）2或3模式。也就是說他們讀取數據所延遲的時間既可以是二個時鐘周期也可以是三個時鐘周期。我們可以把這個性能寫入SDRAM的EEPROM中，這樣PC的BIOS會檢查此項內容，并且以CL=2模式這一較快的速度運行。

然而，以上三個性能指標是互相制約的。換句話說，當你有較快的存取時間，你就必須犧牲CAS latency的性能。因此，評估和比較SDRAM的性能時，我們必須綜合考慮以上三個指標不能僅從芯片上所刻的-6，-7，-8或-10來評價。

也就是一旦芯片廠商稱其產品為PC-100。其芯片符合PC-100的標準。那幺-6，-7，-10就只是一個符號。并不說明-6比-7快。因此，三星（SAMSUNG）為了防止人們的誤解，不再用這個數據代表存取時間，而用字母表示存取時間。

內存型號說明

Samsung

具體含義解釋：

例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0

主要含義：

第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。

第2位——芯片類型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。

第11位——連線“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns （CL=3）；7C為7.5ns （CL=2） ；80為 8ns；10 為10ns （66MHz）。

知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條后就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128Mbits（兆數位） × 16片/8bits=256MB（兆字節）。

注：“bit”為“數位”，“B”即字節“byte”，一個字節為8位則計算時除以8。關于內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之后，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。

Hynix（Hyundai）現代

現代內存的含義：

HY5DV641622AT-36

HY XX X XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

1、HY代表是現代的產品

2、內存芯片類型：（57=SDRAM，5D=DDR SDRAM）；

3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V，U=2.5V

4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5、代表芯片輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位

6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系

7、I/O界面：1 ：SSTL_3、　2 ：SSTL_2

8、芯片內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內核越新

9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、內存芯片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度：55 ：183MHZ、5 ：200MHZ、45 ：222MHZ、43 ：233MHZ、4 ：250MHZ、33 ：300NHZ、L ：DDR200、H ：DDR266B、　K ：DDR266A

Infineon（億恒）

Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標識的是該顆粒的容量，后三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最后加一短線，然后標上工作速率。

-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；

-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。

例如：

1條Kingston的內存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆字節）。

1條Ramaxel的內存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆字節）。

KINGMAX、kti

KINGMAX內存的說明

Kingmax內存都是采用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。并且該封裝模式是專利產品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。

容量備注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。

Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號后用短線符號隔開標識內存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；

-8——PC100 /CL=3。

例如一條Kingmax內存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒制造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆字節）。

Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。

含義：

MT——Micron的廠商名稱。

48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。

A2——內存內核版本號。

TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。

-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實例：一條Micron DDR內存條，采用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。

其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字節）。

Winbond（華邦）

含義說明：

W XX XX XX XX

1 2 3 4 5

1、W代表內存顆粒是由Winbond生產

2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM

3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；

4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝

5、工作頻率：0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

內存的位置

內存條的位置均在主板之上，筆記本與臺式機的內存位置稍有不同。

1、筆記本內存位置（筆記本一般可插2根內存條，紅框內的白色部分為內存插槽，綠色的為內存條）；

2、臺式機內存位置（臺式機一般可插4根內存條，紅框內的黃色與藍色部分為內存插槽，綠色的為內存條）。